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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
DF2S14P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S14P2CTC, L3F 0.4100
सराय
ECAD 43 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S14 270pf @ 1MHz Cst2c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 12.6v 12.9v - 50 ए - नहीं
MSZ5V6,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ5V6, LF 0.3400
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 125pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 5.6v 5.3v 9V 12 ए (8/20) एस) 155W नहीं
DF2B5SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5SL, L3F 0.2400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2B5 7.2pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 3.3V (अधिकतम) 3.6V 11.5v 5.5a (8/20) s) 77W नहीं 1
DF3A3.3CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A3.3CT (TPL3) 0.0549
सराय
ECAD 7033 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a3.3 115pf @ 1MHz Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 1V 3.1V - - - नहीं
DF2B36FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU, H3XHF 0.3900
सराय
ECAD 317 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 6.5pf @ 1MHz यूएससी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 28 वी (अधिकतम) 32V 60V 2.5a (8/20) s) 150W नहीं 1
CSLZ12V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ12V, L3F 0.2200
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 13pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 9V (अधिकतम) 11.4v 28 ए वी 2.5a (8/20) s) 72W नहीं
DF5A6.8LFUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Df5a6.8lfute85lf 0.4100
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना Df5a6.8 6pf @ 1MHz 5-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.5V - - - नहीं
DF2S30FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30FS, L3M 0.1700
सराय
ECAD 55 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S30 7PF @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 23v (अधिकतम) 28 वी - - - नहीं
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT, L3F 0.1900
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S16 10pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 12v 15.3v - - - नहीं
DF3A6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT, L3F 0.3300
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a6 45pf @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 5V (अधिकतम) 6.4V - - - नहीं
DF2S12FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FS, L3M 0.1800
सराय
ECAD 873 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S12 15pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 9V (अधिकतम) 11.4v 18.5v 1 ए (8/20) एस) - नहीं
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LF 0.3900
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना DF3D29 9pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 24V 26v 47V 3 ए (8/20) एस) 140W नहीं
DF3A5.6F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a5.6f, lf 0.3500
सराय
ECAD 4992 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना Df3a5.6 65pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3v - - - नहीं
DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS, L3F -
सराय
ECAD 8039 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर - तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना DF2S 1.6pf @ 1MHz फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22v - - - नहीं
DF6D6UFE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6UFE, L3F 0.4900
सराय
ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOT-563, SOT-666 एक प्रकार का होना Df6d6 1.5pf @ 1MHz Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.7v 20 वी 1.5a (8/20) s) 30W नहीं 2
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6CT (TPL3) -
सराय
ECAD 1096 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a5.6 65pf @ 1MHz Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 2.5V 5.3v - - - नहीं
DF5A6.2CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2CJE, LM 0.3100
सराय
ECAD 189 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.2 25pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 5V 5.8v - - - नहीं
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3d6.8ms, lf 0.2700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-75, SOT-416 सthurिंग (riेल r से r से ray) Df3d6.8 0.5pf @ 1MHz एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V (अधिकतम) 6V 11v (स्याह) 1 ए (8/20) एस) - तमाम
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT (TPL3) -
सराय
ECAD 5029 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना DF3S 37PF @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 5V (अधिकतम) 5.3v - - - नहीं
DF2S5.1FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1FS, L3M 0.1700
सराय
ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S5.1 45pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 1.5V (अधिकतम अधिकतम) 4.8V - - - नहीं
MUZ30V,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 30 वी, एलएफ 0.3500
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 21pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 30V 28 वी 47.5V 4 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CSLZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ24V, L3F 0.2200
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 8.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 19V (अधिकतम) 22.8v 34v 2.5a (8/20) s) - नहीं
DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2F (TE85L, F) -
सराय
ECAD 3780 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना Df3a6.2 55pf @ 1MHz एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3 वी 5.8v - - - नहीं
DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B20M4SL, L3F 0.3300
सराय
ECAD 36 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का होना DF2B20 0.2pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 18.5V (अधिकतम) 19V 30V 500ma (8/20) s) 15W नहीं 1
MUZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 6 वी 2, एलएफ 0.3500
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8v 10v (स्यां) 11 ए (8/20) एस) 175W नहीं
DF2S24UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24UCT, L3F 0.3300
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S24 1.6pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22v - - - नहीं
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE, LM 0.3400
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.8 6pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.5V - - - नहीं
DF2B12M2SC Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC -
सराय
ECAD 5003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना Df2b 0.2pf @ 1MHz एससी 2 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 8v (अधिकतम) 10V 18v 1 ए (8/20) एस) - नहीं 1
DF2B6M4BSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4BSL, L3F 0.3800
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) HDMI, USB सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना 0.12pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 1
MSZ8V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ8V2, LF 0.3400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 67PF @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 8.2v 7.7v 16.5v 8.5a (8/20) s) 200W नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम