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अरे (193576)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT5001AC-2E-33N0-7.680000Y SiTime SIT5001AC-2E-33N0-7.680000Y 3.9142
सराय
 ECAD 3083 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 7.68 तंग्य LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT9003AI-13-33EB-24.00000Y SiTime SIT9003AI-13-33EB-24.00000Y 1.4455
सराय
 ECAD 1641 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 २४ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - - 4.3 एंडा
SIT8256AC-G2-33E-156.253906Y SiTime SIT8256AC-G2-33E-156.253906Y 3.0605
सराय
 ECAD 1683 0.00000000 तमाम Sit8256 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit8256 156.253906 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT1533AC-H5-D93-32.768E SiTime SIT1533AC-H5-D93-32.768E 1.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम Sit1533 R टेप ray ryील (ther) शिर -10 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1533 32.768 kHz शराबी 1.2V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 1.3μA एमईएमएस ± 75ppm - - -
SIT5001AIC8E-25N0-4.915200Y SiTime SIT5001AIC8E-25N0-4.915200Y 4.7441
सराय
 ECAD 1351 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ४. ९ १५२ सराय LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT1532AI-J4-DCC-32.768D SiTime SIT1532AI-J4-DCC-32.768D 1.2400
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम Sit1532 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.061 "एल X 0.033" PARCAUTH (1.54 मिमी x 0.84 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-UFBGA, CSPBGA XO Sit1532 32.768 kHz LVCMOS 1.2V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 1.4 ओना एमईएमएस ± 100ppm - - -
SIT8208AC-2F-33E-50.000000Y SiTime SIT8208AC-2F-33E-50.000000Y 3.6149
सराय
 ECAD 7970 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ५० सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9121AI-2B3-XXE148.500000G SiTime Sit9121ai-2b3-xxe148.500000g 4.1046
सराय
 ECAD 2769 0.00000000 तमाम Sit9121 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं XO 148.5 तंग LVDS 2.25V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 55ma एमईएमएस ± 50ppm - - 35ma
SIT9003AC-14-33DD-18.33111X SiTime SIT9003AC-14-33DD-18.33111x 2.2540
सराय
 ECAD 4429 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 18.33111 अय्यर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 4.1MA एमईएमएस ± 100ppm - ± 0.50%, पचुर 4.3 एंडा
SIT8208AI-2F-33E-21.474837Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-21.474837Y 3.8969
सराय
 ECAD 1059 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 21.474837 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT9003AC-13-33DQ-46.08000X SiTime SIT9003AC-13-33DQ-46.08000X 2.2540
सराय
 ECAD 8674 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 46.08 दार्य LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 - 4.1MA एमईएमएस ± 50ppm - -1.00%, अफ़स 4.3 एंडा
SIT8208AC-3F-33E-14.318100Y SiTime SIT8208AC-3F-33E-14.318100Y 3.7918
सराय
 ECAD 3783 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 14.3181 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT1630AI-H4-DCC-32.768E SiTime SIT1630AI-H4-DCC-32.768E 1.6183
सराय
 ECAD 1212 0.00000000 तमाम Sit1630 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1630 32.768 kHz LVCMOS 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 2.2 ओना एमईएमएस ± 100ppm - - -
SIT9003AC-24-33DD-12.00000Y SiTime SIT9003AC-24-33DD-12.00000Y 1.8676
सराय
 ECAD 1594 0.00000000 तमाम Sit9003 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit9003 12 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 4.1MA एमईएमएस ± 100ppm - ± 0.50%, पचुर 4.3 एंडा
SIT1534AI-H4-DCC-00.001E SiTime SIT1534AI-H4-DCC-00.001E 1.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम Sit1534 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO Sit1534 1 सींग LVCMOS 1.5V ~ 3.63V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 - 1.4 ओना एमईएमएस ± 100ppm - - -
SIT8208AI-GF-18E-25.000000Y SiTime SIT8208AI-GF-18E-2.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 5579 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५ सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-33E-10.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-10.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 2758 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 10 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33E-12.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-12.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 2381 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33E-16.367670Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-16.367670Y 3.8969
सराय
 ECAD 7205 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 16.36767 अय्योर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33E-33.600000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-33.600000Y 3.8969
सराय
 ECAD 7378 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 33.6 LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33E-40.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-40.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 5155 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 40 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33E-74.250000Y SiTime SIT8208AI-2F-33E-74.250000Y 3.8969
सराय
 ECAD 6068 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.25 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-33S-12.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-33S-12.000000Y 3.8969
सराय
 ECAD 2190 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 12 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8208AI-2F-33S-24.750000Y SiTime SIT8208AI-2F-33S-24.750000Y 3.8969
सराय
 ECAD 7444 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४.7५ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8208AI-2F-33S-35.328000Y SiTime SIT8208AI-2F-33S-35.328000Y 3.8969
सराय
 ECAD 9520 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 35.328 अय्यर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8208AI-3F-18E-2.048000Y SiTime SIT8208AI-3F-18E-2.048000Y 4.1097
सराय
 ECAD 7303 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २.०४8 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-3F-25E-60.000000Y SiTime SIT8208AI-3F-25E-60.000000Y 4.1097
सराय
 ECAD 3180 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 60 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-3F-33E-25.000625Y SiTime SIT8208AI-3F-33E-55.000625Y 4.1097
सराय
 ECAD 4064 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २५.०००६२५ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-3F-33E-66.666700Y SiTime SIT8208AI-3F-33E-66.666700Y 4.1097
सराय
 ECAD 5214 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 66.6667 अय्योर LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-3F-33S-24.000000Y SiTime SIT8208AI-3F-33S-24.000000Y 4.1097
सराय
 ECAD 4848 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO २४ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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