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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार शराबी तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग अफ़रप सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म पृथक शक इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू सराफकस अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम)
TLP5771H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5771H (D4-TP, E 2.4800
सराय
 ECAD 3599 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5771 कैपेसिटिव युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 1 ए, 1 ए 1 क 56NS, 25NS 1.65V 8 सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 10v ~ 30V
TLP781(D4-GRH,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRH, E) -
सराय
 ECAD 4579 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GRHE) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 150% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (ई) 1.0200
सराय
 ECAD 7801 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP187 डीसी 1 Darlington 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 150ma 40s, 15 और 300V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP531(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (GB, F) -
सराय
 ECAD 7338 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP161G(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G (IFT5, U, C, F -
सराय
 ECAD 8905 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161G - 1 (असीमित) 264-TLP161G (IFT5UCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4-BL, एफ एफ -
सराय
 ECAD 2555 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785 (D4-BLF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP785F(GB-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GB-TP7, एफ -
सराय
 ECAD 1625 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (GB-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-LF6, F) -
सराय
 ECAD 4918 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP9121A(MURGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (MURGBTL, एफ -
सराय
 ECAD 4467 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9121A (MURGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP700HF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF (D4-TP, F) -
सराय
 ECAD 5396 0.00000000 तमाम - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 2 6-एसडीआईपी तंग 1 2 ए, 2 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 250NS 15V ~ 30V
TLP250(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (एमबीएस, एफ) -
सराय
 ECAD 3329 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
DCL540H01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540H01 (ई, ई, ई 6.3000
सराय
 ECAD 4016 0.00000000 तमाम DCL540X01 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) तमाम DCL540 चुंबकीय युग 4 2.25V ~ 5.5V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1,500 150Mbps तमाम 0.9NS, 0.9NS 5000VRMS तमाम 4/0 100kv/µs 18.3ns, 18.3ns 2.8NS
TLP781(GB-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GB-LF6, F) -
सराय
 ECAD 8264 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 5A991G 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 (OGI-TL, F) -
सराय
 ECAD 2225 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9104 (OGI-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP718F(F) Toshiba Semiconductor and Storage Tlp718f (f) -
सराय
 ECAD 9089 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP718 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-गूल गूल विंग तंग 264-एफ 718 एफ (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3MA 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (Y-LF5, F) -
सराय
 ECAD 4947 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-TLP531 (Y-LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP532(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (GRL, F) -
सराय
 ECAD 2775 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-TLP532 (GRLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP705(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705 (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 5460 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP705 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 300ma, 300ma 450ma - 1.6V २० सना हुआ 5000VRMS 10kv/µs 170NS, 170NS - 10v ~ 20v
TLP532(BL-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (BL-TP5, F) -
सराय
 ECAD 2519 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 532 (बीएल-टीपी 5 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785F(D4-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4-LF7, एफ -
सराय
 ECAD 1092 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (D4-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP250(TOJS-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (TOJS-TP1, F) -
सराय
 ECAD 9181 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (TOJS-TP1F) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP350(D4-LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-LF1, Z, F) -
सराय
 ECAD 5424 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (D4-LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP700(F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 700 (एफ) 1.9700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली तंग -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP700 ऑपmuth युग एक प्रकार का होना 1 6-गूल गूल विंग तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 100 1.5a, 1.5a 2 ए 50ns, 50ns 1.57V २० सना हुआ 5000VRMS 15kv/µs 500NS, 500NS - 15V ~ 30V
TLP109(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (ई) 1.2800
सराय
 ECAD 9923 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.179 ", 4.55 मिमी ranak), 5 लीड TLP109 डीसी 1 शराबी 6-तो, 5 लीड तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 5A991 8541.49.8000 125 8MA - 20 वी 1.64V २० सना हुआ 3750VRMS 20% @ 16ma - 800NS, 800NS (अधिकतम) -
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (ther, एफ) -
सराय
 ECAD 4494 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-‘531 (पर) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (TP5, ई 0.9300
सराय
 ECAD 5883 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 60 के दशक, 30 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110 और, 30 और 1.2V
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRF7TC, एफ -
सराय
 ECAD 1337 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GRF7TCF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 (KMGBTL, ओ (ओ ((() -
सराय
 ECAD 5179 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLX9185 डीसी 1 शराबी 6-सेप - 264-TLX9185 (KMGBTLF (ओ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3, 5 ग्रोन्स 80V 1.27V ३० सना हुआ 3750VRMS 20% @ 5MA 600% @ 5MA 5, एस। 400MV
TLP2719(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719 (डी 4-ई, ई ई 1.7200
सराय
 ECAD 773 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2719 डीसी 1 तंग 4.5V ~ 20V 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 8 सना हुआ 1MBD - 1.6V 25ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 800NS, 800NS
TLP781(D4-GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (D4-GRL, F) -
सराय
 ECAD 6942 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) TLP781 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (D4-GRLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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