SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT3373AI-1B2-33NC240.000000 SiTime SIT3373AI-1B2-33NC240.000000 13.2900
सराय
ECAD 8698 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना २४० सराय LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3373AI-1E2-25NY345.600000 SiTime SIT3373AI-1E2-25NY345.600000 11.0100
सराय
ECAD 1931 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना ३४५.६ तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 770ppm -
SIT9005AI-21-30NB20.000000 SiTime SIT9005AI-21-30NB20.000000 5.5100
सराय
ECAD 1491 0.00000000 तमाम Sit9005 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २० सभा LVCMOS 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 6.5ma एमईएमएस ± 20ppm - And 0.25%, पायता -
SIT1602BC-83-28S-74.176000 SiTime SIT1602BC-83-28S-74.176000 1.1600
सराय
ECAD 5698 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.176 अराध्य HCMOS, LVCMOS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3373AC-2B2-33NC622.080000 SiTime SIT3373AC-2B2-33NC622.080000 13.0000
सराय
ECAD 9128 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 622.08 अराध्य LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT3372AI-2B9-28NE10.240000 SiTime SIT3372AI-2B9-28NE10.240000 9.2000
सराय
ECAD 9820 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना १०.२४ सरायम LVDS 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 84ma एमईएमएस ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT3372AI-4E9-33NH76.800000 SiTime SIT3372AI-4E9-33NH76.800000 11.2200
सराय
ECAD 2024 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 76.8 अफ़रपित एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 35ppm ± 160ppm - -
SIT2024BE-S2-33E-27.000000E SiTime SIT2024BE-S2-33E-27.000000E 0.9000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-SIT2024BE-S2-33E-27.000000E-1473 1
SIT3373AI-1B9-25NZ222.750000 SiTime SIT3373AI-1B9-25NZ222.750000 11.2100
सराय
ECAD 2181 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 222.75 तंग LVPECL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 1560ppm -
SIT8208AI-G2-33S-16.367667T SiTime SIT8208AI-G2-33S-16.367667T 1.5215
सराय
ECAD 9212 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16.367667 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT3372AI-1E3-30NZ74.175820 SiTime SIT3372AI-1E3-30NZ74.175820 8.5500
सराय
ECAD 2419 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 74.17582 सोरहम LVPECL 3 वी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 92ma एमईएमएस ± 50ppm ± 1545ppm - -
SIT3373AC-1B2-28NG307.695484 SiTime SIT3373AC-1B2-28NG307.695484 10.7800
सराय
ECAD 8159 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना 307.695484 SANTAURUTHUTHUNT LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 25ppm ± 120ppm -
SIT8208AI-G1-18S-12.000000X SiTime SIT8208AI-G1-18S-12.000000X 2.4360
सराय
ECAD 5021 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 12 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 10μA
SIT9346AI-2E1A25E100.000000 SiTime SIT9346AI-2E1A25E100.000000 44.1720
सराय
ECAD 9888 0.00000000 तमाम Sit9346, rayra ™ कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO Sit9346 100 सराय LVDS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9346AI-2E1A25E100.000000 Ear99 8542.39.0001 10 अकmuth सक 79ma एमईएमएस ± 20ppm - - 58ma
SIT1602BC-33-XXE-77.760000 SiTime SIT1602BC-33-XXE-77.760000 1.1500
सराय
ECAD 3011 0.00000000 तमाम Sit1602b कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 77.76 सरायम HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 4.5MA एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9001AC-33-33S4-68.10000T SiTime SIT9001AC-33-33S4-68.10000T -
सराय
ECAD 4578 0.00000000 तमाम Sit9001 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9001 68.1 अफ़रपित LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1473-SIT9001AC-33-33S4-68.10000T Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 34ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT9365AC-1E3-28N25.000000 SiTime SIT9365AC-1E3-28N25.000000 9.9000
सराय
ECAD 5096 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO २५ सभा LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT8208AI-G2-33S-77.760000T SiTime SIT8208AI-G2-33S-77.760000T 1.5215
सराय
ECAD 4532 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 77.76 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-3F-25E-72.000000Y SiTime SIT8208AI-3F-25E-72.000000Y 4.1097
सराय
ECAD 8678 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 72 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-G1-18S-14.000000X SiTime SIT8208AI-G1-18S-14.000000X 2.4360
सराय
ECAD 4594 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 १४ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 10μA
SIT3372AC-4E3-33NU77.760000 SiTime SIT3372AC-4E3-33NU77.760000 9.9000
सराय
ECAD 3281 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 77.76 सरायम एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 50ppm ± 3145ppm - -
SIT3373AC-1E9-28NY622.080000 SiTime SIT3373AC-1E9-28NY622.080000 10.9200
सराय
ECAD 7083 0.00000000 तमाम Sit3373, एलीट प पthurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 622.08 अराध्य LVPECL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - एमईएमएस ± 35ppm ± 760ppm -
SIT9120AI-2C1-33E74.250000 SiTime SIT9120AI-2C1-33E74.250000 5.5200
सराय
ECAD 9797 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 74.25 तंग LVDS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT9120AC-1B3-33S74.175824 SiTime SIT9120AC-1B3-33S74.175824 4.4200
सराय
ECAD 4436 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 74.175824 दार LVPECL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 69ma एमईएमएस ± 50ppm - -
SIT3372AC-4E2-33NU77.760000 SiTime SIT3372AC-4E2-33NU77.760000 13.0100
सराय
ECAD 7910 0.00000000 तमाम Sit3372, एलीट प पchurcuth ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.035 "(0.90 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग कांपना 77.76 सरायम एचसीएसएल 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 - 97ma एमईएमएस ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT9120AC-2C2-XXS166.666666 SiTime SIT9120AC-2C2-XXS166.66666666 5.3500
सराय
ECAD 4079 0.00000000 तमाम Sit9120 कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 166.666666 LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8542.39.0001 1 तमाम (तंगर शेर) 55ma एमईएमएस ± 25ppm - -
SIT8208AC-2F-25E-25.000625T SiTime SIT8208AC-2F-25E-2.000625T 3.6149
सराय
ECAD 2084 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५.०००६२५ सरायम LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9365AC-4E1-25E75.000000 SiTime SIT9365AC-4E1-25E75.000000 13.7100
सराय
ECAD 8541 0.00000000 तमाम Sit9365, rana theircuti ™ कांपना शिर -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, अटिशिया से तंग XO 75 सराय एचसीएसएल 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1 अकmuth सक एमईएमएस ± 20ppm - -
SIT8208AI-G1-18S-10.000000Y SiTime SIT8208AI-G1-18S-10.000000Y 2.0184
सराय
ECAD 8563 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 10 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 10μA
SIT8208AI-2F-25S-4.000000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-4.000000T 3.8969
सराय
ECAD 8129 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ४ सभ्य LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम