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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना शिर तमाम सवार शराबी तमाम Chana @ kthun सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग सराय क्योरस - रयरा वोलmume - बthurana वोलmus - कthलैंपिंग (अधिकतम) @ आईपीपी आईपीपी सराफक - पीक पल पलtum (10/1000) एस) तंग - पीक पल तंग द द चैनल चैनल
CSLZ6V8,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CSLZ6V8, L3F 0.2200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम CSLZ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं एक प्रकार का होना CSLZ 25pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1 5V (अधिकतम) 6.4V 14.5v 2.5a (8/20) s) 105W नहीं
DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N, LF -
सराय
 ECAD 9876 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 10-ufdfn एक प्रकार का होना DF10 0.2pf @ 1MHz 10-((2.5x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 3.6V (अधिकतम अधिकतम) 4V 24V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 4
DF3A6.8FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur एसओटी -723 एक प्रकार का होना Df3a6.8 45pf @ 1MHz Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 - 6.4V - - - नहीं
DF3D29FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D29FU, LF 0.3900
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 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना DF3D29 9pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 24V 26v 47V 3 ए (8/20) एस) 140W नहीं
CUHZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ5V6, H3F 0.4600
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 ECAD 5 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 860pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 5.6v 5.3v 5.7v 91 ए (8/20) एस) 1750W (1.75kW) नहीं
DF3A5.6CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6CT (TPL3) -
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 ECAD 1096 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SC-101, SOT-883 एक प्रकार का होना Df3a5.6 65pf @ 1MHz Cst3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 2 2.5V 5.3v - - - नहीं
DF6D5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df6d5m4n, lf -
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 ECAD 3836 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 6-ufdfn एक प्रकार का होना Df6d5m4 0.2pf @ 1MHz 6-((1.25x1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 3.6V (अधिकतम अधिकतम) 4V 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं 2
DF3A6.2F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2F (TE85L, F) -
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 ECAD 3780 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना Df3a6.2 55pf @ 1MHz एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3 वी 5.8v - - - नहीं
DF2B6.8FS(TPL4,D) Toshiba Semiconductor and Storage DF2B6.8FS (TPL4, D) -
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 ECAD 2802 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना Df2b 15pf @ 1MHz फंसी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 5V (अधिकतम) 5.8v 8.5v 1 ए (8/20) एस) - नहीं 1
DF5A6.8JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.8JE, LM 0.3100
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 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a6.8 45pf @ 1MHz तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 5V 6.4V - - - नहीं
DF2S6P1CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6P1CT, L3F 0.3800
सराय
 ECAD 10 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOD-882 एक प्रकार का होना DF2S 90pf @ 1MHz Cst2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 1 - 5.6v 16 वी 10 ए (8/20) एस) 160W नहीं
CEZ36V,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ36V, L3F 0.3400
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 18pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 36V 34V 63V 3 ए (8/20) एस) 200W नहीं
MUZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage मुज़ 36 वी, एलएफ 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 18pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V 3 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CUZ24V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ24V, H3F 0.3500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 एक प्रकार का होना 26pf @ 1MHz यूएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 24V 22.8v 36.5V 4.5a (8/20) s) 200W नहीं
CEZ6V2,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CEZ6V2, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 702 0.00000000 तमाम सीज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-79, SOD-523 एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz ईएससी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 8,000 1 6.2V 5.8v 10v (स्यां) 11 ए (8/20) एस) 175W नहीं
MUZ20V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MUZ20V, LF 0.3500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मुज़ R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना 29pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 20 वी 18.8v 30.5v 5 ए (8/20) एस) 200W नहीं
CUHZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHZ12V, H3F 0.4600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम कांपना R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एक प्रकार का होना 280pf @ 1MHz US2H तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12v 11.4v 13.6v 60 ए (8/20) एस) 2100W (2.1KW) नहीं
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df3a6.8fu, lf 0.3000
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SC-70, SOT-323 एक प्रकार का होना Df3a6.8 45pf @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 2 - 6.4V - - - नहीं
DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df5g5m4n, lf 0.3800
सराय
 ECAD 7561 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 5-XFDFN एक प्रकार का होना Df5g5m4 0.2pf @ 1MHz 5-((1.3x0.8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 5,000 5 3.6V (अधिकतम अधिकतम) 4V 15V 2 ए (8/20) एस) 30W नहीं
DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL, L3F 0.1800
सराय
 ECAD 95 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का होना DF2B7 8.5pf @ 1MHz SL2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V 5.8v 20 वी 4 ए (8/20) एस) 80W नहीं 1
DF3A3.6FV(TPL3,Z) Toshiba Semiconductor and Storage Df3a3.6fv (tpl3, z) -
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 ECAD 6430 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur एसओटी -723 एक प्रकार का होना DF3A 110pf @ 1MHz Vesm - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 1.8V 3.4V - - - नहीं
MSZ6V2,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V2, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 105pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 6.2V 5.8v 10v (स्यां) 11 ए (8/20) एस) 175W नहीं
DF5A6.2FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A6.2FU (TE85L, F) 0.4300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 एक प्रकार का होना Df5a6.2 55pf @ 1MHz यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 3 वी 5.8v - - - नहीं
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Df6a6.8fu, lf 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 एक प्रकार का होना Df6a6.8 45pf @ 1MHz US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 4 - 6.4V - - - नहीं
DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU, LF 0.3600
सराय
 ECAD 3784 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - - सतह rurcur SC-70, SOT-323 - DF3D36 7PF @ 1MHz कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 28 वी 32V - - - नहीं 2
MSZ6V8,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ6V8, LF 0.3400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 88pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 6.8V 6.4V 13V 10 ए (8/20) एस) 180W नहीं
DF5A3.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CJE, LM 0.3100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना DF5A3.6 52pf @ 1MHz तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 1.8V 3.4V - - - नहीं
DF3D6.8MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage DF3D6.8MFV (TL3, T) -
सराय
 ECAD 7389 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम सतह rurcur एसओटी -723 सthurिंग (riेल r से r से ray) DF3D 0.5pf @ 1MHz Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 8,000 2 5V (अधिकतम) 6V 15v (स्याह) 1 ए (8/20) एस) - तमाम
DF5A3.3JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.3JE, LM -
सराय
 ECAD 5258 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur SOT-553 एक प्रकार का होना Df5a 115pf @ 1MHz तमाम - रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 4 - 3.1V - - - नहीं
MSZ36V,LF Toshiba Semiconductor and Storage MSZ36V, LF 0.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम मेक R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) तमाम सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 एक प्रकार का होना 18pf @ 1MHz एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 1 36V 34V 63V 3 ए (8/20) एस) 200W नहीं
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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