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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	सराय	तमाम	तंग	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	तंग (तंग)	तमाम	सटरी (ओम)	संघटन	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S40X043620JP	0.0901	सराय	2612	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,			± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043620JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			62		तमाम	2	-	-	4	31MW
753091101GPTR7	1.9136	सराय	5913	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "एल X 0.080" PARCAUTH (6.86 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			100		तमाम	8	-	-	9	40MW
752083681JP	-	सराय	8496	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर													तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752083681JP	Ear99	8533.21.0020	250
752181104GPTR13	1.3150	सराय	2189	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			100k		तमाम	16	-	-	18	80MW
73L5R43J	0.0495	सराय	7874	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय	४३० सन्निक	± 200ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
752083470GP	1.4693	सराय	4670	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			47		तमाम	4	-	-	8	160MW
767161103JPTR13	-	सराय	2479	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर													तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767161103JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
73L5R39G	0.0508	सराय	6225	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय	३ ९ ०	± 200ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L4R36F	0.0255	सराय	5542	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय	360 मोहम	± 100ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X043913JP	0.0198	सराय	2981	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043913JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			91K		तमाम	2	-	-	4	63MW
73WL6R750F	0.1651	सराय	3082	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	750 किलो	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41C083681GP	0.0560	सराय	3162	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083681GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			680		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
767163471GP	2.5600	सराय	264	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-163-R470P	Ear99	8533.21.0010	43			470		तमाम	8	-	-	16	200MW
73L4R33J	0.0226	सराय	1145	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय	३३० सिपाही	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73M1AR011F	0.6106	सराय	6864	सीटीएस rayr उत	73M1A	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय	11	± 50ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		तंग
S42C083823FP	0.0914	सराय	9909	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083823FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			82K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083430FP	0.0653	सराय	9478	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083430FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			43		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C083100FP	0.0914	सराय	7527	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083100FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			10		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C163221GP	0.1813	सराय	3393	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट			± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163221GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			220		तमाम	8	-	-	16	63MW
S41X083680JP	0.0226	सराय	7608	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083680JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			68		तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083821JP	0.0412	सराय	1472	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083821JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			820		तमाम	4	-	-	8	63MW
73WL4R430F	0.0333	सराय	9845	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612	सराय	४३० सन्निक	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X043112GP	0.0240	सराय	1789	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043112GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.1k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083224FP	0.0311	सराय	5012	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083224FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			220K		तमाम	4	-	-	8	31MW
73WL7R016J	0.1948	सराय	9227	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय	16	± 500ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L4R22F	0.0255	सराय	7343	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय	220 किलो	± 100ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
766141104GP	2.8600	सराय	3742	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-141-R100KP	Ear99	8533.21.0010	56			100k		तमाम	13	-	-	14	80MW
S41X043682JP	0.0198	सराय	3043	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043682JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			6.8k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083364FP	0.0560	सराय	3557	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083364FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043684FP	0.0693	सराय	8708	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल			± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043684FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			680k		तमाम	2	-	-	4	63MW