SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सराय तमाम सवार तमाम तमाम रत्न कन (अधिकतम) सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम लेंस शैली अँगुला रोटी तंग तंग वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक अयस्क Rayr दै rurcunutume - प Rayr दै r दैruchuntur
VLME31Q2T1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLME31Q2T1-GS08 0.4500
सराय
ECAD 75 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlme31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlme31 कसना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 223MCD 2 वी 20ma 120 ° 588NM 590NM
VLMF3100-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMF3100-GS08 0.4000
सराय
ECAD 95 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMF3100 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 90MCD 2 वी 10ma 120 ° 605nm 590NM
VLMA3100-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMA3100-GS18 0.4000
सराय
ECAD 15 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMA3100 कसना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 2.5MCD 2.2V 2ma 120 ° 588NM 585NM
VLMK31R1S2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK31R1S2-GS18 -
सराय
ECAD 3672 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 196MCD 1.9V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLMK33Q2T1-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK33Q2T1-GS18 -
सराय
ECAD 4682 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmk33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 223MCD 1.9V 20ma 120 ° 617NM 624NM
VLMD3100-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMD3100-GS18 0.0985
सराय
ECAD 2247 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMD3100 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 11.2MCD 1.8V 10ma 120 ° 648NM 650NM
VLMD3101-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMD3101-GS08 -
सराय
ECAD 4887 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmd3101 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 32MCD 1.8V 10ma 120 ° 648NM 650NM
VLMD3101-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMD3101-GS18 -
सराय
ECAD 2380 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmd3101 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 32MCD 1.8V 10ma 120 ° 648NM 650NM
VLMD31L2N1-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMD31L2N1-GS18 -
सराय
ECAD 6847 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmd31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 25MCD 1.8V 10ma 120 ° 648NM 650NM
TLMS1000-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division TLMS1000-GS08 0.4600
सराय
ECAD 316 0.00000000 तमहता के बारे में बात सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1.60 मिमी एल x 0.80 मिमी मिमी मिमी सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - TLMS1000 तमाम 0.65 मिमी 0603 तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.60 मिमी x 0.80 मिमी - - 4MCD 1.8V 2ma 160 ° 628NM 640NM
VLMG3105-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG3105-GS08 0.4400
सराय
ECAD 321 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg3105 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMG3105-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG3105-GS18 -
सराय
ECAD 1020 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg3105 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMK33S1T1-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK33S1T1-GS18 -
सराय
ECAD 7787 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmk33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 268MCD 1.9V 20ma 120 ° 617NM 624NM
VLMS3100-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS3100-GS18 -
सराय
ECAD 3143 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMS3100 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 7.1MCD 2 वी 10ma 120 ° 630NM 640NM
VLMS322T2V1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS322T2V1-GS08 0.7100
सराय
ECAD 948 0.00000000 तमहता के बारे में बात VLMS322 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-पीएलसीसी - VLMS322 तमाम 2.10 मिमी 4-पीएलसीसी - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 450MCD 2.1V 50mA 120 ° 630NM -
VLMS333T2V2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS333T2V2-GS08 0.6900
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.333 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms333 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 550MCD 2 वी 20ma 120 ° 630NM 639NM
VLMS31J1K2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS31J1K2-GS18 -
सराय
ECAD 3017 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 8MCD 1.9V 10ma 120 ° 630NM 643NM
VLMS33S1U1-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS33S1U1-GS18 -
सराय
ECAD 3076 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms33 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 370MCD 2 वी 30ma 120 ° 630NM 641NM
VLMSY3420-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMSY3420-GS18 -
सराय
ECAD 2294 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmsy तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 562mcd rana, 700mcd rana 2.1 वी। 50ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMP23L2M2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP23L2M2-GS08 0.5600
सराय
ECAD 8189 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp23 चापलूसी 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 21MCD 2.2V 20ma 120 ° 560NM 555NM
VLMP31G2J1-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP31G2J1-GS18 -
सराय
ECAD 2557 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 4MCD 2.1V 10ma 120 ° 560NM 565NM
VLMP31G2J2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP31G2J2-GS08 -
सराय
ECAD 2080 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 5MCD 2.1V 10ma 120 ° 560NM 565NM
VLMP31G2J2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP31G2J2-GS18 -
सराय
ECAD 2236 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 5MCD 2.1V 10ma 120 ° 560NM 565NM
VLMPG30E1F2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMPG30E1F2-GS18 -
सराय
ECAD 6806 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmpg30 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 1.3MCD 1.9V 2ma 120 ° 560NM 565NM
VLMPG30E1G2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMPG30E1G2-GS18 -
सराय
ECAD 4055 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmpg30 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 1.8MCD 1.9V 2ma 120 ° 560NM 565NM
VLMO2000-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO2000-GS08 -
सराय
ECAD 1523 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo20 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 9MCD 1.8V 2ma 120 ° 605nm 610nm
VLMO20K2L2-35-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO20K2L2-35-GS08 -
सराय
ECAD 7809 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo20 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 14MCD 1.8V 2ma 120 ° 606nm 610nm
VLMO21H2K1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO21H2K1-GS08 -
सराय
ECAD 9376 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo21 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 6MCD 2.1V 10ma 120 ° 605nm 605nm
VLMO21H2L1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO21H2L1-GS08 -
सराय
ECAD 3811 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo21 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 9MCD 2.1V 10ma 120 ° 605nm 605nm
VLMW322BACA5K8L-08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW322BACA5K8L-08 -
सराय
ECAD 7458 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-पीएलसीसी - VLMW32 सफ़ेद 2.10 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 2800MCD 3.4V 30ma 120 ° - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम