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रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
77063470p	0.6179	सराय	7947	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप		± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-63-R47P	Ear99	8533.21.0050	1,000	47	तमाम	3	-	-	6	100MW
77085121/195 पी	-	सराय	1459	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-85-R121/195p	Ear99	8533.21.0050	250	121, 195	सींग	12	-	-	8	100MW
752081103JPTR7	-	सराय	2650	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	10k	तमाम	7	-	-	8	80MW
745C101103JTR	-	सराय	1143	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,	745C101	± 250ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	10k	तमाम	8	-	-	10	63MW
RT2415B7TR13	-	सराय	5206	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.157 "एक एल lectus 0.118" letcum (4.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	12-एलबीजीए		± 200ppm/° C	12-((4x3)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	4.7k	सींग	8	-	-	12	५० तंग
766161512G	-	सराय	6158	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	5.1k	तमाम	15	-	-	16	80MW
744C083751JP	-	सराय	8186	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर								744C083			तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-744C083751JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
766141184GPTR7	1.2910	सराय	4387	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	180k	तमाम	13	-	-	14	80MW
767161561G	-	सराय	6908	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	560	तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C043164JP	0.0508	सराय	8722	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043164JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	160k	तमाम	2	-	-	4	63MW
767141274G	-	सराय	6978	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	270k	तमाम	13	-	-	14	100MW
752091333GP	1.5389	सराय	8643	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	33k	तमाम	8	-	-	9	80MW
742C08327R0FP	0.0487	सराय	3051	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	27	तमाम	4	-	-	8	63MW
768143181GPTR13	1.1899	सराय	6314	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	180	तमाम	7	-	-	14	200MW
743C083513JTR	-	सराय	3778	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	51K	तमाम	4	-	-	8	100MW
741C083390J	-	सराय	2735	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	39	तमाम	4	-	-	8	63MW
767163474G	-	सराय	1881	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	470K	तमाम	8	-	-	16	200MW
766141123G	-	सराय	3060	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	12k	तमाम	13	-	-	14	80MW
770103103p	0.6528	सराय	2817	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	1,000	10k	तमाम	5	-	-	10	100MW
742C083180JP	0.0282	सराय	8842	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	18	तमाम	4	-	-	8	63MW
77061184p	0.6488	सराय	8447	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप		± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-61-R180KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	180k	तमाम	5	-	-	6	100MW
770103104	-	सराय	4036	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	100k	तमाम	5	-	-	10	100MW
767161750GP	1.2132	सराय	6222	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	75	तमाम	15	-	-	16	100MW
S41X043121JP	0.0198	सराय	1240	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043121JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	120	तमाम	2	-	-	4	63MW
768161331GP	1.2132	सराय	1156	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	330	तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C083223FP	0.0914	सराय	3665	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083223FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	22k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083432GP	0.0495	सराय	4830	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083432GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	4.3k	तमाम	4	-	-	8	63MW
770103394	-	सराय	2098	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	390K	तमाम	5	-	-	10	100MW
S41X043470GP	0.0240	सराय	6810	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043470GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	47	तमाम	2	-	-	4	63MW
77081222	-	सराय	1835	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	2.2K	तमाम	7	-	-	8	100MW