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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न तमाम सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
MCR10EZPF9311 Rohm Semiconductor MCR10EZPF9311 -
सराय
 ECAD 8991 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 9.31 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ161 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ161 -
सराय
 ECAD 6558 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 160 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MNR18ERAPJ471 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ471 0.1000
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 ECAD 186 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "एल x 0.063" डबmuthut (4.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur 1606, अटम, सोरस ± 250ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 470 तमाम 8 - - 16 62.5MW
MNR14E0ABJ433 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ433 -
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 ECAD 7621 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 43k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR18ERTF2493 Rohm Semiconductor MCR18ERTF2493 -
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 ECAD 5382 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - २४ ९ ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR34J5ABJ100 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ100 -
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 ECAD 4989 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.205 "एल X 0.122" डब20 (5.20 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur 2012, क्यूट्यू, क्यूटस कन ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 10 तमाम 4 - - 8 125MW
KTR25JZPF1204 Rohm Semiconductor KTR25JZPF1204 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR34J5ABJ103 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ103 -
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 ECAD 8898 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.205 "एल X 0.122" डब20 (5.20 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur 2012, क्यूट्यू, क्यूटस कन ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 10k तमाम 4 - - 8 125MW
MNR18ERAPJ681 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ681 0.1000
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "एल x 0.063" डबmuthut (4.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur 1606, अटम, सोरस ± 250ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 680 तमाम 8 - - 16 62.5MW
SFR10EZPJ102 Rohm Semiconductor SFR10EZPJ102 0.1300
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) Rayr सल 1 कांप ± 200ppm/° C 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPJ274 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ274 0.1600
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 ECAD 32 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 270 किलो ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF4221 Rohm Semiconductor KTR10EZPF4221 0.2200
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 ECAD 16 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 ४.२२ सिन्ट ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14ERAPJ121 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ121 0.1000
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 ECAD 22 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 120 तमाम 4 - - 8 62.5MW
UCR01MVPJLR56 Rohm Semiconductor UCR01MVPJLR56 0.1185
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 ECAD 5773 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल x 0.022" डबthutum (1.00 मिमी x 0.55 मिमी) 0.017 "(0.43 मिमी) ०४०२ सींत एईसी-क्यू 200 ५६० सन्निक 0/ +200ppm/ ° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ272 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ272 -
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 ECAD 6206 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 2.7k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR03EZPFX4752 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX4752 -
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 ECAD 7841 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 47.5 अफ़म ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF4R70 Rohm Semiconductor KTR18EZPF4R70 0.2500
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 ECAD 356 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 4.7 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF5491 Rohm Semiconductor SFR03EZPF5491 0.0162
सराय
 ECAD 7721 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- ५.४ ९ कांपो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF5491TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHJ681 Rohm Semiconductor MCR100JZHJ681 0.2300
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 ECAD 11 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 680 ओम ± 200ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ201 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ201 -
सराय
 ECAD 3808 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 200 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MNR32J0ABJ473 Rohm Semiconductor MNR32J0ABJ473 -
सराय
 ECAD 2234 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.122 "एल X 0.102" डब expriguth (3.10 मिमी x 2.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur १२१०, क्योर, लंबे antauth इड ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 47K तमाम 2 - - 4 125MW
MNR14E0ABJ333 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ33333 -
सराय
 ECAD 1143 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 33k तमाम 4 - - 8 62.5MW
ESR01MZPJ2R2 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ2R2 0.2800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 2.2 ओम -250/ +500ppm/ ° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF1202 Rohm Semiconductor SFR01MZPF1202 0.0146
सराय
 ECAD 5368 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- १२ सन्निक ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF1202TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPFX26R7 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX26R7 -
सराय
 ECAD 1110 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 26.7 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR35J5RJ301 Rohm Semiconductor MNR35J5RJ301 -
सराय
 ECAD 4231 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur २५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 300 तमाम 8 - - 10 62.5MW
SFR10EZPF2401 Rohm Semiconductor SFR10EZPF2401 0.1700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- २.४ कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR34J5ABJ563 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ563 -
सराय
 ECAD 7134 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.205 "एल X 0.122" डब20 (5.20 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur 2012, क्यूट्यू, क्यूटस कन ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 56K तमाम 4 - - 8 125MW
MCR18ERTF15R0 Rohm Semiconductor MCR18ERTF15R0 0.1000
सराय
 ECAD 465 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 15 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPJ220 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ220 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 22 ओम ± 200ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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