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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) सराय - पकड़ (ih) इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम) अफ़मार S स डीवी डीवी/डीटी सराफक - एलईडी ट टthurraurir (ift) (अधिकतम) तंग
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (tpl, f) -
सराय
 ECAD 7460 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP131 डीसी 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP131 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP504A(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A (GB, F) -
सराय
 ECAD 7486 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP504 डीसी 2 शराबी 8- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 2500VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP184(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage Tlp184 (r जीआ sur, एसई 0.5100
सराय
 ECAD 4422 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP184 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TLP184 (GRSE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (टीपी, ई) 1.1800
सराय
 ECAD 4378 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2761 अफ़मत्रा 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 15MBD 3NS, 3NS 1.5V 10ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 80ns, 80ns
TLP385(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (जीबी, ई, ई 0.5500
सराय
 ECAD 4799 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP385 (GBE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5000
सराय
 ECAD 9795 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP183 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP183 (GRHE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 300MV
TLP3043(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3043 (एस, एफ, एफ,) -
सराय
 ECAD 3306 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-डिप (0.300 ", 7.62 मिमी), 5 लीड TLP3043 बीएसआई, सेमको, उ उ 1 triac 6-कट (कट), 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V ५० सदा 5000VRMS 400 वी 100 सवार ६००) (स्याह) तमाम 200V/OFS 5ma -
TLP182(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (बीएल-टीपीएल, ई 0.5600
सराय
 ECAD 9964 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP182 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRH-T7, एफ -
सराय
 ECAD 2497 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GRH-T7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP627-4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4F -
सराय
 ECAD 5834 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 16-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP627 डीसी 4 Darlington 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 25 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP2160(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 4451 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TLP2160 डीसी 2 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 10 सना हुआ 20MBD 15NS, 15NS 1.55V 25ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 40ns, 40ns
TLP292-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TR, E 1.7900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP292 अफ़मत्रा 4 शराबी 16- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP785F(GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-LF7, एफ -
सराय
 ECAD 8031 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (GB-LF7F ( Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB, J, F) -
सराय
 ECAD 6528 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TLP280 अफ़मत्रा 4 शराबी 16-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DHNS-TPL, F) -
सराय
 ECAD 3482 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP105 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग 264-TLP105 (DHNS-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20ma 3750VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP190B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (TPR, U, C, F) -
सराय
 ECAD 4583 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP190 डीसी 1 कांपना 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 12 - 8V 1.4V ५० सदा 2500VRMS - - 200s, 1ms -
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702 (TP4, ई 1.5600
सराय
 ECAD 7130 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5702 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15NS, 8NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200NS, 200NS
6N139(F) Toshiba Semiconductor and Storage 6N139 (एफ) -
सराय
 ECAD 3604 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 6N139 डीसी 1 अफ़स्या 8- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 60ma - 18V 1.65V २० सना हुआ 2500VRMS 500% @ 1.6MA - 200ns, 1 और -
TLP293(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (जीबी, ई, ई 0.5100
सराय
 ECAD 3124 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP293 डीसी 1 शराबी 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP293 (GBE Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C174, एफ) -
सराय
 ECAD 1372 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP734 डीसी 1 शराबी 6 तप - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP734F (D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 4000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (एसई) 0.5900
सराय
 ECAD 8438 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TLP291 (एसई (टी) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-GB, F -
सराय
 ECAD 5988 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785(GB-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB-TP6, एफ 0.6400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP5751(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751 (D4-LF4, ई 2.4300
सराय
 ECAD 2837 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5751 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 1 ए, 1 ए 1 क 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 137 (एफ) -
सराय
 ECAD 8722 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP137 डीसी 1 तंग 6-एमएफएसओपी, 5 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8s, 8 और 80V 1.15V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10s, 8 और 400MV
TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (ई, ई, टीपी 1.9100
सराय
 ECAD 3095 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37NS, 50NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/gronss 200NS, 200NS
TLP631(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 631 (एफ) -
सराय
 ECAD 1006 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 6-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP631 डीसी 1 तंग 6 तप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2, 3 एस.एस. 55V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP291(BLL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (BLL, SE 0.5900
सराय
 ECAD 4295 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-शिक (0.179 ", 4.55 मिमी ranak) TLP291 डीसी 1 शराबी 4- तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) TLP291 (BLLSE (BLLSE (BLLSE ( Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP184(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (टीपीएल, ई) -
सराय
 ECAD 2019 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP184 अफ़मत्रा 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार TLP184 (TPLE) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5 एस, 9 केएसएस 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5ma 9s, 9 ARSS 300MV
TLP385(D4GH-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GH-TR, E 0.5600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP385 डीसी 1 शराबी 6-तो, 4 लीड तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
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