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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
CRCW08051R47FKEA Vishay Dale CRCW08051R47FKEA 0.0092
सराय
ECAD 1054 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW0805 1.47 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW08052R00FKEA Vishay Dale CRCW08052R00FKEA 0.1000
सराय
ECAD 28 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW0805 2 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW08052R05FKEA Vishay Dale CRCW08052R05FKEA 0.0092
सराय
ECAD 7106 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW0805 2.05 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW08052R15FKEA Vishay Dale CRCW08052R15FKEA 0.1000
सराय
ECAD 5528 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW0805 2.15 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25121R33FKEG Vishay Dale CRCW25121R33FKEG 0.0666
सराय
ECAD 9390 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 1.33 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25121R69FKEG Vishay Dale CRCW25121R69FKEG 0.0666
सराय
ECAD 7763 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 1.69 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25122R61FKEG Vishay Dale CRCW25122R61FKEG 0.0666
सराय
ECAD 8427 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 2.61 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25122R70FKEG Vishay Dale CRCW25122R70FKEG 0.0666
सराय
ECAD 7543 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 2.7 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25123R32FKEG Vishay Dale CRCW25123R32FKEG 0.0666
सराय
ECAD 6178 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 3.32 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25123R48FKEG Vishay Dale CRCW25123R48FKEG 0.0666
सराय
ECAD 2264 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 3.48 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25123R65FKEG Vishay Dale CRCW25123R65FKEG 0.0666
सराय
ECAD 5743 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 3.65 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW25124R32FKEG Vishay Dale CRCW25124R32FKEG 0.0666
सराय
ECAD 2091 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.248 "एल x 0.124" डबthutum (6.30 मिमी x 3.15 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2512 4.32 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20101R30FKEF Vishay Dale CRCW20101R30FKEF 0.0535
सराय
ECAD 4303 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2010 1.3 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20102R94FKEF Vishay Dale CRCW20102R94FKEF 0.0385
सराय
ECAD 7515 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2010 2.94 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20104R30FKEF Vishay Dale CRCW20104R30FKEF 0.0535
सराय
ECAD 12 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2010 4.3 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20105R10FKEF Vishay Dale CRCW20105R10FKEF 0.4300
सराय
ECAD 6994 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2010 5.1 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRCW20108R06FKEF Vishay Dale CRCW20108R06FKEF 0.0565
सराय
ECAD 9608 0.00000000 तंग सराय R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 CRCW2010 8.06 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF1001 Rohm Semiconductor ESR03EZPF1001 0.1400
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1 कांप ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF4301 Rohm Semiconductor ESR03EZPF4301 0.1400
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ४.३ कोहम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPJ620 Rohm Semiconductor ESR03EZPJ620 0.1300
सराय
ECAD 104 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 62 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPJ683 Rohm Semiconductor ESR03EZPJ683 0.1300
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 68 कांप ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF1003 Rohm Semiconductor ESR10EZPF1003 0.2000
सराय
ECAD 477 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 100 कांप ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF1101 Rohm Semiconductor ESR10EZPF1101 0.2000
सराय
ECAD 45 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १.१ सन्निक ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF19R1 Rohm Semiconductor ESR10EZPF19R1 0.0239
सराय
ECAD 9217 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 19.1 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF2203 Rohm Semiconductor ESR10EZPF2203 0.2000
सराय
ECAD 6266 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 220 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF3001 Rohm Semiconductor ESR10EZPF3001 0.2000
सराय
ECAD 88 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३ कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF56R0 Rohm Semiconductor ESR10EZPF56R0 0.2000
सराय
ECAD 54 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 56 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF82R0 Rohm Semiconductor ESR10EZPF82R0 0.2000
सराय
ECAD 2124 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 82 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPJ561 Rohm Semiconductor ESR18EZPJ561 0.2000
सराय
ECAD 14 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 560 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF33R0 Rohm Semiconductor ESR18EZPF33R00 0.1700
सराय
ECAD 59 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 33 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम