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सोरस (103)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
CRMA1206AF14M0DKEF Vishay Techno CRMA1206AF14M0DKEF 0.6000
सराय
 ECAD 6057 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल x 0.063" डबthutum (3.18 मिमी x 1.60 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 14 कांपो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR10F20K0FKES Vishay Techno TR10F20K0FKES 8.7300
सराय
 ECAD 100 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.000 "एल X 0.125" डब excum (25.40 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल २ re ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR10F20K0FKES Ear99 8533.21.0090 100 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2010AF499KDKEF Vishay Techno CRMA2010AF499KDKEF 0.7600
सराय
 ECAD 5279 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.200 "एल X 0.100" डब.08 मिमी मिमी मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 ४ ९९ कोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1206AF6M00DKEF Vishay Techno CRMA1206AF6M00DKEF 0.6000
सराय
 ECAD 8511 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल x 0.063" डबthutum (3.18 मिमी x 1.60 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 6 कांवो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1210AF120KDKEF Vishay Techno CRMA1210AF120KDKEF 0.5600
सराय
 ECAD 3231 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल X 0.100" डब exprum (3.18 मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 १२० सिपाही ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR15G330KFKES Vishay Techno TR15G330KFKES 11.6800
सराय
 ECAD 100 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.500 "एल X 0.125" lemuthum (38.10 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल ३३० सिपाही ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR15G330KFKES Ear99 8533.21.0090 100 1.5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR10F5M00FKES Vishay Techno TR10F5M00FKES 8.7300
सराय
 ECAD 497 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.000 "एल X 0.125" डब extur (25.40 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल ५ मोहम ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR10F5M00FKES Ear99 8533.21.0090 100 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR05D1M50FKES Vishay Techno TR05D1M50FKES 8.3400
सराय
 ECAD 2537 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.500 "एल x 0.125" PARCUTHUT (12.70 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.330 "(8.38 मिमी) रत्न उचmuth वोल 1.5 मोहम ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR05D1M50FKES Ear99 8533.21.0090 100 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR15G250MFNES Vishay Techno TR15G250MFNES 9.7400
सराय
 ECAD 72 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.500 "एल X 0.125" lemuthum (38.10 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल 250 MOHMS ± 200ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR15G250MFNES Ear99 8533.21.0090 100 1.5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR15G4M00FKES Vishay Techno TR15G4M00FKES 11.6800
सराय
 ECAD 30 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.500 "एल X 0.125" lemuthum (38.10 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल 4 मोहम ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR15G4M00FKES Ear99 8533.21.0090 100 1.5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TR20H100MFNES Vishay Techno TR20H100MFNES 9.9400
सराय
 ECAD 100 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 2.000 "of x 0.125" डब80 (50.80 मिमी x 3.18 मिमी मिमी) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल 100 कांप ± 200ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR20H100MFNES Ear99 8533.21.0090 100 २ तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
FHV100100MFKEB Vishay Techno FHV100100MFKEB 9.0200
सराय
 ECAD 90 0.00000000 वििशे टेक रोटी थोक शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.070 "एल X 0.125" डबthuntun 0.360 "(9.14 मिमी) रत्न उचth वोल 100 कांप ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-FHV100100MFKEB Ear99 8533.21.0090 100 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
FHV2001G00GNEB Vishay Techno FHV2001G00GNEB 10.2300
सराय
 ECAD 198 0.00000000 वििशे टेक रोटी थोक शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 2.040 "एल X 0.125" letcuntun 0.410 "(10.41 मिमी) रत्न उचth वोल 1 गोहम ± 200ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-FHV2001G00GNEB Ear99 8533.21.0090 100 २ तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2512AF50M0DKEF Vishay Techno CRMA2512AF50M0DKEF 1.5600
सराय
 ECAD 4209 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.250 "एल x 0.126" डबmuthut (6.35 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ५० ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1206AF3M30DKEF Vishay Techno CRMA1206AF3M30DKEF 0.6000
सराय
 ECAD 8516 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल x 0.063" डबthutum (3.18 मिमी x 1.60 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ३.3 ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2010AF2M70DKEF Vishay Techno CRMA2010AF2M70DKEF 0.7600
सराय
 ECAD 2204 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.200 "एल X 0.100" डब.08 मिमी मिमी मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 २. मोहम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2010AF47K0DKEF Vishay Techno CRMA2010AF47K0DKEF 0.7600
सराय
 ECAD 3100 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.200 "एल X 0.100" डब.08 मिमी मिमी मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 47 ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2512AF2M20DKEF Vishay Techno CRMA2512AF2M20DKEF 1.5600
सराय
 ECAD 5374 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.250 "एल x 0.126" डबmuthut (6.35 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 २.२ किलो ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1206AF4M70DKEF Vishay Techno CRMA1206AF4M70DKEF 0.6000
सराय
 ECAD 2608 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल x 0.063" डबthutum (3.18 मिमी x 1.60 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ४.7 ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CDMM1M50F2500FET Vishay Techno CDMM1M50F2500FET 3.7300
सराय
 ECAD 248 0.00000000 वििशे टेक सीडीएमएम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, SAUTUS KANARAIR (tcr मैचtur) 0.455 "एल x 0.275" डबmuntum (11.56 मिमी x 6.98 मिमी) 0.177 "(4.49 मिमी) सतह rurcur 4527 लीड-लीड ± 100ppm/° C 4527 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 250 1.5 पेर अफ़सीर 2 ± 1% ± 10 the/डिगthirी सेल 3 1.5W
CRHV1206AF100MFKET Vishay Techno CRHV1206AF100MFKET 5.9600
सराय
 ECAD 135 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.125 "एल x 0.063" डबthutum (3.18 मिमी x 1.60 मिमी) 0.027 "(0.69 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) उचmuth वोल 100 कांप ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 3579-CRHV1206AF100MFKETCTCT Ear99 8533.21.0030 250 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1210AF62K0DKEF Vishay Techno CRMA1210AF62K0DKEF 0.5600
सराय
 ECAD 6751 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल X 0.100" डब exprum (3.18 मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ६२ सटेन ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CDMM10M0F4000FET Vishay Techno CDMM10M0F4000FET 3.7300
सराय
 ECAD 250 0.00000000 वििशे टेक सीडीएमएम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, SAUTUS KANARAIR (tcr मैचtur) 0.455 "एल x 0.275" डबmuntum (11.56 मिमी x 6.98 मिमी) 0.177 "(4.49 मिमी) सतह rurcur 4527 लीड-लीड ± 100ppm/° C 4527 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 250 10 पारी अफ़सीर 2 ± 1% ± 10 the/डिगthirी सेल 3 1.5W
TR15G10M0FKES Vishay Techno TR15G10M0FKES 11.6800
सराय
 ECAD 94 0.00000000 वििशे टेक । कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 1.500 "एल X 0.125" lemuthum (38.10 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.385 "(9.78 मिमी) रत्न उचmuth वोल 10 कांपो ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-TR15G10M0FKES Ear99 8533.21.0090 100 1.5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
FHV50020M0FKEB Vishay Techno FHV50020M0FKEB 16.5300
सराय
 ECAD 9024 0.00000000 वििशे टेक रोटी कांपना शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 2.070 "एल X 0.125" डबmuthut (52.58 मिमी x 3.18 मिमी)) 0.630 "(16.00 मिमी) रत्न उचth वोल २ re ± 100ppm/° C - रत्न तंग Rohs3 आजthabaira तंग 3579-FHV50020M0FKEB Ear99 8533.21.0090 100 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CDMM2M00F5000DET Vishay Techno CDMM2M00F5000DET 4.0700
सराय
 ECAD 7737 0.00000000 वििशे टेक सीडीएमएम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, SAUTUS KANARAIR (tcr मैचtur) 0.455 "एल x 0.275" डबmuntum (11.56 मिमी x 6.98 मिमी) 0.177 "(4.49 मिमी) सतह rurcur 4527 लीड-लीड ± 100ppm/° C 4527 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 250 2 मी अफ़सीर 2 ± 0.5% ± 10 the/डिगthirी सेल 3 1.5W
CRMA1210AF3M00DKEF Vishay Techno CRMA1210AF3M00DKEF 0.5600
सराय
 ECAD 8436 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल X 0.100" डब exprum (3.18 मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ३ मोहम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA1210AF549KDKEF Vishay Techno CRMA1210AF549KDKEF 0.5600
सराय
 ECAD 9313 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.125 "एल X 0.100" डब exprum (3.18 मिमी x 2.54 मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ५४ ९ किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 0.35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2512AF499KDKEF Vishay Techno CRMA2512AF499KDKEF 1.5600
सराय
 ECAD 9905 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.250 "एल x 0.126" डबmuthut (6.35 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ४ ९९ कोहम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
CRMA2512AF20M0DKEF Vishay Techno CRMA2512AF20M0DKEF 1.5600
सराय
 ECAD 2606 0.00000000 वििशे टेक एक प्रकार का R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.250 "एल x 0.126" डबmuthut (6.35 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.029 "(0.74 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 २ re ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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