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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न तमाम सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
MCR006YRTJ435 Rohm Semiconductor MCR006YRTJ435 0.1000
सराय
 ECAD 28 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - ४.३ मोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2493 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2493 -
सराय
 ECAD 7540 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - २४ ९ ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF46R4 Rohm Semiconductor MCR03ERTF46R4 -
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 ECAD 3778 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 46.4 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF8872 Rohm Semiconductor MCR03ERTF8872 -
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 ECAD 9162 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 88.7 किलो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ6R2 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ6R2 0.1000
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 6.2 ओम ± 400ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF1201 Rohm Semiconductor MCR01MRTF1201 -
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 ECAD 7859 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YRTF4301 Rohm Semiconductor MCR006YRTF4301 -
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 ECAD 1995 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - ४.३ कोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MNR14ERAPJ150 Rohm Semiconductor MNR14ERAPJ150 0.1000
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी मंडल R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 5,000 15 तमाम 4 - - 8 62.5MW
MCR03ERTF4302 Rohm Semiconductor MCR03ERTF4302 -
सराय
 ECAD 6990 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - ४३ सन्न ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100JZPD1800 Rohm Semiconductor LTR100JZPD1800 0.6800
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 ECAD 1252 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.252" डबthutum (3.20 मिमी x 6.40 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 180 ओम ± 100ppm/° C - 1225 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 २ तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100JZPF33R0 Rohm Semiconductor LTR100JZPF33R00 0.7000
सराय
 ECAD 35 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.252" डबthutum (3.20 मिमी x 6.40 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 33 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 २ तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF1001 Rohm Semiconductor MCR006YZPF1001 -
सराय
 ECAD 5212 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 1 कांप ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF1002 Rohm Semiconductor MCR006YZPF1002 -
सराय
 ECAD 7128 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 10 कांपो ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF1201 Rohm Semiconductor MCR006YZPF1201 -
सराय
 ECAD 9696 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - १.२ सिपाही ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF1300 Rohm Semiconductor MCR006YZPF1300 -
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 ECAD 2409 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 130 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF1504 Rohm Semiconductor MCR006YZPF1504 -
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 ECAD 4842 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 1.5 मोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF18R0 Rohm Semiconductor MCR006YZPF18R0 -
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 ECAD 8705 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 18 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF22R0 Rohm Semiconductor MCR006YZPF22R0 -
सराय
 ECAD 4284 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 22 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF2323 Rohm Semiconductor MCR006YZPF2323 -
सराय
 ECAD 9447 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - २३२ सन्न ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF24R3 Rohm Semiconductor MCR006YZPF24R3 -
सराय
 ECAD 7855 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 24.3 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF4300 Rohm Semiconductor MCR006YZPF4300 -
सराय
 ECAD 8282 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 430 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF43R0 Rohm Semiconductor MCR006YZPF43R0 -
सराय
 ECAD 2260 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 43 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF4751 Rohm Semiconductor MCR006YZPF4751 -
सराय
 ECAD 2780 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 4.75 कोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF49R9 Rohm Semiconductor MCR006YZPF49R9 -
सराय
 ECAD 9133 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 49.9 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF6801 Rohm Semiconductor MCR006YZPF6801 -
सराय
 ECAD 2615 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 6.8 कोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF73R2 Rohm Semiconductor MCR006YZPF73R2 -
सराय
 ECAD 5135 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 73.2 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPJ114 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ114 -
सराय
 ECAD 6633 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 110 ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPJ133 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ133 -
सराय
 ECAD 7436 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 13 कांपो ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPJ160 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ160 -
सराय
 ECAD 2920 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 16 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPJ185 Rohm Semiconductor MCR006YZPJ185 -
सराय
 ECAD 7226 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 1.8 किलो ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

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