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SIT8208AI-G1-18S-12.000000X	2.4360	सराय	5021	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	12 सराय	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	10μA
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SIT1602BC-33-XXE-77.760000	1.1500	सराय	3011	तमाम	Sit1602b	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		77.76 सरायम	HCMOS, LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक	4.5MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT9001AC-33-33S4-68.10000T	-	सराय	4578	तमाम	Sit9001	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	Sit9001	68.1 अफ़रपित	LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		1473-SIT9001AC-33-33S4-68.10000T	Ear99	8542.39.0001	1	तमाम (तंगर शेर)	34ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT9365AC-1E3-28N25.000000	9.9000	सराय	5096	तमाम	Sit9365, rana theircuti ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	XO		२५ सभा	LVPECL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-		एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT8208AI-G2-33S-77.760000T	1.5215	सराय	4532	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	77.76 सरायम	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-	70μA
SIT8208AI-3F-25E-72.000000Y	4.1097	सराय	8678	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		72 सराय	LVCMOS, LVTTL	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AI-G1-18S-14.000000X	2.4360	सराय	4594	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	१४ सराय	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	10μA
SIT3372AC-4E3-33NU77.760000	9.9000	सराय	3281	तमाम	Sit3372, एलीट प पchurcuth ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	कांपना		77.76 सरायम	एचसीएसएल	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-	97ma	एमईएमएस	± 50ppm	± 3145ppm	-	-
SIT3373AC-1E9-28NY622.080000	10.9200	सराय	7083	तमाम	Sit3373, एलीट प पthurcuth ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	कांपना		622.08 अराध्य	LVPECL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-		एमईएमएस	± 35ppm	± 760ppm	-
SIT9120AI-2C1-33E74.250000	5.5200	सराय	9797	तमाम	Sit9120	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		74.25 तंग	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-
SIT9120AC-1B3-33S74.175824	4.4200	सराय	4436	तमाम	Sit9120	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		74.175824 दार	LVPECL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	तमाम (तंगर शेर)	69ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT3372AC-4E2-33NU77.760000	13.0100	सराय	7910	तमाम	Sit3372, एलीट प पchurcuth ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	कांपना		77.76 सरायम	एचसीएसएल	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-	97ma	एमईएमएस	± 25ppm	± 3170ppm	-	-
SIT9120AC-2C2-XXS166.66666666	5.3500	सराय	4079	तमाम	Sit9120	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		166.666666	LVDS	2.25V ~ 3.63V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	तमाम (तंगर शेर)	55ma	एमईएमएस	± 25ppm	-	-
SIT8208AC-2F-25E-2.000625T	3.6149	सराय	2084	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		२५.०००६२५ सरायम	LVCMOS, LVTTL	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT9365AC-4E1-25E75.000000	13.7100	सराय	8541	तमाम	Sit9365, rana theircuti ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	XO		75 सराय	एचसीएसएल	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक		एमईएमएस	± 20ppm	-	-
SIT8208AI-G1-18S-10.000000Y	2.0184	सराय	8563	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	10 सराय	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	तमाम (तंगर शेर)	31ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	10μA
SIT8208AI-2F-25S-4.000000T	3.8969	सराय	8129	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		४ सभ्य	LVCMOS, LVTTL	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	3,000	तमाम (तंगर शेर)	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	70μA
SIT9365AI-4B3-33N77.760000	10.1900	सराय	6603	तमाम	Sit9365, rana theircuti ™	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		77.76 सरायम	एचसीएसएल	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	-		एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT5156AI-FK-30N0-48.000000	51.5800	सराय	1291	तमाम	Sit5156, एलीट प पchurcution ™	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.042 "(1.06 मिमी)	सतह rurcur	10-एसएमडी, कोई लीड नहीं	कांपना	Sit5156	४ yathaurautautun	LVCMOS	3 वी	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	-	53ma	एमईएमएस	± 500ppb	-	-	-
SIT3373AC-2E2-30NC432.000000	13.0100	सराय	9222	तमाम	Sit3373, एलीट प पthurcuth ™	कांपना	शिर	-20 ° C ~ 70 ° C		0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, अटिशिया से तंग	कांपना		४३२ तंग	LVDS	3 वी	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-		एमईएमएस	± 25ppm	-	-
SIT1602BI-11-33E-66.666600	1.5100	सराय	1508	तमाम	Sit1602b	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		66.6666	HCMOS, LVCMOS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक	4.5MA	एमईएमएस	± 20ppm	-	-
SIT9365AI-2B2-30E30.720000	13.2900	सराय	9337	तमाम	Sit9365, rana theircuti ™	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		30.72 तंग	LVDS	3 वी	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक		एमईएमएस	± 25ppm	-	-
SIT9120AI-2D3-25E148.351648	4.5400	सराय	2599	तमाम	Sit9120	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	XO		148.351648	LVDS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक	55ma	एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT8208AI-3F-33E-24.000000X	4.8668	सराय	2308	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		२४ सराय	LVCMOS, LVTTL	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 10ppm	-	-	31ma
SIT8208AI-G1-18E-66.666600Y	2.0184	सराय	5544	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	66.6666	LVCMOS, LVTTL	1.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	1,000	अकmuth सक	31ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	30ma
SIT1602BI-83-25E-14.000000	1.1800	सराय	2362	तमाम	Sit1602b	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी)	0.039 "(1.00 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO		१४ सराय	HCMOS, LVCMOS	2.5V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	अकmuth सक	4.2MA	एमईएमएस	± 50ppm	-	-
SIT3373AB-2B3-33NE644.531250	10.9400	सराय	6710	तमाम	Sit3373, एलीट प पthurcuth ™	कांपना	शिर	-40 ° C ~ 95 ° C	-	0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)	सतह rurcur	6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं	कांपना		644.53125 सोरहम	LVDS	3.3	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)			Ear99	8542.39.0001	1	-	89ma	एमईएमएस	± 50ppm	± 45ppm	-	-
SIT8208AI-G1-28E-33.300000X	2.4360	सराय	4698	तमाम	SIT8208	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी)	0.031 "(0.80 मिमी)	सतह rurcur	4-एसएमडी, कोई लीड नहीं	XO	SIT8208	३३.३ तंग	LVCMOS, LVTTL	2.8V	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8542.39.0001	250	अकmuth सक	33ma	एमईएमएस	± 20ppm	-	-	31ma