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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराय	तमाम	तंग	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	तंग (तंग)	तमाम	सटरी (ओम)	संघटन	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
766161472GP	2.7500	सराय	1	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-161-R4.7KP	Ear99	8533.21.0010	49			4.7k		तमाम	15	-	-	16	80MW
S41X083823FP	0.0311	सराय	6245	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083823FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			82K		तमाम	4	-	-	8	31MW
768161392GP	1.2132	सराय	2279	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			3.9K		तमाम	15	-	-	16	100MW
S41X083681GP	0.0269	सराय	2857	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083681GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			680		तमाम	4	-	-	8	31MW
73we4r036j	0.1128	सराय	7748	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612	सराय		36	± 100ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C163683GP	0.1813	सराय	4793	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163683GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			68k		तमाम	8	-	-	16	63MW
743C043513JP	-	सराय	9849	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			51K		तमाम	2	-	-	4	100MW
73M2AR056F	0.7495	सराय	7555	सीटीएस rayr उत	73m2a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		56	± 50ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		तंग
768143683GP	1.2132	सराय	6247	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			68k		तमाम	7	-	-	14	200MW
766141824GPTR7	1.2910	सराय	9561	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			820K		तमाम	13	-	-	14	80MW
73WL7R062J	0.1948	सराय	1079	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय		६२ सटेन	± 350ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083434GP	0.0269	सराय	9307	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083434GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			430K		तमाम	4	-	-	8	31MW
S41C083110GP	0.0560	सराय	2548	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083110GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			11		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C083104GP	0.0813	सराय	2764	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083104GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			100k		तमाम	4	-	-	8	63MW
741x1635602FP	0.1102	सराय	5738	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र		741x163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			56K		तमाम	8	-	-	16	63MW
742C083153JP	0.2800	सराय	1956	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		742C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			15k		तमाम	4	-	-	8	63MW
73L3R51J	0.0139	सराय	9075	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी)	0.026 "(0.65 मिमी)		0805 (2012 पचुर)	सराय		५१० सिपाही	± 200ppm/° C	-	0805	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.125W, 1/8W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42X083680JP	0.0412	सराय	8273	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083680JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			68		तमाम	4	-	-	8	63MW
73M5R024F	4.1814	सराय	7448	सीटीएस rayr उत	73m5	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.449 "एल x 0.272" डबmuntur (11.40 मिमी x 6.90 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)		सराय	सराय		२ मोहम	± 50ppm/° C	-	4527	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	500	5W	2		तंग
73L7R11J	0.1514	सराय	2601	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		110	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
767163101GP	2.8700	सराय	1	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-163-R100p	Ear99	8533.21.0010	43			100		तमाम	8	-	-	16	200MW
766163390GP	1.2910	सराय	5284	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-163-R39P	Ear99	8533.21.0010	49			39		तमाम	8	-	-	16	160MW
73L2R47G	0.0123	सराय	9197	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU	0.026 "(0.65 मिमी)		०६०३ (१६० of सोरक)	सराय		470 मोहम	± 300ppm/° C	-	0603	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.1W, 1/10W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083434FP	0.0311	सराय	7162	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083434FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			430K		तमाम	4	-	-	8	31MW
S40X043223JP	0.0901	सराय	8884	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,				± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043223JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			22k		तमाम	2	-	-	4	31MW
S42C043183JP	0.0508	सराय	2338	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043183JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			18 k		तमाम	2	-	-	4	63MW
RT2201B7PTR7	-	सराय	4614	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	कॉमmuntumage pci®	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए				± 200ppm/° C		64-((16x4)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000			10		सींग	32	-	-	64	५० तंग
S41X043103FP	0.0283	सराय	8965	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043103FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			10k		तमाम	2	-	-	4	63MW
73L7R20F	0.3348	सराय	3825	सीटीएस rayr उत	73L7	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		२००	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
752103101g	-	सराय	7369	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	500			100		तमाम	5	-	-	10	160MW