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सभा (2050)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी अनुमोदन एजेंसी अँगुला अफ़स्या वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक - आउटपुट उच उच, कम सराय - आउटपुट / चैनल तंग - तंग सराय - पीक पीक वृदth वृद वोलmus - आउटपुट (अधिकतम (अधिकतम) वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) अफ़म इनपुट - ranak 1/vana 2 तमामकस अफ़रपर, tplh / tphl (अधिकतम) अफ़म वोलmume - आउटपुट आपू आपू अफ़स्या अफ़स्या Vasauth therें / बंद rurें समय समय समय समय समय वीसीई संतृपthu (अधिकतम अधिकतम)
TLP5701(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 (D4-LF4, ई 1.3800
सराय
 ECAD 8258 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5701 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 6- - 1 (असीमित) 264-TLP5701 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 125 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.57V २५ सना हुआ 5000VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP352(D4-TP1,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (D4-TP1, S) -
सराय
 ECAD 7473 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP352 - 1 (असीमित) 264-TLP352 (D4-TP1S) TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP371(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 371 (टीपी 5, एफ) -
सराय
 ECAD 3304 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP371 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 371 (टीपी 5 एफ) Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP781F(D4GRT7,F,W Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4GRT7, F, W -
सराय
 ECAD 7022 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) Tlp781f डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (D4GRT7FWTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP718(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718 (डी 4, एफ) -
सराय
 ECAD 5191 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.268 ", 6.80 मिमी ranak) TLP718 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 4.5V ~ 20V 6-गूल गूल विंग तंग 264-TLP718 (D4F) Ear99 8541.49.8000 1 २५ सना हुआ 5Mbps 30ns, 30ns 1.6V 20ma 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250NS, 250NS
TLP127(KOSD-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (KOSD-TPL, F) -
सराय
 ECAD 2733 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग TLP127 डीसी 1 Darlington 6-एमएफएसओपी, 4 लीड - 1 (असीमित) 264-TLP127 (KOSD-TPLF) TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40s, 15 और 300V 1.15V ५० सदा 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50s, 15 kss 1.2V
TLP126(FA-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 126 (एफए-टीपीएलएस, एफ) -
सराय
 ECAD 7277 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP126 - 1 (असीमित) 264-टीएलपी 126 (एफए-टीपीएलएसएफ) Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP250(D4SND-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250 (D4SND-LF1, F -
सराय
 ECAD 8057 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP250 - 1 (असीमित) 264-TLP250 (D4SND-LF1F Ear99 8541.49.8000 50
TLP2768A(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A (D4-TP, E -
सराय
 ECAD 6459 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2768 डीसी 1 क्योरसुरी, किल्वनस, 2.7V ~ 5.5V 6- तंग 1 (असीमित) 264-TLP2768A (D4-TPETR Ear99 8541.49.8000 1,500 २५ सना हुआ 20MBD 30ns, 30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60NS, 60NS
TLP620F-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2 (एफ) -
सराय
 ECAD 9705 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) - 1 - 8- - 264-TLP620F-2 (एफ) Ear99 8541.49.8000 1 50mA - 55V - 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - -
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (टीपी 6, एफ) -
सराय
 ECAD 3754 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-टीएलपी 781 (टीपी 6 एफ) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP732(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF1, F) -
सराय
 ECAD 2413 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP732 - 1 (असीमित) 264-TLP732 (GB-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (ray-एलएफ 2, एफ) -
सराय
 ECAD 4124 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (GR-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2451A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2451A (टीपी, एफ) -
सराय
 ECAD 3877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TLP2451 ऑपmuth युग CSA, CUL, UL 1 8- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,500 400ma, 400ma 600ma 50ns, 50ns 1.55V २५ सना हुआ 3750VRMS 20kv/µs 500NS, 500NS 350NS 10v ~ 30V
TLP5222(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5222 (डी 4, डी ई 7.0100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP5222 ऑपmuth युग CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 16- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 50 2 ए, 2 ए 2.5a 58NS, 57NS 1.67V २५ सना हुआ 5000VRMS 25kv/µs 250NS, 250NS 50NS 15V ~ 30V
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 (TP4, ई 1.6000
सराय
 ECAD 1480 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP2710 डीसी 1 पुश-पुल, टोटेम पोल 2.7V ~ 5.5V 6- तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 सना हुआ 5MBD 11ns, 13ns 1.9V (अधिकतम अधिकतम) 8MA 5000VRMS 1/0 25kv/µs 250NS, 250NS
TLP785(GR-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (ray-टीपी 6, एफ) 0.6400
सराय
 ECAD 71 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP785 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 300% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP781F(YH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (YH-LF7, F) -
सराय
 ECAD 4883 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग Tlp781f डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781F (YH-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 75% @ 5ma 150% @ 5ma 3, 3 400MV
TLP571(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage टीएलपी 571 (एलएफ 1, एफ) -
सराय
 ECAD 9065 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP571 - 1 (असीमित) 264-TLP571 (LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-GR, M, F) -
सराय
 ECAD 3504 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP734 - 1 (असीमित) 264-TLP734F (D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731 (D4-GB-LF2, एफ -
सराय
 ECAD 4902 0.00000000 तमाम * नली शिर TLP731 - 1 (असीमित) 264-TLP731 (D4-GB-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP2662(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662 (D4-TP1, F) 1.8800
सराय
 ECAD 5134 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 8-एसएमडी, गूल विंग TLP2662 डीसी 2 तंग 2.7V ~ 5.5V 8-एसएमडी तंग रोहस अफ़मार तंग Ear99 8541.49.8000 1,500 २५ सना हुआ 10MBD 12NS, 3NS 1.55V 20ma 5000VRMS 2/0 20kv/µs 75NS, 75NS
TLP759F(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4, J, F) -
सराय
 ECAD 3790 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) TLP759 डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759F (D4JF) Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP191B(TOJSTLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TOJSTLUC, एफ -
सराय
 ECAD 6124 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 6-लीड (4 लीड), विंग विंग डीसी कांपना 6-एमएफएसओपी, 4 लीड तंग 264-TLP191B (TOJSTLUCF Ear99 8541.49.8000 1 24 - 8V 1.4V ५० सदा 2500VRMS - - 200s, 3ms -
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T5TR, U, C, F -
सराय
 ECAD 6551 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP161J - 1 (असीमित) 264-TLP161J (T5TRUCFTR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (MBJ-IGM, J, F -
सराय
 ECAD 5035 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 100 ° C होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) डीसी 1 तंग 8- तंग 264-TLP759 (MBJ-IGMJF Ear99 8541.49.8000 1 8MA - 20 वी 1.65V २५ सना हुआ 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP785F(GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (GRL-F7, एफ -
सराय
 ECAD 9435 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C होल के kaytaumauth से 4-((0.400 ", 10.16 मिमी) TLP785 डीसी 1 शराबी 4 तंग तंग 1 (असीमित) 264-TLP785F (GRL-F7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 100% @ 5ma 200% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP781(LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (LF6, F) -
सराय
 ECAD 7743 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 110 ° C सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग TLP781 डीसी 1 शराबी 4-एसएमडी तंग 1 (असीमित) 264-TLP781 (LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2, 3 एस.एस. 80V 1.15V 60 सना हुआ 5000VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3, 3 400MV
TLP3910(C20,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (C20, ई 3.3700
सराय
 ECAD 2174 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 6-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) TLP3910 डीसी 2 कांपना 6- तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3 ३० सना हुआ 5000VRMS - - 300 और, 100 और -
TLP250F(D4FA1T4S,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250F (D4FA1T4S, F -
सराय
 ECAD 8410 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर TLP250F - 1 (असीमित) 264-TLP250F (D4FA1T4SFTR Ear99 8541.49.8000 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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