आरएफक्यू
बीओएम
हमसे संपर्क करें

दूरभाष: +86-0755-83501315

ईमेल:sales@sic-components.com

दाखिल करना

हिंदी

रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S41X083911JP	0.0226	सराय	5878	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083911JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	910	तमाम	4	-	-	8	31MW
S42C083511FP	0.0914	सराय	6819	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083511FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	510	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083242GP	0.0560	सराय	3756	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083242GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	2.4k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
77081102p	0.6400	सराय	3	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-81-R1KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	1k	तमाम	7	-	-	8	100MW
767145191AP	1.3100	सराय	17	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	767-145-R330/470p	Ear99	8533.21.0010	48	330, 470	सींग	24	-	-	14	100MW
S41X083513JP	0.0226	सराय	9919	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083513JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	51K	तमाम	4	-	-	8	31MW
S42C043151GP	0.0600	सराय	4492	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043151GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	तमाम	2	-	-	4	63MW
752243330GP	1.6161	सराय	6418	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	33	तमाम	12	-	-	24	160MW
RT2723B6	-	सराय	9409	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.400 "एल X 0.200" lemuthum (10.16 मिमी x 5.08 मिमी मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((10.16x5.08)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	140, 165	सींग	24	-	-	32	68MW
770103512p	0.6528	सराय	5389	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-103-R5.1KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	5.1k	तमाम	5	-	-	10	100MW
S42C083220GP	0.0813	सराय	1248	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083220GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	22	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X043241GP	0.0240	सराय	2725	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043241GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	240	तमाम	2	-	-	4	63MW
767163392GP	1.2132	सराय	2612	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	767-163-r3.9kp	Ear99	8533.21.0010	43	3.9K	तमाम	8	-	-	16	200MW
744C043223JP	-	सराय	7991	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "एल x 0.100" डबthuthut (3.20 मिमी x 2.54 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1210 (3225 मीटthurिक), अवतल	744C043	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	22k	तमाम	2	-	-	4	125MW
S41X083132FP	0.0311	सराय	6182	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083132FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.3k	तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083304GP	0.0495	सराय	2896	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083304GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	300k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083272JP	0.0481	सराय	5368	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083272JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	2.7k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
766161682GP	1.2910	सराय	2422	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	766-161-R6.8KP	Ear99	8533.21.0010	49	6.8k	तमाम	15	-	-	16	80MW
77081221p	0.6300	सराय	615	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-81-R220P	Ear99	8533.21.0050	1,000	220	तमाम	7	-	-	8	100MW
745C101152JP	0.1408	सराय	9520	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,	745C101	± 250ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	1.5k	तमाम	8	-	-	10	63MW
S42C163431JP	0.1518	सराय	8830	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163431JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	430	तमाम	8	-	-	16	63MW
752125201APTR7	1.6251	सराय	3521	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	220, 1.8K	सींग	20	-	-	12	80MW
S41X043682GP	0.0240	सराय	3673	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043682GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	6.8k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083333JP	0.0412	सराय	5797	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083333JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	33k	तमाम	4	-	-	8	63MW
770101391p	0.7800	सराय	839	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-101-R390P	Ear99	8533.21.0050	1,000	390	तमाम	9	-	-	10	100MW
752103330GPTR13	1.2166	सराय	5742	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	33	तमाम	5	-	-	10	160MW
S42C083132JP	0.0680	सराय	4414	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083132JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.3k	तमाम	4	-	-	8	63MW
767161334GP	1.2132	सराय	9121	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	767-161-R330KP	Ear99	8533.21.0010	43	330K	तमाम	15	-	-	16	100MW
766141512GP	1.2910	सराय	2719	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	766-141-R5.1KP	Ear99	8533.21.0010	56	5.1k	तमाम	13	-	-	14	80MW
752181104GP	1.6934	सराय	8233	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	100k	तमाम	16	-	-	18	80MW