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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
DF3A6.8UFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8UFU, LF 0.4000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6.8 2.5pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V (अधिकतम) - - - - नहीं
DF2S5.6CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6CT, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S5.6 40pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V 5.3v - - - नहीं
DF2S6P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P2FU, H3F 0.4900
सराय
 ECAD 2806 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2S6 600pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 23.7v 80 ए (8/20) एस) 1900W (1.9KW) नहीं
CSLZ24V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ24V, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 8.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 19V (अधिकतम) 22.8v 34v 2.5a (8/20) s) - नहीं
DF6D6UFE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF6D6UFE, L3F 0.4900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOT-563, SOT-666 एक प्रकार का होना Df6d6 1.5pf @ 1MHz Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.7v 20 वी 1.5a (8/20) s) 30W नहीं 2
DF3A6.8CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8CT, L3F 0.3300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a6 45pf @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 5V (अधिकतम) 6.4V - - - नहीं
DF2S16CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S16CT, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S16 10pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 12v 15.3v - - - नहीं
DF2B20M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B20M4SL, L3F 0.3300
सराय
 ECAD 36 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का होना DF2B20 0.2pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 10,000 18.5V (अधिकतम) 19V 30V 500ma (8/20) s) 15W नहीं 1
DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6ASL, L3F 0.2000
सराय
 ECAD 69 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S5.6 40pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.5V (अधिकतम) 5.3v - - - नहीं
DF2S12FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FS, L3M 0.1800
सराय
 ECAD 873 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S12 15pf @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 9V (अधिकतम) 11.4v 18.5v 1 ए (8/20) एस) - नहीं
DF3S6.8ECT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3S6.8ECT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5029 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना DF3S 37PF @ 1MHz Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 5V (अधिकतम) 5.3v - - - नहीं
DF3A5.6F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a5.6f, lf 0.3500
सराय
 ECAD 4992 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना Df3a5.6 65pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 2.5V 5.3v - - - नहीं
DF3D6.8MS,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3d6.8ms, lf 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-75, SOT-416 सthurिंग (riेल r से r से ray) Df3d6.8 0.5pf @ 1MHz एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V (अधिकतम) 6V 11v (स्याह) 1 ए (8/20) एस) - तमाम
DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE, LM 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना DF5A5.6 65pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 2.5V 5.3v - - - नहीं
DF5A6.8FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Df5a6.8fute85lf 0.3700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना Df5a6.8 45pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V 6.4V - - - नहीं
DF2S12FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S12FU, H3F 0.1800
सराय
 ECAD 37 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना DF2S12 15pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 9V 11.4v - - - नहीं
DF5A5.6LFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6LFU (TE85L, F 0.4800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना DF5A5.6 8pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 3.5V 5.3v - - - नहीं
DF6F6.8MTU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df6f6.8mtu, lf 0.1067
सराय
 ECAD 4119 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड सthurिंग (riेल r से r से ray) Df6f6.8 0.6pf @ 1MHz Uf6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 5V (अधिकतम) 6V 24V 2.5a (8/20) s) - तमाम
DF5A3.3F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3F (TE85L, F) 0.0801
सराय
 ECAD 5994 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-74A, SOT-753 एक प्रकार का होना Df5a3.3 115pf @ 1MHz एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.1V - - - नहीं
MSZ16V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ16V, LF 0.3400
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 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 35pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 16 वी 15.3v 27 ए वी 5.5a (8/20) s) 200W नहीं
DF6D6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df6d6m4n, lf -
सराय
 ECAD 8348 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 6-ufdfn एक प्रकार का होना Df6d6m4 0.2pf @ 1MHz 6-((1.25x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 2
DF3D29FU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ऑटोमोटिव सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 9pf @ 1MHz एससी -70 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 24V (अधिकतम) 26v 47V 3 ए (8/20) एस) 140W नहीं 2
DF2S7MSL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S7MSL, L3F 0.2800
सराय
 ECAD 30 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना DF2S7 0.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V (अधिकतम) 6V 20 वी 3 ए (8/20) एस) 60W नहीं
DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6M4SL, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 4331 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना Df2b6 0.2pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V (अधिकतम अधिकतम) 5.6v 25V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 1
DF3A6.8LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.8lfu, lf 0.3700
सराय
 ECAD 176 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6.8 6pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 5V 6.5V - - - नहीं
DF2S6.8UFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8UFS, L3F -
सराय
 ECAD 8039 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर - तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना DF2S 1.6pf @ 1MHz फंसी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22v - - - नहीं
DF2S30FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30FS, L3M 0.1700
सराय
 ECAD 55 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur Sod-923 एक प्रकार का होना DF2S30 7PF @ 1MHz Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 23v (अधिकतम) 28 वी - - - नहीं
DF5A6.8LJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8LJE, LM 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.8 6pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.5V - - - नहीं
DF2S6.8CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 6391 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S 25pf @ 1MHz Cst2 - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5V 6.4V - - - नहीं
DF2S24UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S24UCT, L3F 0.3300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S24 1.6pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 19V (अधिकतम) 22v - - - नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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