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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP250(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4-LF1, F) -
सराय
 ECAD 7308 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP371F Toshiba Semiconductor and Storage Tlp371f -
सराय
 ECAD 7331 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) Tlp371f डीसी 1 अफ़स्या 6 तप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP719(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719 (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 4784 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP719 डीसी 1 शराबी 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 1,500 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - 800NS, 800NS (अधिकतम) -
TLP352(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (d4, s) -
सराय
 ECAD 3732 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP352 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 352 (डी 4 एस) Ear99 8541.49.8000 50
TLP267J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J (ई) 1.0100
सराय
 ECAD 125 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP267 Cqc, cur, ur 1 triac 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 600 वी 70 २०० सिपाही नहीं 500V/THSS (SANA) 3MA 100
TLP350(TP5,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (TP5, Z, F) -
सराय
 ECAD 2149 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (TP5ZF) tr Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP705F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp705f (f) -
सराय
 ECAD 2534 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705F ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 - 450ma - - 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
TLP754F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp754f (f) -
सराय
 ECAD 8479 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 तंग 4.5V ~ 30V 8- तंग 264-TLP754F (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 15 सना हुआ 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550NS, 400NS
TLP5751(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4-TP, E 0.9707
सराय
 ECAD 4574 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP385(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-GB, ई 0.5400
सराय
 ECAD 9333 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP385 (D4-GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP781F(D4SANGBT7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4SANGBT7F -
सराय
 ECAD 9601 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4SANGBT7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4-GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GR-LF6, F -
सराय
 ECAD 6070 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GR-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP700A(TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A (टीपी, एस) -
सराय
 ECAD 6250 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP700 - 1 (असीमित) 264-ए 700 ए (टीपीएस) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP705(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 705 (डी 4-एफ, एफ) -
सराय
 ECAD 3476 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705 ऑपmuth युग CSA, CUR, UR, VDE 1 6-गूल गूल विंग - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP705 (D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1,500 300ma, 300ma 450ma - 1.6V २० सना हुआ 5000VRMS 10kv/µs 200NS, 200NS - 10v ~ 20v
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 630 (एफ) -
सराय
 ECAD 6206 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP630 अफ़मत्रा 1 तंग 6 तप तंग 264-टीएलपी 630 (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP250H(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4-LF1, F) 1.7400
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP250 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 10v ~ 30V 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार तंग TLP250H (D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 ए - 50ns, 50ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 40kv/Ex 500NS, 500NS
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
सराय
 ECAD 3142 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 तंग 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP185 (GRHSE Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP631(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (y, f) -
सराय
 ECAD 6022 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP631 - 1 (असीमित) 264-‘631 (स्याह) Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-BLL, F) -
सराय
 ECAD 3063 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-BLLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4-LF2, F) -
सराय
 ECAD 5028 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP620 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग 264-TLP620-4 (D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP731(D4GRL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4GRL-LF2, एफ -
सराय
 ECAD 7640 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (D4GRL-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 (एफ) 1.5600
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLPN137 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 ५० सदा 10MBD 3NS, 12NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 75NS, 75NS
TLP732(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-LF2, F) -
सराय
 ECAD 9267 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP732 - 1 (असीमित) 264-TLP732 (D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP293(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (जीबी, ई, ई 0.5100
सराय
 ECAD 3124 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP293 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP293 (GBE Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP268J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J (ई) 1.0100
सराय
 ECAD 7458 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP268 Cqc, cur, ur 1 triac 6-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 600 वी 70 २०० सिपाही तमाम 500V/THSS (SANA) 3MA 100
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, ई 0.8400
सराय
 ECAD 3858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP265 CQC, CUR, UR, VDE 1 triac 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V ५० सदा 3750VRMS 600 वी 70 1ma नहीं 500V/THSS (SANA) 7MA 20
TLP2761F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (एफ) -
सराय
 ECAD 7422 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2761 अफ़मत्रा 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 10 सना हुआ 15MBD 3NS, 3NS 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns, 80ns
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GR-LF2, एफ -
सराय
 ECAD 8903 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP732 डीसी 1 शराबी 6 तप - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 4000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP183(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (BLL-TPL, ई 0.5100
सराय
 ECAD 2341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP183 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP281-4(GB-TP,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP281-4 (GB-TP, J, F -
सराय
 ECAD 7222 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TLP281 डीसी 4 शराबी 16-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

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