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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
MCR18EZHF31R6 Rohm Semiconductor MCR18EZHF31R6 -
सराय
 ECAD 1937 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 31.6 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHF6190 Rohm Semiconductor MCR25JZHF6190 -
सराय
 ECAD 1766 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 619 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF36R0 Rohm Semiconductor MCR10EZHF36R0 -
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 ECAD 6068 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 36 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF11R5 Rohm Semiconductor MCR10ERTF11R5 0.1000
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 ECAD 865 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 11.5 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF17R4 Rohm Semiconductor MCR03ERTF17R4 -
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 ECAD 9693 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 17.4 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ241 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ241 -
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 ECAD 2180 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 240 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR10ERTF93R1 Rohm Semiconductor MCR10ERTF93R1 -
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 ECAD 2892 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 93.1 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14ERAPJ153 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ153 -
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 ECAD 2057 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 15k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR10EZPF13R3 Rohm Semiconductor MCR10EZPF13R3 -
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 ECAD 7118 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 13.3 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHJ241 Rohm Semiconductor MCR10EZHJ241 -
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 ECAD 5496 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 240 ओम ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPJ624 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ624 -
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 ECAD 5070 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 620 कोहम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR02M0AJ560 Rohm Semiconductor MNR02M0AJ560 -
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 ECAD 2791 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 300ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 10,000 56 तमाम 2 - - 4 62.5MW
MNR14E0APJ203 Rohm Semiconductor MNR14E0APJ203 -
सराय
 ECAD 4863 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 20k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR18EZHJSR082 Rohm Semiconductor MCR18EZHJSR082 -
सराय
 ECAD 8267 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 82 किलो 200/ +800ppm/ ° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR32J0ABJ471 Rohm Semiconductor MNR32J0ABJ471 -
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 ECAD 8849 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.122 "एल X 0.102" डब expriguth (3.10 मिमी x 2.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur १२१०, क्योर, लंबे antauth इड ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 470 तमाम 2 - - 4 125MW
KTR18EZPJ430 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ430 0.0191
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 ECAD 9936 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 43 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF3002 Rohm Semiconductor MCR10ERTF3002 -
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 ECAD 9205 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - ३० ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF5101 Rohm Semiconductor MCR18ERTF5101 -
सराय
 ECAD 1971 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - ५.१ कोहम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF2870 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2870 0.1700
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 287 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHF60R4 Rohm Semiconductor MCR18EZHF60R4 -
सराय
 ECAD 3874 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 60.4 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ821 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ821 -
सराय
 ECAD 4790 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 820 तमाम 4 - - 8 62.5MW
KTR18EZPF14R0 Rohm Semiconductor KTR18EZPF14R0 0.0302
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 ECAD 7286 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 14 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF22R0 Rohm Semiconductor MCR03ERTF22R0 -
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 ECAD 8251 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 22 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR04M0ABJ103 Rohm Semiconductor MNR04M0ABJ103 -
सराय
 ECAD 2224 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 300ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 10,000 10k तमाम 4 - - 8 62.5MW
ESR10EZPF7681 Rohm Semiconductor ESR10EZPF7681 0.0239
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 ECAD 3446 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 7.68 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF2741 Rohm Semiconductor LTR18EZPF2741 0.2400
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 2.74 कोहम ± 100ppm/° C - 0612 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZPJ750 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ750 -
सराय
 ECAD 5832 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 75 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF4642 Rohm Semiconductor MCR01MRTF4642 0.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - ४६.४ सन्न ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14ERAPJ201 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ201 -
सराय
 ECAD 8269 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 200 तमाम 4 - - 8 62.5MW
ESR25JZPF1R50 Rohm Semiconductor ESR25JZPF1R50 0.0700
सराय
 ECAD 5260 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.5 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.667W, 2/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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AD9208BBPZ-3000

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