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अरे (193576)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AI-G2-18E-2.000000Y | 1.6342 |  | 1317 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AI-G2-18S-25000000Y | 1.6342 | | 8442 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 31ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 10μA | ||
| SIT8208AI-G2-18S-72.000000Y | 1.6342 | | 1888 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 72 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 31ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 10μA | ||
| SIT8208AI-G2-33E-14560000Y | 1.6342 | | 5185 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 13.56 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-G2-33E-26.000000Y | 1.6342 | | 1471 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २६ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-G3-25E-30.000000Y | 1.3880 | | 7411 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 30 सराय | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 1473-SIT8208AI-G3-25E-30.000000YTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-G3-33E-24.000000Y | 1.3880 | | 3033 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-G3-33E-37.125000Y | 1.3880 | | 6692 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 37.125 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-G3-33E-75.000000Y | 1.3880 | | 5975 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-GF-18E-26.000000Y | 3.8969 | | 3047 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २६ सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | |||
| SIT8208AI-GF-33E-2.000000Y | 5.6200 | | 3 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AI-GF-33E-4.096000Y | 3.8969 | | 8107 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४.० ९ ६ तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AILGF-28S-48.000000Y | 3.8969 | | 9899 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | ४ yathaurautautun | LVCMOS, LVTTL | 2.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | |||
 | SIT8208AIP8F-33E-45.158400Y | 4.1097 | | 5578 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 45.1584 सोरकम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AIRGF-33E-33.333300Y | 3.8969 | | 4825 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 33.3333 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
 | SIT8208AIU2F-33E-24.000000Y | 3.8969 | | 3299 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | २४ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8208AUG1-33E-16.384000Y | 2.0184 | | 9448 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | SIT8208 | 16.384 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 20ppm | - | - | 31ma | ||
 | SIT8209AI-G3-33E-125.000000Y | - | | 1826 | 0.00000000 | तमाम | SIT8209 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १२५ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 36ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | |||
| SIT8225AI-G3-25E-2.000000Y | 1.3880 | | 5963 | 0.00000000 | तमाम | Sit8225 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8225 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8225AI-G3-33E-2.000000Y | 1.3880 | | 2471 | 0.00000000 | तमाम | Sit8225 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8225 | २५ सभा | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8256AI-2F-33S-156.250000Y | 7.2139 | | 7778 | 0.00000000 | तमाम | Sit8256 | R टेप ray ryील (ther) | नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit8256 | 156.25 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 70μA | ||
| SIT9001AC-43-33E3-25.00000Y | - | | 9515 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | २५ सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 27ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 50 | ||
| SIT9001AC-43-33E4-27.00000Y | - | | 1164 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 27 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 27ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 50 | ||
| SIT9001AC-43-33E6-27.00000Y | - | | 8143 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | 27 सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | अकmuth सक | 27ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | 50 | ||
| SIT9001AC-44-33D4-45.00000Y | - | | 1575 | 0.00000000 | तमाम | Sit9001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, अयस्कता से तंग | XO | Sit9001 | ४५ तंग | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 100ppm | - | -2.00%, अफ़स | 50 | ||
 | SIT9003AC-13-18DB-20.00000Y | 1.1948 | | 6066 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | २० सभा | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | And 0.25%, पायता | 0.8μA | ||
| SIT9003AC-13-25DQ-50.00000Y | 1.1948 | | 2596 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | ५० सभा | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -1.00%, अफ़स | 2.2 ओना | ||
| SIT9003AC-13-33DB-27.12000Y | 1.8676 | | 7552 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 27.12 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | And 0.25%, पायता | 4.3 एंडा | ||
| SIT9003AC-13-33DO-27.12000Y | 1.8676 | | 4674 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 27.12 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -0.50%, अफ़स | 4.3 एंडा | ||
| SIT9003AC-13-33DQ-1.00000Y | 1.2187 | | 5480 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 1 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4.1MA | एमईएमएस | ± 50ppm | - | -1.00%, अफ़स | 4.3 एंडा |
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