SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT8208AI-G2-33S-33.333000X SiTime SIT8208AI-G2-33S-33.333000X 1.9722
सराय
ECAD 1622 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३.३३३ सरायम LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 7232 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 35.84 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 5640 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 40 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 2092 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 40 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 7997 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 62.5 तंग LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 9223 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 72 सराय LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 5586 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.175824 दार LVCMOS, LVTTL 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 8495 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16.367667 LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 4392 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २० सभा LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 4327 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २४ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 8298 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 24.576 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 5347 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 28.6363 तंग LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 8658 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३.५ rautaurauthuthu LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 6385 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 30 सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 5595 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 1750 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३३ सराय LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 8577 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 33.33333 सोरप्युर LVCMOS, LVTTL 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 50ppm - - 30ma
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सराय
ECAD 8615 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ६५ सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 7698 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.6666 LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 6395 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 66.6666 LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 9051 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO 74.176 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1473-SIT8208AI-G2-25E-74.176000XTR Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 9215 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 74.25 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 6141 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 77.76 सरायम LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 31ma
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सराय
ECAD 8099 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16 सराय LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 9866 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 16.369 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 1760 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २० सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
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सराय
ECAD 7404 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 २६ सभा LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-25S-31.250000Y SiTime SIT8208AI-G2-25S-31.250000Y 1.6342
सराय
ECAD 3503 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 ३१.२५ तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-25S-32.768000X SiTime SIT8208AI-G2-25S-32.768000X 1.9722
सराय
ECAD 9544 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 32.768 अराध्य LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 250 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
SIT8208AI-G2-25S-37.500000Y SiTime SIT8208AI-G2-25S-37.500000Y 1.6342
सराय
ECAD 7329 0.00000000 तमाम SIT8208 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं XO SIT8208 37.5 तंग LVCMOS, LVTTL 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 1,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 25ppm - - 70μA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम