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ऑप ऑपmuthiraugut (1306)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम तमाम रत्न कन (अधिकतम) सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - अधिकतम वेवलेंथ तमाम लेंस शैली अँगुला रोटी तंग तंग वोलmut - rayraurcuth (वीएफ) सराफक अयस्क Rayr दै rurcunutume - प Rayr दै r दैruchuntur सराफक - डीसी r फॉ ruirrachut (आईएफ) (अधिकतम) रत्न इंटेंसिटी सीसीटी (के) Lumens/watt @ thercamauth - Rayr आई फthautun @ 85 lecr सेल फthautun @ २५, डिगthirी सेलmun, अफ़स्या
VLMS1500-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMS1500-GS08 0.3400
सराय
 ECAD 113 0.00000000 तमहता के बारे में बात अफ़रोट R टेप ray ryील (ther) शिर 1.00 मिमी मिमी x 0.50 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur ०४०२ - VLMS1500 तमाम 0.55 मिमी 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.00 मिमी x 0.50 मिमी - - 54MCD 2 वी 20ma 130 ° 631NM 639NM
VLMY1500-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMY1500-GS08 0.3500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमहता के बारे में बात अफ़रोट R टेप ray ryील (ther) शिर 1.00 मिमी मिमी x 0.50 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur ०४०२ - Vlmy1500 कसना 0.55 मिमी 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.00 मिमी x 0.50 मिमी - - 104MCD 2 वी 20ma 130 ° 592NM 588NM
VLMW711T3U2US-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW711T3U2US-GS08 -
सराय
 ECAD 7510 0.00000000 तमहता के बारे में बात अफ़सतर R टेप ray ryील (ther) शिर 0.236 "एल x 0.236" डबmuntur (6.00 मिमी x 6.00 मिमी) 0.059 "(1.50 मिमी) सतह rurcur २४२४ (६०६० सटेर) VLMW71 सफ़ेद एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 2,000 350ma 3.5V 350ma 120 ° - 72 एलएम - - 88lm (77lm ~ 99lm) 10 ° C/w
VLMW711U2U3XV-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW711U2U3XV-GS08 -
सराय
 ECAD 8647 0.00000000 तमहता के बारे में बात अफ़सतर R टेप ray ryील (ther) शिर 0.236 "एल x 0.236" डबmuntur (6.00 मिमी x 6.00 मिमी) 0.059 "(1.50 मिमी) सतह rurcur २४२४ (६०६० सटेर) VLMW71 सफ़ेद एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 2,000 350ma 3.5V 350ma 120 ° - 82 एलएम - - 101lm (87lm ~ 114lm) 10 ° C/w
VSMB2948SL Vishay Semiconductor Opto Division VSMB2948SL 0.7600
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur, समकोण 2-एसएमडी, गल गल सरायम VSMB2948 तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 940NM तंग 1.35V 50 ° 100ma 20MW/sr @ 100ma
VSMB2943SLX01 Vishay Semiconductor Opto Division VSMB2943SLX01 0.8300
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur, समकोण 2-एसएमडी, गल गल सरायम VSMB2943 तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 940NM तंग 1.35V 50 ° 100ma 20MW/sr @ 100ma
VSMB2943GX01 Vishay Semiconductor Opto Division VSMB2943GX01 0.8300
सराय
 ECAD 73 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 2-एसएमडी, गल गल सरायम VSMB2943 तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 6,000 940NM सरायस 1.35V 50 ° 100ma 20MW/sr @ 100ma
VLMY33R2U2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMY33R2U2-GS08 -
सराय
 ECAD 9473 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmy33 कसना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 425MCD 2 वी 30ma 120 ° 588NM 590NM
VLRE31R1S2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRE31R1S2-GS08 0.5700
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlre31 कसना 2.10 मिमी एसएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 199mcd 2.1V 20ma 120 ° 588NM 590NM
VLRK31Q2R1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31Q2R1-GS08 -
सराय
 ECAD 4051 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 115MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLRK31R1R2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31R1R2-GS08 -
सराय
 ECAD 1183 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 2,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 146MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLRK31R1R2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLRK31R1R2-GS18 -
सराय
 ECAD 6417 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर 3.20 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी तंग, नीचे प 2-एसएमडी, जेड-बेंड - Vlrk31 तमाम 2.10 मिमी एसएमडी - Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 146MCD 2.1V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VSMF4720-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VSMF4720-GS08 -
सराय
 ECAD 1022 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड सरायम MF4720 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 870NM सरायस 1.45V 120 ° 100ma 10MW/sr @ 100ma
VSML3710-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VSML3710-GS18 0.6400
सराय
 ECAD 77 0.00000000 तमहता के बारे में बात - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 2-पीएलसीसी सरायम ML3710 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 940NM सरायस 1.35V 120 ° 100ma 4MW/sr @ 100ma
VLMO30K1L2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMO30K1L2-GS08 -
सराय
 ECAD 7214 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmo30 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 1.8V 2ma 120 ° 605nm 610nm
VLMW41R1T1-7K8L-08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW41R1T1-7K8L-08 0.9900
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.4 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmw41 तंग 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 233.5MCD 3.3 10ma 120 ° 5500k -
VLMR333U1AA-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR333U1AA-GS08 0.6900
सराय
 ECAD 862 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.333 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr333 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 750MCD 2 वी 20ma 120 ° 625NM 632NM
VLMR333U1AA-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR333U1AA-GS18 -
सराय
 ECAD 1509 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.333 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr333 तमाम 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 750MCD 2 वी 20ma 120 ° 625NM 632NM
VLMR33R2U2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMR33R2U2-GS18 -
सराय
 ECAD 1663 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmr33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 425MCD 2 वी 30ma 120 ° 617NM 624NM
VLMW41S1T2-6K6L-08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMW41S1T2-6K6L-08 -
सराय
 ECAD 1122 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.4 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmw41 तंग 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 7,500 तमाम सिपाही २.४० वास - - 315MCD 3.3 10ma 120 ° 5500k -
VLMG31K1L2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31K1L2-GS08 0.4400
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 13MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMK23P2R1-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK23P2R1-GS08 0.4500
सराय
 ECAD 905 0.00000000 तमहता के बारे में बात तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर 2.20 एल एल x 1.40 डब मिमी डब सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk23 तमाम 1.40 मिमी Smd miniled तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.50 मिमी x 0.90 मिमी - शिलालेख 98MCD 1.9V 20ma 120 ° 630NM 643NM
VLMG31L1M2-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31L1M2-GS08 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 20MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMG31L1M2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMG31L1M2-GS18 0.4400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmg31 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmg31 चापलूसी 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 20MCD 2.2V 10ma 120 ° 569NM 565NM
VLMH3100-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMH3100-GS18 0.4000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - VLMH3100 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - शिलालेख 10MCD 2 वी 10ma 120 ° 618.5NM 635NM
TLMO1000-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division TLMO1000-GS08 0.4600
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमहता के बारे में बात सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 1.60 मिमी एल x 0.80 मिमी मिमी मिमी सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - Tlmo1000 तमाम 0.65 मिमी 0603 तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8541.41.0000 3,000 तमाम फ e टॉप के के के के 1.60 मिमी x 0.80 मिमी - - 7.5MCD 1.8V 2ma 160 ° 605nm 610nm
VLMRY3420-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMRY3420-GS18 -
सराय
 ECAD 6525 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmry किलोयस 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 628MCD SAUTHUR, 840MCD SALA २.१ अटपुट, २.१ सट 50ma एमchur, 50ma vana 120 ° 617NM Chaut, 624nm Sautur, 590nm Sala
VLMK33R1S2-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMK33R1S2-GS18 -
सराय
 ECAD 6556 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlmk33 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड - Vlmk33 एक प्रकार का होना 1.85 मिमी 2-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 2 ए ए (4 किलोशान) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 तमाम सिपाही २.४० वास - - 196MCD 1.9V 20ma 120 ° 617NM 624NM
VLMKE3400-GS18 Vishay Semiconductor Opto Division VLMKE3400-GS18 -
सराय
 ECAD 7750 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmke3400 तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 8,000 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 118mcd rana,, 185mcd rana 1.9v ranak 20ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
VLMKE3401-GS08 Vishay Semiconductor Opto Division VLMKE3401-GS08 0.4600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमहता के बारे में बात Vlm.3 R टेप ray ryील (ther) शिर 3.00 मिमी एल x 2.80 डब मिमी मिमी मिमी सतह rurcur 4-एसएमडी, जे-लीड - Vlmke3401 तंग 1.85 मिमी 4-पीएलसीसी तंग Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8541.41.0000 1,500 कमाई सिपाही २.४० वास - शिलालेख 106mcd rana, 168mcd rana 1.9v ranak 20ma ranauk 120 ° 630nm Sanaun 643nm rana, 590nm Sana
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