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रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S42C043221GP	0.0600	सराय	4876	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043221GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220	तमाम	2	-	-	4	63MW
RT1406B6	-	सराय	5283	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1	-	-		-	-		-
766161824GP	1.2910	सराय	4224	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	820K	तमाम	15	-	-	16	80MW
743C083153JP	-	सराय	6939	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	15k	तमाम	4	-	-	8	100MW
766161151g	-	सराय	1771	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	150	तमाम	15	-	-	16	80MW
S42X083243JP	0.0412	सराय	5783	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083243JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	24k	तमाम	4	-	-	8	63MW
752101221GPTR13	1.2166	सराय	4643	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	220	तमाम	9	-	-	10	80MW
768161123G	-	सराय	7250	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-161-R12K	Ear99	8533.21.0010	43	12k	तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C163160JP	0.1518	सराय	4273	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163160JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	16	तमाम	8	-	-	16	63MW
768143680G	-	सराय	7887	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-143-R68	Ear99	8533.21.0010	48	68	तमाम	7	-	-	14	200MW
766165601APTR7	1.7098	सराय	7396	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	1.2k	सींग	28	-	-	16	80MW
77061563p	0.6488	सराय	4424	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप	± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-61-R56KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	56K	तमाम	5	-	-	6	100MW
743C083390JP	-	सराय	7260	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	39	तमाम	4	-	-	8	100MW
RT204B7TR13	-	सराय	2714	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	4,000	-	-		-	-		-
RT2460B7TR7	-	सराय	8141	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lectus 0.157" डबchauth, (9.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	36-एलबीजीए	± 200ppm/° C	36-((9x4)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	50	सींग	18	-	-	36	५० तंग
77081823p	0.6179	सराय	1565	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप	± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-81-R82KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	82K	तमाम	7	-	-	8	100MW
766161684G	-	सराय	6031	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	680k	तमाम	15	-	-	16	80MW
S41C083203JP	0.0481	सराय	2357	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083203JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	20k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42X083244JP	0.0412	सराय	5684	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083244JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	240k	तमाम	4	-	-	8	63MW
767143183GPTR13	1.1757	सराय	4766	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	18 k	तमाम	7	-	-	14	200MW
S42C0431111JP	0.0508	सराय	5280	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043111JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	110	तमाम	2	-	-	4	63MW
766163152JPTR7	-	सराय	9439	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर										तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163152JPTR7TR	Ear99	8533.21.0020	800
766141184GPTR13	1.1757	सराय	7845	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	180k	तमाम	13	-	-	14	80MW
S42C163101JP	0.1518	सराय	7945	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163101JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	100	तमाम	8	-	-	16	63MW
766141223G	-	सराय	1115	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	22k	तमाम	13	-	-	14	80MW
766141512GPTR7	1.2910	सराय	9722	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	5.1k	तमाम	13	-	-	14	80MW
770101151p	0.7800	सराय	952	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप	± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R150p	Ear99	8533.21.0050	1,000	150	तमाम	9	-	-	10	100MW
S42X083272FP	0.0560	सराय	1474	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083272FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	2.7k	तमाम	4	-	-	8	63MW
77081512p	0.6179	सराय	1315	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप	± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-81-R5.1kp	Ear99	8533.21.0050	1,000	5.1k	तमाम	7	-	-	8	100MW
770101562p	0.7800	सराय	739	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप	± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R5.6KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	5.6k	तमाम	9	-	-	10	100MW