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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
SDR03EZPJ750 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ750 0.1000
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी SDR03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) पलth -ya kayda 75 ओम ± 200ppm/° C 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPJ823 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ823 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी SDR03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) पलth -ya kayda 82 किलो ± 200ppm/° C 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF8202 Rohm Semiconductor SFR01MZPF8202 0.0146
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 ECAD 2864 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 82 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF1503 Rohm Semiconductor SFR01MZPF1503 0.1300
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 ECAD 17 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल १५० किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF1800 Rohm Semiconductor SFR01MZPF1800 0.0146
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 ECAD 4049 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 180 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF3302 Rohm Semiconductor SFR01MZPF3302 0.1300
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल ३३ सन्निक ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF5901 Rohm Semiconductor SFR01MZPF5901 0.0146
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 ECAD 3268 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल ५. ९ कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ470 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ470 0.0113
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 ECAD 4021 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 47 ओम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ475 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ475 0.0113
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 ECAD 7121 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल ४.7 ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF1200 Rohm Semiconductor MCR03ERTF1200 -
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 ECAD 3535 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 120 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF1542 Rohm Semiconductor MCR03ERTF1542 -
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 ECAD 9540 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - १५.४ किलो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF6341 Rohm Semiconductor MCR03ERTF6341 -
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 ECAD 3593 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 6.34 कोहम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF5493 Rohm Semiconductor MCR03ERTF5493 0.1000
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - ५४ ९ किलो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF4642 Rohm Semiconductor MCR01MRTF4642 0.1000
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - ४६.४ सन्न ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTJ114 Rohm Semiconductor MCR01MRTJ114 -
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 ECAD 2394 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 110 ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YRTJ435 Rohm Semiconductor MCR006YRTJ435 0.1000
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 ECAD 28 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - ४.३ मोहम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2493 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2493 -
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 ECAD 7540 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - २४ ९ ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF8872 Rohm Semiconductor MCR03ERTF8872 -
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 ECAD 9162 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 88.7 किलो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ6R2 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ6R2 0.1000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 6.2 ओम ± 400ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF1201 Rohm Semiconductor MCR01MRTF1201 -
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 ECAD 7859 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YRTJ102 Rohm Semiconductor MCR006YRTJ102 -
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 ECAD 3963 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 1 कांप ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF1000 Rohm Semiconductor MCR01MRTF1000 -
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 ECAD 3566 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 100 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF10R0 Rohm Semiconductor MCR01MRTF10R0 -
सराय
 ECAD 4229 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 10 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTF22R0 Rohm Semiconductor MCR01MRTF22R0 -
सराय
 ECAD 6054 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 22 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTJ102 Rohm Semiconductor MCR01MRTJ102 -
सराय
 ECAD 3680 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 1 कांप ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTJ105 Rohm Semiconductor MCR01MRTJ105 -
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 ECAD 4191 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - 1 कांप ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF1500 Rohm Semiconductor MCR03ERTF1500 -
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 ECAD 1084 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 150 ओम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2001 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2001 -
सराय
 ECAD 3499 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 2 कोहम ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2201 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2201 -
सराय
 ECAD 3521 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - २.२ किलो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF2202 Rohm Semiconductor MCR03ERTF2202 -
सराय
 ECAD 1485 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - २२ सिपाही ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
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