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S41C083203FP	0.0653	सराय	2977	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083203FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			20k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C04322222GP	0.0600	सराय	9674	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043222GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			2.2K		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083364GP	0.0813	सराय	5475	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083364GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043181JP	0.0508	सराय	6451	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043181JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			180		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083113GP	0.0269	सराय	5039	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083113GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			11k		तमाम	4	-	-	8	31MW
73M3AR0005F	1.8286	सराय	8253	सीटीएस rayr उत	73m3a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.268 "एल X 0.256" PARCUTHUN (6.80 मिमी x 6.50 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)		सराय	सराय		0.5 mohms	± 200ppm/° C	-	2725	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	1,000	3 डब	2		तंग
73WL6R360F	0.1651	सराय	9422	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		360 मोहम	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L4R11J	0.0226	सराय	7395	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय		110	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
RT128B7	-	सराय	3155	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA				± 200ppm/° C		27-((9x3)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1			10k		सींग	18	-	-	27	५० तंग
752083101GPTR7	1.4693	सराय	2107	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			100		तमाम	4	-	-	8	160MW
73WE7R011F	0.4018	सराय	3883	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय		11	± 100ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L3R36J	0.0139	सराय	6385	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी)	0.026 "(0.65 मिमी)		0805 (2012 पचुर)	सराय		360 मोहम	± 200ppm/° C	-	0805	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.125W, 1/8W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C163301GP	0.1813	सराय	9759	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163301GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			300		तमाम	8	-	-	16	63MW
770103470p	0.6528	सराय	8996	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-103-R47P	Ear99	8533.21.0050	1,000			47		तमाम	5	-	-	10	100MW
73L7R22F	0.3348	सराय	3385	सीटीएस rayr उत	73L7	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		220 किलो	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C083754FP	0.0914	सराय	4785	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083754FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			750k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X043910FP	0.0283	सराय	9677	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043910FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			91		तमाम	2	-	-	4	63MW
73L5R82F	0.0547	सराय	6982	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय		820 MOHMS	± 100ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
770101511p	0.7800	सराय	1	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R510P	Ear99	8533.21.0050	1,000			510		तमाम	9	-	-	10	100MW
752091224GPTR7	1.5389	सराय	3094	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			220K		तमाम	8	-	-	9	80MW
S41X083820FP	0.0311	सराय	8662	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083820FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			82		तमाम	4	-	-	8	31MW
RT2250B7TR7A	-	सराय	7609	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVPECL	0.315 "एल X 0.118" डब extuntur (8.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए				± 200ppm/° C		24-((8x3)	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			82.5, 127		सींग	16	-	-	24	96MW
S41X043393JP	0.0198	सराय	8588	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043393JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			39k		तमाम	2	-	-	4	63MW
768163393JPTR13	-	सराय	5923	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			39k		तमाम	8	-	-	16	200MW
766161182JPTR7	-	सराय	5043	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766161182JPTR7TR	Ear99	8533.21.0020	800
RT1203B7TR13	-	सराय	7947	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DRAM, SDRAM, IDE	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए				± 200ppm/° C		64-((16x4)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			33		सींग	32	-	-	64	५० तंग
S42C043203JP	0.0508	सराय	1476	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043203JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			20k		तमाम	2	-	-	4	63MW
741x083102JP	0.1000	सराय	87	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		741x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			1k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X043392JP	0.0198	सराय	8802	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043392JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			3.9K		तमाम	2	-	-	4	63MW
766141184GPTR7	1.2910	सराय	4387	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			180k		तमाम	13	-	-	14	80MW