SIC
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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
KTR18EZPF2150 Rohm Semiconductor KTR18EZPF2150 0.0302
सराय
 ECAD 2168 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 215 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ135 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ135 -
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 ECAD 1338 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - १.३ सटेन ± 200ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPJ393 Rohm Semiconductor Ltr50uzpj393 0.0916
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 ECAD 6115 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३ ९ ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF8062 Rohm Semiconductor KTR10EZPF8062 0.2200
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 80.6 ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF4991 Rohm Semiconductor SFR03EZPF4991 0.0162
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 ECAD 5888 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 4.99 किलो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF4991TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF82R5 Rohm Semiconductor ESR18EZPF82R5 0.0207
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 ECAD 9807 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 82.5 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHF5900 Rohm Semiconductor MCR25JZHF5900 -
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 ECAD 2853 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 590 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF8661 Rohm Semiconductor ESR18EZPF8661 0.0207
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 ECAD 3289 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 8.66 किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EVHFSR051 Rohm Semiconductor LTR10EVHFSR051 0.6300
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 सींत एईसी-क्यू 200 ५१ सन्नू ± 150ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHF3572 Rohm Semiconductor MCR18EZHF3572 -
सराय
 ECAD 9134 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 35.7 किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHJ2R4 Rohm Semiconductor MCR100JZHJ2R4 -
सराय
 ECAD 8739 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 2.4 ओम ± 500ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF6200 Rohm Semiconductor MCR10ERTF6200 -
सराय
 ECAD 4590 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 620 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHF1273 Rohm Semiconductor MCR25JZHF1273 -
सराय
 ECAD 5546 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 127 इकम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EZPJ512 Rohm Semiconductor LTR10EZPJ512 0.1800
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ५.१ कोहम ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF39R0 Rohm Semiconductor SFR01MZPF39R0 0.0146
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 ECAD 6214 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 39 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF39R0TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2610 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2610 -
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 ECAD 1688 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 261 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF2051 Rohm Semiconductor MCR10EZPF2051 -
सराय
 ECAD 6646 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 2.05 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPFSR018 Rohm Semiconductor LTR18EZPFSR018 0.5900
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.027 "(0.68 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 सींत एईसी-क्यू 200 18 कांपो 0/ +300ppm/ ° C - 0612 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-LTR18EZPFSR018TR Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHJLR39 Rohm Semiconductor MCR25JZHJLR39 -
सराय
 ECAD 9465 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 ३ ९ ० ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF80R6 Rohm Semiconductor KTR18EZPF80R6 0.0302
सराय
 ECAD 7070 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 80.6 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR50JZHF93R1 Rohm Semiconductor MCR50JZHF93R1 -
सराय
 ECAD 8244 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 93.1 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ243 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ243 0.2800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २ कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPD2200 Rohm Semiconductor SDR10EZPD2200 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 220 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF2743 Rohm Semiconductor MCR10ERTF2743 0.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 274 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF2490 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2490 0.2200
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 ECAD 57 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 249 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF2263 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2263 0.0270
सराय
 ECAD 3684 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 २२६ सन्निक ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHFL1R00 Rohm Semiconductor MCR10EZHFL1R00 -
सराय
 ECAD 2637 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 1 ओम ± 250ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF13R3 Rohm Semiconductor MCR18ERTF13R3 -
सराय
 ECAD 6952 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 13.3 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100LJZPFSR033 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR033 1.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.122 "एल x 0.252" डबthutugh (3.10 मिमी x 6.40 मिमी) 0.029 "(0.73 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 सींत एईसी-क्यू 200 ३३ सन्निक 0/ +200ppm/ ° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR50JZHF1473 Rohm Semiconductor MCR50JZHF1473 -
सराय
 ECAD 4504 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 147 इकम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

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