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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार शराबी तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग अफ़रप सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म पृथक शक इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम)
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (ther, एफ) -
सराय
 ECAD 4494 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP531 - 1 (असीमित) 264-‘531 (पर) Ear99 8541.49.8000 50
TLP350(D4-LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350 (D4-LF1, Z, F) -
सराय
 ECAD 5424 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP350 - 1 (असीमित) 264-TLP350 (D4-LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP718(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718 (डी 4, एफ) -
सराय
 ECAD 5191 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP718 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP718 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP358(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (D4-TP5, F) -
सराय
 ECAD 2492 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP358 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL, VDE 1 8- तंग 264-TLP358 (D4-TP5F) Ear99 8541.49.8000 1 5 ए, 5 ए 6 ए 17NS, 17NS 1.57V २० सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 250NS 15V ~ 30V
DCL540L01(T,E Toshiba Semiconductor and Storage DCL540L01 (ई, ई, ई 6.3000
सराय
 ECAD 1951 0.00000000 तमाम DCL540X01 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) तमाम DCL540 चुंबकीय युग 4 2.25V ~ 5.5V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1,500 150Mbps तमाम 0.9NS, 0.9NS 5000VRMS तमाम 4/0 100kv/µs 18.3ns, 18.3ns 2.8NS
TLP781F(GR-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GR-TP7, F) -
सराय
 ECAD 9957 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (gr-tp7f) tr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP351H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351H (TP1, F) 1.6400
सराय
 ECAD 1209 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP351 ऑपmuth युग CQC, CUR, UR, VDE 1 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 1,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २० सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 700NS, 700NS 500NS 10v ~ 30V
TLP620F-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2 (एफ) -
सराय
 ECAD 9705 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) - 1 - 8- - 264-TLP620F-2 (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA - 55V - 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - -
TLP2768A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (D4-TP, E -
सराय
 ECAD 6459 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2768 डीसी 1 क्योरसुरी, किल्वनस, 2.7V ~ 5.5V 6- तंग 1 (असीमित) 264-TLP2768A (D4-TPETR Ear99 8541.49.8000 1,500 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M (D4-TP5, ई 0.3090
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP627 डीसी 1 Darlington 4-एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 150ma 60 के दशक, 30 और 300V 1.25V ५० सदा 5000VRMS 1000% @ 1MA - 110 और, 30 और 1.2V
TLP532(FANUC1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532 (FANUC1, एफ) -
सराय
 ECAD 9186 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP532 - 1 (असीमित) 264-TLP532 (FANUC1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP9121A(OGIGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (OGIGBTL, एफ -
सराय
 ECAD 1570 0.00000000 तमाम * थोक शिर - 264-TLP9121A (OGIGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP781F(ABB-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (एबीबी-टीपी 7, एफ) -
सराय
 ECAD 3564 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (ABB-TP7F) TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (YH-LF7, F) -
सराय
 ECAD 4883 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (YH-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP571(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 571 (एलएफ 1, एफ) -
सराय
 ECAD 9065 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP571 - 1 (असीमित) 264-TLP571 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-LF2, एफ -
सराय
 ECAD 4902 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (D4-GB-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-GR, M, F) -
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734F (D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4, J, F) -
सराय
 ECAD 3790 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759F (D4JF) Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KOSD-TPL, F) -
सराय
 ECAD 2733 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP2451A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451A (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 3877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TLP2451 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २५ सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP5222(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (डी 4, डी ई 7.0100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5222 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 2 ए, 2 ए 2.5a 58NS, 57NS 1.67V २५ सना हुआ 5000VRMS 25kv/µs 250NS, 250NS 50NS 15V ~ 30V
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP4, ई 1.6000
सराय
 ECAD 1480 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2710 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 5MBD 11ns, 13ns 1.9V (अधिकतम अधिकतम) 8MA 5000VRMS 1/0 25kv/µs 250NS, 250NS
TLP183(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB-TPL, ई 0.5000
सराय
 ECAD 1538 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP183 डीसी 1 शराबी 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 100% @ 5ma 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (ई) 2.8300
सराय
 ECAD 4832 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 15V ~ 30V 8- तंग 1 (असीमित) 264-TLP5832 (ई) Ear99 8541.49.8000 75 - 15NS, 8NS 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200NS, 200NS
TLP185(V4GRTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (v4grtl, se -
सराय
 ECAD 9052 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP185 डीसी 1 तंग 6-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TLP185 (V4GRTLSE Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.25V ५० सदा 3750VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 300MV
TLP701F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F (D4-MBSTP, एफ -
सराय
 ECAD 4358 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP701 ऑपmuth युग टीयूवी, rayr 1 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP701F (D4-MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 - 600ma - - 5000VRMS 10kv/µs 700NS, 700NS - 10v ~ 30V
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (टीपीएल, एफ) -
सराय
 ECAD 9257 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-SCIC (0.173 ", 4.40 मिमी ranak TLP2066 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 3V ~ 3.6V 6-एमएफएसओपी, 5 लीड - 264-TLP2066 (TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 10 सना हुआ 20Mbps 5NS, 4NS 1.6V 25ma 3750VRMS 1/0 15kv/µs 60NS, 60NS
TLP5752H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H (ई, ई, ई -
सराय
 ECAD 6043 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 2 6- तंग 1 2.5 ए, 2.5 ए 2.5a 15NS, 8NS 1.55V २० सना हुआ 5000VRMS 35kv/µs 150NS, 150NS 50NS 15V ~ 30V
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (ray-टीपी 6, एफ) 0.6400
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TOJSTLUC, एफ -
सराय
 ECAD 6124 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग डीसी कांपना 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग 264-TLP191B (TOJSTLUCF Ear99 8541.49.8000 1 24 - 8V 1.4V ५० सदा 2500VRMS - - 200s, 3ms -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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