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रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S41X083513FP	0.0311	सराय	1715	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083513FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	51K	तमाम	4	-	-	8	31MW
768163102JP	-	सराय	2763	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर										तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-768163102JP	Ear99	8533.21.0020	43
S41X043160JP	0.0198	सराय	6426	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043160JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	16	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083241FP	0.0914	सराय	8295	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083241FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	240	तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043221JP	0.0901	सराय	5423	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043221JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220	तमाम	2	-	-	4	31MW
RT2469B6TR7	-	सराय	9943	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000	-	-		-	-		-
743C043562JP	-	सराय	7587	सीटीएस rayr उत	*	R टेप ray ryील (ther)	शिर										तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-743C043562JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
S41X083333JP	0.0226	सराय	7460	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083333JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	33k	तमाम	4	-	-	8	31MW
752091561JPTR13	-	सराय	7741	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर										तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752091561JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	5,000
770103272p	0.6528	सराय	9019	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप	± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-103-R2.7KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	2.7k	तमाम	5	-	-	10	100MW
S41X043223JP	0.0198	सराय	1993	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043223JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	22k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083150FP	0.0311	सराय	5239	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083150FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	15	तमाम	4	-	-	8	31MW
77061473	-	सराय	3028	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप	± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	47K	तमाम	5	-	-	6	100MW
S42C083562FP	0.0914	सराय	6962	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083562FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	5.6k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083123JP	0.0412	सराय	5902	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083123JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	12k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083393GP	0.0560	सराय	1343	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083393GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	39k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42X083223JP	0.0412	सराय	6578	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083223JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	22k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043183JP	0.0901	सराय	1380	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043183JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	18 k	तमाम	2	-	-	4	31MW
766141153GP	1.2910	सराय	5349	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	15k	तमाम	13	-	-	14	80MW
S41C083163JP	0.0481	सराय	5860	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083163JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	16k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
770103392p	0.6528	सराय	6926	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप	± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-103-R3.9kp	Ear99	8533.21.0050	1,000	3.9K	तमाम	5	-	-	10	100MW
752083101GPTR7	1.4693	सराय	2107	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	100	तमाम	4	-	-	8	160MW
768141151G	-	सराय	4226	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-141-R150	Ear99	8533.21.0010	48	150	तमाम	13	-	-	14	100MW
752181103GPTR7	1.6934	सराय	6675	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	10k	तमाम	16	-	-	18	80MW
S42X083511JP	0.0412	सराय	5520	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083511JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	510	तमाम	4	-	-	8	63MW
767163561GP	1.2132	सराय	1802	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-163-R560P	Ear99	8533.21.0010	43	560	तमाम	8	-	-	16	200MW
RT2723B6	-	सराय	9409	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.400 "एल X 0.200" lemuthum (10.16 मिमी x 5.08 मिमी मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए	± 200ppm/° C	32-((10.16x5.08)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	140, 165	सींग	24	-	-	32	68MW
S42C043163JP	0.0508	सराय	6283	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043163JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	16k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X043682GP	0.0240	सराय	3673	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043682GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	6.8k	तमाम	2	-	-	4	63MW
766143102GP	1.2910	सराय	2193	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R1KP	Ear99	8533.21.0010	56	1k	तमाम	7	-	-	14	160MW