SIC
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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
MCR18EZHF1502 Rohm Semiconductor MCR18EZHF1502 -
सराय
 ECAD 5434 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 15 कांपो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ132 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ132 -
सराय
 ECAD 1211 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - १.३ सटेन ± 200ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPJ274 Rohm Semiconductor KTR10EZPJ274 0.0191
सराय
 ECAD 9375 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 270 किलो ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF1004 Rohm Semiconductor MCR03ERTF1004 -
सराय
 ECAD 3045 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 1 कांप ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF25R5 Rohm Semiconductor KTR18EZPF25R5 0.0302
सराय
 ECAD 3712 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 25.5 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF2741 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2741 0.1400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 2.74 कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR35J5RJ152 Rohm Semiconductor MNR35J5RJ152 -
सराय
 ECAD 9953 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur २५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 1.5k तमाम 8 - - 10 62.5MW
MCR25JZHJ103 Rohm Semiconductor MCR25JZHJ103 -
सराय
 ECAD 2357 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 10 कांपो ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF30R0 Rohm Semiconductor SFR10EZPF30R0 0.1700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 30 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग 1 (असीमित) 511-SFR10EZPF30R0DKR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPJLR16 Rohm Semiconductor LTR18EZPJLR16 0.6500
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.027 "(0.68 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 सींत एईसी-क्यू 200 160 0/ +150ppm/ ° C - 0612 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPJ161 Rohm Semiconductor KTR25JZPJ161 0.0568
सराय
 ECAD 8353 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 160 ओम ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0ABJ124 Rohm Semiconductor MNR14E0ABJ124 -
सराय
 ECAD 3545 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 120k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR18EZHF3323 Rohm Semiconductor MCR18EZHF3323 -
सराय
 ECAD 1687 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 332 कोहम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF24R0 Rohm Semiconductor SFR03EZPF24R0 0.1300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 24 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF4871 Rohm Semiconductor KTR10EZPF4871 0.0270
सराय
 ECAD 7434 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 4.87 इलपो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHF6341 Rohm Semiconductor MCR18EZHF6341 -
सराय
 ECAD 4975 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 6.34 कोहम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR04M0ABJ241 Rohm Semiconductor MNR04M0ABJ241 -
सराय
 ECAD 1878 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 300ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 10,000 240 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR10ERTF29R4 Rohm Semiconductor MCR10ERTF29R4 -
सराय
 ECAD 1112 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 29.4 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
UCR006YVPFLR620 Rohm Semiconductor UCR006YVPFLR620 0.6500
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.024 "एल x 0.013" डबthutum (0.62 मिमी x 0.32 मिमी) 0.011 "(0.29 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) सींत एईसी-क्यू 200 620 मोहम 0/ +300ppm/ ° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-UCR006YVPFLR620CT Ear99 8533.21.0030 15,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTJ561 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ561 0.1000
सराय
 ECAD 45 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 560 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF9092 Rohm Semiconductor ESR10EZPF9092 0.0239
सराय
 ECAD 2306 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 90.9 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF1152 Rohm Semiconductor MCR10EZPF1152 -
सराय
 ECAD 4913 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 11.5 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF82R5 Rohm Semiconductor TRR01MZPF82R5 -
सराय
 ECAD 2579 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 82.5 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPJ3R0 Rohm Semiconductor KTR18EZPJ3R0 0.0191
सराय
 ECAD 1675 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 3 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPF1502 Rohm Semiconductor ESR01MZPF1502 0.3500
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 15 कांपो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-ESR01MZPF1502TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR34J5ABJ300 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ300 -
सराय
 ECAD 1939 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.205 "एल X 0.122" डब20 (5.20 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur 2012, क्यूट्यू, क्यूटस कन ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 30 तमाम 4 - - 8 125MW
ESR01MZPF1201 Rohm Semiconductor ESR01MZPF1201 0.3500
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPJ4R3 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ4R3 0.0239
सराय
 ECAD 9140 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 4.3 ओम ± 200ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTJ6R2 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ6R2 -
सराय
 ECAD 9459 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 6.2 ओम ± 400ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR18ERAPJ510 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ510 -
सराय
 ECAD 3248 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "एल x 0.063" डबmuthut (4.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur 1606, अटम, सोरस ± 250ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 51 तमाम 8 - - 16 62.5MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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