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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
ESR10EZPF1800 Rohm Semiconductor ESR10EZPF1800 0.0239
सराय
 ECAD 6192 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 180 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR02M0AJ000 Rohm Semiconductor MNR02M0AJ000 -
सराय
 ECAD 1541 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay तंग करना -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस - - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 10,000 0.0 तमाम 2 - - 4 62.5MW
PSR500HTQFD0L30 Rohm Semiconductor PSR500HTQFD0L30 2.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 170 ° C एईसी- Q200 0.591 "एल x 0.305" डबthutum (15.00 मिमी x 7.75 मिमी) - सराय सींत एईसी-क्यू 200 0.3 मोहम ± 150ppm/° C - 5931 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 2,000 5W 2 तंग
MNR14ERAPJ102 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ102 -
सराय
 ECAD 9422 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 1k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MNR18ERAPJ222 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ222 -
सराय
 ECAD 9106 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "एल x 0.063" डबmuthut (4.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur 1606, अटम, सोरस ± 250ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 2.2K तमाम 8 - - 16 62.5MW
MNR14E0APJ123 Rohm Semiconductor MNR14E0APJ123 -
सराय
 ECAD 2880 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 12k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MNR35J5RJ272 Rohm Semiconductor MNR35J5RJ272 -
सराय
 ECAD 4383 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur २५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 2.7k तमाम 8 - - 10 62.5MW
MNR14ERAPJ820 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ820 0.1000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 82 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR50JZHJ182 Rohm Semiconductor MCR50JZHJ182 0.1200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 1.8 किलो ± 200ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14E0APJ202 Rohm Semiconductor MNR14E0APJ202 -
सराय
 ECAD 5850 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 2k तमाम 4 - - 8 62.5MW
MNR18E0APJ222 Rohm Semiconductor MNR18E0APJ222 -
सराय
 ECAD 2350 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.150 "of x 0.063" डबthuthut (3.80 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 2.2K तमाम 8 - - 16 62.5MW
MNR35J5RJ431 Rohm Semiconductor MNR35J5RJ431 -
सराय
 ECAD 1074 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur २५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 430 तमाम 8 - - 10 62.5MW
MCR10EZPJ4R3 Rohm Semiconductor MCR10EZPJ4R3 -
सराय
 ECAD 8243 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 4.3 ओम ± 400ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPJ221 Rohm Semiconductor SFR18EZPJ221 0.1700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 220 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR32J0ABJ181 Rohm Semiconductor MNR32J0ABJ181 -
सराय
 ECAD 6878 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.122 "एल X 0.102" डब expriguth (3.10 मिमी x 2.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur १२१०, क्योर, लंबे antauth इड ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 180 तमाम 2 - - 4 125MW
KTR10EZPF6802 Rohm Semiconductor KTR10EZPF6802 0.0270
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 ECAD 4995 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 68 कांप ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF1204 Rohm Semiconductor KTR25JZPF1204 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR34J5ABJ103 Rohm Semiconductor MNR34J5ABJ103 -
सराय
 ECAD 8898 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C सियार एईसी-क्यू 200 0.205 "एल X 0.122" डब20 (5.20 मिमी x 3.10 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) सतह rurcur 2012, क्यूट्यू, क्यूटस कन ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 4,000 10k तमाम 4 - - 8 125MW
MNR18ERAPJ471 Rohm Semiconductor MNR18ERAPJ471 0.1000
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 ECAD 186 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.157 "एल x 0.063" डबmuthut (4.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur 1606, अटम, सोरस ± 250ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 470 तमाम 8 - - 16 62.5MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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