SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AC-G1-18E-37.400000Y SiTime SIT8208AC-G1-18E-37.400000Y 1.8647
सराय
ECAD 8182 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 37.4 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AC-G1-18E-38.400000Y SiTime SIT8208AC-G1-18E-38.400000Y 1.8647
सराय
ECAD 2887 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 38.4 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AC-G1-18E-9.600000Y SiTime SIT8208AC-G1-18E-9.600000Y 1.8647
सराय
ECAD 5674 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ९। LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 20ppm - - 30ma
SIT8208AC-G2-33E-25.000000Y SiTime SIT8208AC-G2-33E-2.000000Y 1.5196
सराय
ECAD 8922 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
SIT8208AC-G3-33E-27.000000Y SiTime SIT8208AC-G3-33E-27.000000Y 1.2906
सराय
ECAD 8286 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 27 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 50ppm - - 31ma
SIT8208AC-GF-25S-57.600000Y SiTime SIT8208AC-GF-25S-57.600000Y 3.6149
सराय
ECAD 1687 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 57.6 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 70μA
SIT8208AC-GF-33E-27.000000Y SiTime SIT8208AC-GF-33E-27.000000Y 3.6149
सराय
ECAD 3237 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 27 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AC-GF-33E-30.720000Y SiTime SIT8208AC-GF-33E-30.720000Y 3.6149
सराय
ECAD 1451 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 30.72 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT8208AI-2F-18S-36.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-18S-36.000000Y 3.8969
सराय
ECAD 9578 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO ३६ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 10ppm - - 10μA
SIT8208AI-2F-25E-19.200000Y SiTime SIT8208AI-2F-25E-119.200000Y 3.8969
सराय
ECAD 7586 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO १ ९। LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 10ppm - - 31ma
SIT3907AC-2F-25NM-57.600000T SiTime SIT3907AC-2F-25NM-57.600000T 8.9948
सराय
ECAD 3178 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 57.6 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-2F-33NH-32.000000T SiTime SIT3907AC-2F-33NH-32.000000T 8.9948
सराय
ECAD 8163 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 ३२ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-2F-33NZ-24.576000T SiTime SIT3907AC-2F-33NZ-24.576000T 8.9948
सराय
ECAD 9406 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 24.576 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-2F-33NZ-26.000000T SiTime SIT3907AC-2F-33NZ-26.000000T 8.9948
सराय
ECAD 6866 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 २६ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-CF-33NY-10.000000T SiTime SIT3907AC-CF-33NY-10.000000T 9.4696
सराय
ECAD 8467 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 10 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-CF-33NY-100.000000T SiTime SIT3907AC-CF-33NY-100.000000T 13.3146
सराय
ECAD 1594 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 100 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-CF728NH-1.000000T SiTime SIT3907AC-CF728NH-1.000000T 9.4696
सराय
ECAD 1851 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 1 सराय LVCMOS, LVTTL 2.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-CF918NG-125.000000T SiTime SIT3907AC-CF918NG-125.000000T 10.0415
सराय
ECAD 3405 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 १२५ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-CF925NG-125.000000T SiTime SIT3907AC-CF925NG-125.000000T 10.0415
सराय
ECAD 1590 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 १२५ सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-DF-33NM-10.000000T SiTime SIT3907AC-DF-33NM-10.000000T 9.4696
सराय
ECAD 9973 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 10 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-DF-33NZ-16.384000T SiTime SIT3907AC-DF-33NZ-16.384000T 9.4696
सराय
ECAD 8838 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 16.384 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-DF-33NZ-32.000000T SiTime SIT3907AC-DF-33NZ-32.000000T 9.4696
सराय
ECAD 7314 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 ३२ सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AC-DF-33NZ-64.000000T SiTime SIT3907AC-DF-33NZ-64.000000T 9.4696
सराय
ECAD 1006 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं कांपना Sit3907 ६४ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AI-22-25NE96.000000T SiTime SIT3907AI-22-25NE96.000000T 6.4718
सराय
ECAD 7460 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 96 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T SiTime SIT3907AI-22-33NZ-48.461000T 6.4718
सराय
ECAD 8895 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 48.461 सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 25ppm - - -
SIT3907AI-23-33NE-8.000000T SiTime SIT3907AI-23-33NE-8.000000T 5.8906
सराय
ECAD 2459 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 8 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT3907AI-23-33NY-5.120000T SiTime SIT3907AI-23-33NY-5.120000T 5.8906
सराय
ECAD 3062 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 ५.१२ तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 50ppm - - -
SIT3907AI-2F-18NE-2.000000T SiTime SIT3907AI-2F-18NE-2.000000T 9.7170
सराय
ECAD 2730 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 २ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AI-2F-18NH-50.000000T SiTime SIT3907AI-2F-18NH-50.000000T 9.7170
सराय
ECAD 4873 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 ५० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
SIT3907AI-2F-33NE-25.000000T SiTime SIT3907AI-2F-33NE-255000000T 9.7170
सराय
ECAD 8729 0.00000000 तमाम Sit3907 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit3907 २५ सभा LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 34ma एमईएमएस ± 10ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम