SIC
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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
MCR18ERTF13R3 Rohm Semiconductor MCR18ERTF13R3 -
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 ECAD 6952 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 13.3 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF2743 Rohm Semiconductor MCR10ERTF2743 0.1000
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 274 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHFL1R00 Rohm Semiconductor MCR10EZHFL1R00 -
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 ECAD 2637 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 1 ओम ± 250ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPD2200 Rohm Semiconductor SDR10EZPD2200 0.3700
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 220 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHF6193 Rohm Semiconductor MCR18EZHF6193 -
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 ECAD 8540 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 619 कोहम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF1600 Rohm Semiconductor MCR01MRTF1600 -
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 ECAD 6621 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 160 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPJ244 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ244 0.2200
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 240 ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ624 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ624 0.1000
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 620 कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF2403 Rohm Semiconductor MCR01MRTF2403 -
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 ECAD 2065 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 240 ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF2263 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2263 0.0270
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 ECAD 3684 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 २२६ सन्निक ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZHF2003 Rohm Semiconductor MCR03EZHF2003 -
सराय
 ECAD 9356 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - २०० ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Q3438312 Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF2490 Rohm Semiconductor KTR10EZPF2490 0.2200
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 ECAD 57 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 249 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100LJZPFSR033 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR033 1.3400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.122 "एल x 0.252" डबthutugh (3.10 मिमी x 6.40 मिमी) 0.029 "(0.73 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 सींत एईसी-क्यू 200 ३३ सन्निक 0/ +200ppm/ ° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR50JZHF93R1 Rohm Semiconductor MCR50JZHF93R1 -
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 ECAD 8244 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 93.1 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF24R0 Rohm Semiconductor ESR03EZPF24R0 0.0175
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 ECAD 9923 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 24 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPF1R00 Rohm Semiconductor SDR03EZPF1R00 0.1600
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 ECAD 6 0.00000000 रोटी SDR03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF12R0 Rohm Semiconductor MCR10EZPF12R0 -
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 ECAD 1991 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 12 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YRTJ470 Rohm Semiconductor MCR006YRTJ470 0.1000
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 ECAD 14 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 47 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF1744 Rohm Semiconductor MCR10EZPF1744 -
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 ECAD 4589 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 1.74 मोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZPJ203 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ203 -
सराय
 ECAD 7032 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 २ re ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF6650 Rohm Semiconductor ESR18EZPF6650 0.0207
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 ECAD 2269 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 665 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF4421 Rohm Semiconductor MCR03ERTF4421 0.1000
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 4.42 कोहम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
UCR03EVPJLR20 Rohm Semiconductor UCR03EVPJLR20 0.2088
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 ECAD 4993 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल let let 0.034" डबthauth यू (1.60 मिमी x 0.87 मिमी मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सींत एईसी-क्यू 200 २०० 0/ +150ppm/ ° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF1804 Rohm Semiconductor KTR25JZPF1804 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 1.8 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR25JZPF2703 Rohm Semiconductor ESR25JZPF2703 0.0700
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 ECAD 5141 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 270 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.667W, 2/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHJLR15 Rohm Semiconductor MCR18EZHJLR15 -
सराय
 ECAD 8449 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 १५० किलो ± 250ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTJ1R0 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ1R0 -
सराय
 ECAD 3286 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 1 ओम ± 400ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHF4991 Rohm Semiconductor MCR25JZHF4991 -
सराय
 ECAD 4217 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 4.99 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPFX1911 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX1911 -
सराय
 ECAD 5485 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 1.91 किलो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHF1240 Rohm Semiconductor MCR100JZHF1240 -
सराय
 ECAD 2756 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 124 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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