SIC
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अरे (193576)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3372AC-4E2-25NZ10.000000 SiTime SIT3372AC-4E2-25NZ10.000000 13.0100
सराय
 ECAD 8024 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 10 सराय एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT9375AE-01A1-2510-312.500000E SiTime SIT9375AE-01A1-2510-312.500000E 7.7694
सराय
 ECAD 9299 0.00000000 तमाम Sit9375 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9375 312.5 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9375AE-01A1-2510-312.500000ETR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 42.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - -
SIT1602BC-31-XXE-6.000000 SiTime SIT1602BC-31-XXE-6.000000 1.5700
सराय
 ECAD 7981 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६ सराय HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AI-1E3-33NG148.425787 SiTime SIT3372AI-1E3-33NG148.425787 8.5500
सराय
 ECAD 1297 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 148.425787 LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT3372AI-2B2-30NZ125.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NZ125.000000 13.2900
सराय
 ECAD 8833 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १२५ सराय LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 1570ppm - -
SIT3372AI-4E2-30NH135.000000 SiTime SIT3372AI-4E2-30NH135.000000 13.2900
सराय
 ECAD 5755 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना १३५ सराय एचसीएसएल 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 170ppm - -
SIT3372AI-4E9-28NC75.000000 SiTime SIT3372AI-4E9-28NC75.000000 11.2200
सराय
 ECAD 6018 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 75 सराय एचसीएसएल 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm - -
SIT8209AC-G3-33S-161.132800 SiTime SIT8209AC-G3-33S-161.132800 2.4400
सराय
 ECAD 6589 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8209 161.1328 अय्योर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 70μA
SIT3373AC-1B9-33NE445.500000 SiTime SIT3373AC-1B9-33NE445.500000 10.9200
सराय
 ECAD 5413 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना ४४५.५ तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm -
SIT5356AI-FN-28N0-19.200000 SiTime SIT5356AI-FN-28N0-19.200000 77.2900
सराय
 ECAD 6664 0.00000000 तमाम Sit5356, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 10-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना १ ९। LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 250ppb - -
SIT3372AI-2B2-30NC160.000000 SiTime SIT3372AI-2B2-30NC160.000000 13.2900
सराय
 ECAD 6539 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 160 तंग LVDS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 25ppm ± 50ppm - -
SIT1602BC-31-25S-10.000000 SiTime SIT1602BC-31-25S-10.000000 1.5700
सराय
 ECAD 8821 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 10 सराय HCMOS, LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.2MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3372AC-2B9-28NH74.250000 SiTime SIT3372AC-2B9-28NH74.250000 10.9200
सराय
 ECAD 3704 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 74.25 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT3373AI-2E9-28NE491.520000 SiTime SIT3373AI-2E9-28NE491.520000 11.2200
सराय
 ECAD 1898 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 491.52 तंग LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm -
SIT8208AI-32-33E-66.666667 SiTime SIT8208AI-32-33E-66.666667 3.1700
सराय
 ECAD 8481 0.00000000 तमाम SIT8208 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.666667 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AI-4B2-33NC76.800000 SiTime SIT3372AI-4B2-33NC76.800000 11.1100
सराय
 ECAD 7581 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 76.8 अफ़रपित एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 50ppm - -
SIT9003AC-44-33EO-33.80000X SiTime SIT9003AC-44-33EO-33.80000X 2.3118
सराय
 ECAD 3171 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग XO Sit9003 33.8 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 100ppm - - 4.3 एंडा
SIT1602BC-31-28E-6.000000 SiTime SIT1602BC-31-28E-6.000000 1.5700
सराय
 ECAD 1265 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ६ सराय HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AC-G3-18S-31.250000Y SiTime SIT8208AC-G3-18S-31.250000Y 1.2906
सराय
 ECAD 9118 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३१.२५ तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 10μA
SIT8209AI-33-33E-148.351648 SiTime SIT8209AI-33-33E-148.351648 2.5000
सराय
 ECAD 5918 0.00000000 तमाम SIT8209 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 148.351648 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 36ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9375AI-01P1-3310-156.250000E SiTime SIT9375AI-01P1-3310-156.250000E 6.5742
सराय
 ECAD 3330 0.00000000 तमाम Sit9375 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO Sit9375 156.25 तंग LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9375AI-01P1-3310-156.250000ETR Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 42.5MA एमईएमएस ± 20ppm - - -
SIT3372AI-1B3-30NY98.304000 SiTime SIT3372AI-1B3-30NY98.304000 10.1900
सराय
 ECAD 4775 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 98.304 तंग LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 745ppm - -
SIT9365AC-1E3-30E75.000000 SiTime SIT9365AC-1E3-30E75.000000 9.9000
सराय
 ECAD 1372 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 75 सराय LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AI-4B3-25NE240.000000 SiTime SIT3373AI-4B3-25NE240.000000 8.6300
सराय
 ECAD 8515 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २४० सराय एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm ± 45ppm -
SIT9365AC-2B3-25E200.000000 SiTime SIT9365AC-2B3-25E200.000000 9.8000
सराय
 ECAD 7613 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO २०० सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AI-2B2-25NU307.695484 SiTime SIT3373AI-2B2-25NU307.695484 13.2900
सराय
 ECAD 1716 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 3170ppm -
SIT3373AC-2B2-28NX364.800000 SiTime SIT3373AC-2B2-28NX364.800000 13.0000
सराय
 ECAD 5949 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 364.8 अफ़रपद LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 370ppm -
SIT1602BC-71-33S-20.000000 SiTime SIT1602BC-71-33S-20.000000 1.4800
सराय
 ECAD 4071 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा HCMOS, LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T SiTime SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T 6.4718
सराय
 ECAD 8895 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 48.461 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT9501AI-01B3-1810-312.500000E SiTime SIT9501AI-01B3-1810-312.500000E 4.5441
सराय
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SIC
AD9208BBPZ-3000

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