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कmun lectirauraurauraurach (of) (236)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
DF2B29FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2B29 9pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 24V 26v 47V 3 ए (8/20) एस) 140W नहीं 1
DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N, LF -
सराय
 ECAD 2284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 10-ufdfn एक प्रकार का होना DF10 0.2pf @ 1MHz 10-((2.5x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 25V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 4
DF3A6.2LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.2lfu, lf 0.3000
सराय
 ECAD 2334 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6 6.5pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V (अधिकतम) 5.9v - - - नहीं
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2S23 160pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 21 वी (अधिकतम) 21.5v 27.3v 14 ए (8/20) एस) 500W नहीं
CEZ5V6,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ5V6, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 125pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 5.6v 5.3v 9V 12 ए (8/20) एस) 155W नहीं
DF3A6.2LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2LFU (TE85L, F -
सराय
 ECAD 3073 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6.2 6.5pf @ 1MHz कांपना तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V 5.9v - - - नहीं
DF3D18FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D18FU, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 9pf @ 1MHz कांपना तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v (अधिकतम) 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 2
DF2B5M4CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4CT, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2B5 0.2pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.6V (अधिकतम अधिकतम) 4V 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 1
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S8.2 20pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V 7.7v - - - नहीं
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S30 7.2pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 23v 28 वी - - - नहीं
CSLZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ30V, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 7.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 23v (अधिकतम) 28 वी 51v 2.5a (8/20) s) - नहीं
DF2S6.8UCT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8uct (TPL3) -
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S6.8 1.6pf @ 1MHz Cst2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22v - - - नहीं
CUHZ6V2,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ6V2, H3F 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 735pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 6.2V 5.8v ६.१ सिपाही 87 ए (8/20) एस) 1800W (1.8KW) नहीं
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.2fute85lf 0.3400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6.2 55pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3 वी 5.8v - - - नहीं
MUZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 6 वी 8, एलएफ 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 88pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V 10 ए (8/20) एस) 180W नहीं
CEZ30V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ30V, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 21pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 30V 28 वी 47.5V 4 ए (8/20) एस) 200W नहीं
DF2B18FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B18FU, H3F 0.3400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2B18 9pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 12v 16.2V 33V 2.5a (8/20) s) 80W नहीं 1
DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC, L3F 0.0750
सराय
 ECAD 3966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2B12 0.2pf @ 1MHz एससी 2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 8v (अधिकतम) 10V 18v 1 ए (8/20) एस) - नहीं 1
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC (TE85L) 0.6600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर - तमाम सतह rurcur 6-XFDFN SANAHAR THE सthurिंग (riेल r से r से ray) Df6f 0.6pf @ 1MHz Cst6c - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5,000 5V (अधिकतम) 6V 24V 2.5a (8/20) s) - तमाम 4
DF3A6.2CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2CT (TPL3) 0.3300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a6.2 55pf @ 1MHz Cst3 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 3 वी 5.8v - - - नहीं
DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6FU (TE85L, F) 0.4300
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना DF5A3.6 110pf @ 1MHz यूएसवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - नहीं
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT, L3F 0.4000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना 0.6pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V (अधिकतम) 5.5V 15V 2.5a (8/20) s) 37W नहीं
MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8v 10v (स्यां) 11 ए (8/20) एस) 175W नहीं
CUHZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ12V, H3F 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 280pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12v 11.4v 13.6v 60 ए (8/20) एस) 2100W (2.1KW) नहीं
DF2B6.8FS(TPL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS (TPL3, T) -
सराय
 ECAD 2628 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना Df2b 15pf @ 1MHz फंसी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5V (अधिकतम) 5.8v 8.5v 1 ए (8/20) एस) - नहीं 1
MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ20V, LF 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 29pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 20 वी 18.8v 30.5v 5 ए (8/20) एस) 200W नहीं
MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 36 वी, एलएफ 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 18pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V 3 ए (8/20) एस) 200W नहीं
DF2S5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4SL, L3F 0.3000
सराय
 ECAD 98 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S5 0.35pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V (अधिकतम अधिकतम) 3.7 वी 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं
DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFU, LF 0.3000
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a5.6 8pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3.5V 5.3v - - - नहीं
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V, H3F 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 26pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 24V 22.8v 36.5V 4.5a (8/20) s) 200W नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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