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एलईडी एलईडी - असतत असतत (851)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सराय तमाम सवार तमाम तमाम रत्न कन (अधिकतम) सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम लेंस शैली अँगुला रोटी तंग तंग वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक अयस्क Rayr दै rurcunutume - प Rayr दै r दैruchuntur
VLRE31R1S2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRE31R1S2-GS08 0.5700
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlre31 कसना 2.10 मिमी एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 199mcd 2.1V 20ma 120 ° 588NM 590NM
VLRK31Q2R1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31Q2R1-GS08 -
सराय
 ECAD 4051 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 115MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLRK31R1R2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31R1R2-GS08 -
सराय
 ECAD 1183 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 146MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLRK31R1R2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31R1R2-GS18 -
सराय
 ECAD 6417 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 146MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLMO30K1L2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO30K1L2-GS08 -
सराय
 ECAD 7214 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo30 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 1.8V 2ma 120 ° 605nm 610nm
VLMW41R1T1-7K8L-08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW41R1T1-7K8L-08 0.9900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.4 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmw41 तंग 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 233.5MCD 3.3 10ma 120 ° 5500k -
VLMR333U1AA-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR333U1AA-GS08 0.6900
सराय
 ECAD 862 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.333 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr333 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 750MCD 2 वी 20ma 120 ° 625NM 632NM
VLMR333U1AA-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR333U1AA-GS18 -
सराय
 ECAD 1509 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.333 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr333 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 750MCD 2 वी 20ma 120 ° 625NM 632NM
VLMR33R2U2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR33R2U2-GS18 -
सराय
 ECAD 1663 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 425MCD 2 वी 30ma 120 ° 617NM 624NM
VLMW41S1T2-6K6L-08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW41S1T2-6K6L-08 -
सराय
 ECAD 1122 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.4 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmw41 तंग 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 315MCD 3.3 10ma 120 ° 5500k -
VLMG31K1L2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31K1L2-GS08 0.4400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMK23P2R1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK23P2R1-GS08 0.4500
सराय
 ECAD 905 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk23 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 98MCD 1.9V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLMG31L1M2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31L1M2-GS08 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 20MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMG31L1M2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31L1M2-GS18 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 20MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMH3100-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMH3100-GS18 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMH3100 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 10MCD 2 वी 10ma 120 ° 618.5NM 635NM
TLMO1000-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division TLMO1000-GS08 0.4600
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमहता के बारे में बात सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1.60 मिमी एल x 0.80 मिमी मिमी मिमी सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - Tlmo1000 तमाम 0.65 मिमी 0603 तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.60 मिमी x 0.80 मिमी - - 7.5MCD 1.8V 2ma 160 ° 605nm 610nm
VLMRY3420-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMRY3420-GS18 -
सराय
 ECAD 6525 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmry किलोयस 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 628MCD SAUTHUR, 840MCD SALA २.१ अटपुट, २.१ सट 50ma एमchur, 50ma vana 120 ° 617NM Chaut, 624nm Sautur, 590nm Sala
VLMK33R1S2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK33R1S2-GS18 -
सराय
 ECAD 6556 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmk33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 196MCD 1.9V 20ma 120 ° 617NM 624NM
VLMKE3400-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMKE3400-GS18 -
सराय
 ECAD 7750 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmke3400 तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 118mcd rana,, 185mcd rana 1.9v ranak 20ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMKE3401-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMKE3401-GS08 0.4600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmke3401 तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 106mcd rana, 168mcd rana 1.9v ranak 20ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMKE3401-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMKE3401-GS18 0.4600
सराय
 ECAD 8264 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmke3401 तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 106mcd rana, 168mcd rana 1.9v ranak 20ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMS3101-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS3101-GS18 -
सराय
 ECAD 8403 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 8MCD 2 वी 10ma 120 ° 630NM 640NM
VLMS31J2L1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS31J2L1-GS08 0.1016
सराय
 ECAD 3665 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 10MCD 1.9V 10ma 120 ° 630NM 643NM
VLMS31K1L2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS31K1L2-GS08 0.4700
सराय
 ECAD 870 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms31 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 1.9V 10ma 120 ° 630NM 643NM
VLMS33S1T2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS33S1T2-GS18 -
सराय
 ECAD 8334 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlms33 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 315MCD 2 वी 30ma 120 ° 630NM 641NM
VLMSY3420-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMSY3420-GS08 -
सराय
 ECAD 9865 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmsy तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 562mcd rana, 700mcd rana 2.1 वी। 50ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMP232M2N2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP232M2N2-GS08 -
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 ECAD 8516 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp23 चापलूसी 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 34MCD 2.2V 30ma 120 ° 558NM 555NM
VLMP232M2P1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP232M2P1-GS08 -
सराय
 ECAD 1264 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp23 चापलूसी 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 39MCD 2.2V 30ma 120 ° 558NM 555NM
VLMP31H2J2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMP31H2J2-GS08 0.6100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmp31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 5MCD 2.1V 10ma 120 ° 560NM 565NM
VLMPG30E1G2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMPG30E1G2-GS08 -
सराय
 ECAD 3793 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmpg30 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 1.8MCD 1.9V 2ma 120 ° 560NM 565NM
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