आरएफक्यू
बीओएम
हमसे संपर्क करें

दूरभाष: +86-0755-83501315

ईमेल:sales@sic-components.com

दाखिल करना

हिंदी

रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
741C083154JP	0.0184	सराय	2936	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	150k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083204GP	0.0560	सराय	9853	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083204GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	200k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C043470JP	0.0508	सराय	8309	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043470JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	47	तमाम	2	-	-	4	63MW
752163470GP	1.6161	सराय	2189	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	47	तमाम	8	-	-	16	160MW
743C08349R9FP	-	सराय	6647	सीटीएस rayr उत	*	R टेप ray ryील (ther)	शिर											तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)		60-743C08349R9FPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
752101681GPTR13	1.2166	सराय	3117	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	680	तमाम	9	-	-	10	80MW
S40X043114JP	0.0901	सराय	4609	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,		± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043114JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	110k	तमाम	2	-	-	4	31MW
767161394GP	1.2132	सराय	6426	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	390K	तमाम	15	-	-	16	100MW
768163183GP	1.2132	सराय	3971	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	18 k	तमाम	8	-	-	16	200MW
S42C043272FP	0.0693	सराय	2749	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043272FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.7k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043513FP	0.0693	सराय	3292	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043513FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	51K	तमाम	2	-	-	4	63MW
743C04322222JP	-	सराय	9794	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	2.2K	तमाम	2	-	-	4	100MW
S40X043561JP	0.0901	सराय	1070	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,		± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043561JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	560	तमाम	2	-	-	4	31MW
767163103JP	-	सराय	3033	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर											तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767163103JP	Ear99	8533.21.0020	43
RT1417B7TR13	-	सराय	5162	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.315 "एल X 0.118" डब extuntur (8.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए		± 200ppm/° C	24-((8x3)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	4.7k	सींग	16	-	-	24	५० तंग
766143272GPTR13	1.1757	सराय	4023	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	2.7k	तमाम	7	-	-	14	160MW
753163182GPTR7	2.0285	सराय	5759	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	1.8k	तमाम	8	-	-	16	80MW
S42C083620JP	0.0680	सराय	4729	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083620JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	62	तमाम	4	-	-	8	63MW
767161102JPTR13	-	सराय	5246	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर											तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767161102JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
S41C083203FP	0.0653	सराय	2977	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083203FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	20k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C04322222GP	0.0600	सराय	9674	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043222GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.2K	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083364GP	0.0813	सराय	5475	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083364GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	360K	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043181JP	0.0508	सराय	6451	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043181JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	180	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083113FP	0.0914	सराय	3149	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083113FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	11k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X083113GP	0.0269	सराय	5039	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083113GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	11k	तमाम	4	-	-	8	31MW
752241182GPTR7	1.6934	सराय	4832	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	1.8k	तमाम	22	-	-	24	80MW
741x1631001fp	0.1102	सराय	8288	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र	741x163	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	1k	तमाम	8	-	-	16	63MW
743C083474JP	-	सराय	3187	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	470K	तमाम	4	-	-	8	100MW
767163274GP	1.2132	सराय	9312	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	270k	तमाम	8	-	-	16	200MW
766141684GP	1.2910	सराय	9999	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	680k	तमाम	13	-	-	14	80MW