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743C083151JP	-	सराय	8049	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			150		तमाम	4	-	-	8	100MW
767163561G	-	सराय	5602	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			560		तमाम	8	-	-	16	200MW
766141152G	-	सराय	9935	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			1.5k		तमाम	13	-	-	14	80MW
766163330JPTR13	-	सराय	5007	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163330JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	3,000
767163000xptr13	1.1899	सराय	8077	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	तंग करना	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				-		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			0.0		तमाम	8	-	-	16	200MW
S42X083301GP	0.0495	सराय	7057	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083301GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			300		तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043473JP	0.0901	सराय	1432	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,				± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043473JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			47K		तमाम	2	-	-	4	31MW
753163182GP	2.0285	सराय	2245	सीटीएस rayr उत	753	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			1.8k		तमाम	8	-	-	16	80MW
76614382222GP	1.2910	सराय	6331	सीटीएस rayr उत	766	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			8.2k		तमाम	7	-	-	14	160MW
S42C043621FP	0.0693	सराय	3187	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043621FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			620		तमाम	2	-	-	4	63MW
743C083330JP	-	सराय	4850	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			33		तमाम	4	-	-	8	100MW
S41C083162FP	0.0653	सराय	2686	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083162FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.6k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
767161680G	-	सराय	2937	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			68		तमाम	15	-	-	16	100MW
768163274GP	1.2132	सराय	9918	सीटीएस rayr उत	768	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			270k		तमाम	8	-	-	16	200MW
S42X083392FP	0.0560	सराय	3097	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083392FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			3.9K		तमाम	4	-	-	8	63MW
742C0433322FP	0.0487	सराय	6885	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		742C043		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			33.2k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41C083391JP	0.0481	सराय	9346	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083391JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			390		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S41X083331GP	0.0269	सराय	2790	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083331GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			330		तमाम	4	-	-	8	31MW
768203270GPTR13	1.2041	सराय	5116	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.540 "एल X 0.220" lemuthum (13.70 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	20-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			27		तमाम	10	-	-	20	200MW
RT2723B6TR7	-	सराय	3429	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.400 "एल X 0.200" lemuthum (10.16 मिमी x 5.08 मिमी मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए				± 200ppm/° C		32-((10.16x5.08)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000			140, 165		सींग	24	-	-	32	68MW
768163821GPTR13	1.1899	सराय	5815	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			820		तमाम	8	-	-	16	200MW
RT2205B	-	सराय	2079	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	Sic में बंद r क rur kay	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	कॉमmuntumage pci®	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए				± 200ppm/° C		64-((16x4)	-	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1			50		सींग	32	-	-	64	५० तंग
S41X043621GP	0.0240	सराय	8070	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043621GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			620		तमाम	2	-	-	4	63MW
743C083271JP	-	सराय	2872	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			270		तमाम	4	-	-	8	100MW
RT1402B6PTR13	-	सराय	9605	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.450 "एल X 0.150" डबthuthut (11.43 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA				± 200ppm/° C		27-((11.43x3.81)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	4,000			50		सींग	18	-	-	27	५० तंग
73E6R068F	0.4430	सराय	4372	सीटीएस rayr उत	73E6	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		2010 (5025 पचुर)	सराय		68 कांप	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
766165221APTR13	1.5832	सराय	1909	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			330, 680		सींग	28	-	-	16	80MW
768201101GP	1.2277	सराय	4946	सीटीएस rayr उत	768	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.540 "एल X 0.220" lemuthum (13.70 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	20-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	35			100		तमाम	19	-	-	20	100MW
767163392GPTR13	1.1899	सराय	3897	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			3.9K		तमाम	8	-	-	16	200MW
767143332G	-	सराय	8854	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			3.3k		तमाम	7	-	-	14	200MW