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अरे (193576)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम कांपना तमाम वोलmume - तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सराफक - शयरा (अधिकतम) तमाम आवृतmuthauradala सरायम (अप्रैल) क्योरहम्युरसुधमस सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम)
SIT5000AC-2E-18N0-38.400000T SiTime SIT5000AC-2E-18N0-38.400000T 1.7550
सराय
 ECAD 5916 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 38.4 तंग LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-3E-18E0-16.367667T SiTime SIT5000AC-3E-18E0-16.367667T 1.8441
सराय
 ECAD 1037 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 16.367667 LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - 30ma
SIT5000AC-3E-33E0-10.000000T SiTime SIT5000AC-3E-33E0-10.000000T 1.8441
सराय
 ECAD 9216 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AC-8E-33VQ-10.000000T SiTime SIT5000AC-8E-33VQ-10.000000T 1.8441
सराय
 ECAD 2189 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000ACC2E-33N0-12.000000T SiTime SIT5000ACC2E-33N0-12.000000T 1.7550
सराय
 ECAD 5101 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AC-GE-33E0-16.000000T SiTime SIT5000AC-GE-33E0-16.000000T 1.7550
सराय
 ECAD 3528 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 16 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AC-GE-33VQ-26.000000T SiTime SIT5000AC-GE-33VQ-26.000000T 1.7550
सराय
 ECAD 9666 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 २६ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-2E-33E0-25.000000T SiTime SIT5000AI-2E-33E0-25.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 6211 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-2E-33E0-26.000000T SiTime SIT5000AI-2E-33E0-26.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 1049 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २६ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-2E-33N0-25.000000T SiTime SIT5000AI-2E-33N0-25.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 3915 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33E0-12.000000T SiTime SIT5000AI-3E-33E0-12.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 9376 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-3E-33E0-25.000000T SiTime SIT5000AI-3E-33E0-25.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 1105 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-3E-33N0-40.000000T SiTime SIT5000AI-3E-33N0-40.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 2026 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 40 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33VQ-10.000000T SiTime SIT5000AI-3E-33VQ-10.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 9831 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-3E-33VQ-16.000000T SiTime SIT5000AI-3E-33VQ-16.000000T 2.0815
सराय
 ECAD 2630 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5000 16 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-8E-33E0-12.800000T SiTime SIT5000AI-8E-33E0-12.800000T 2.0815
सराय
 ECAD 7722 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12.8 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-8E-33N0-19.440000T SiTime SIT5000AI-8E-33N0-19.440000T 2.0815
सराय
 ECAD 9057 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 19.44 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-18N0-20.000000T SiTime SIT5000AI-GE-18N0-20.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 4678 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २० सभा LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-18S0-12.000000T SiTime SIT5000AI-GE-18S0-12.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 5925 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 12 सराय LVCMOS 1.8V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 31ma एमईएमएस ± 5ppm - - 10μA
SIT5000AI-GE-33E0-20.000000T SiTime SIT5000AI-GE-33E0-20.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 9193 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 २० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5000AI-GE-33N0-10.000000T SiTime SIT5000AI-GE-33N0-10.000000T 2.0048
सराय
 ECAD 4560 0.00000000 तमाम Sit5000 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5000 10 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-25N0-50.000000T SiTime SIT5001AC-2E-25N0-50.000000T 3.9142
सराय
 ECAD 6629 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ५० सभा LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-25S0-32.000000T SiTime SIT5001AC-2E-25S0-32.000000T 3.9142
सराय
 ECAD 3508 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ३२ सराय LVCMOS 2.5V तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 तमाम (तंगर शेर) 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 70μA
SIT5001AC-2E-33E0-50.000000T SiTime SIT5001AC-2E-33E0-50.000000T 3.9142
सराय
 ECAD 1483 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ५० सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5001AC-2E-33VB-4.096000T SiTime SIT5001AC-2E-33VB-4.096000T 3.9142
सराय
 ECAD 6076 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5001 ४.० ९ ६ तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000T SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000T 3.9142
सराय
 ECAD 9267 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5001 80 सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33E0-79.360000T SiTime SIT5001AC-3E-33E0-79.360000T 4.1270
सराय
 ECAD 2701 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 79.36 तंग LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 अकmuth सक 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - 31ma
SIT5001AC-3E-33N0-25.000000T SiTime SIT5001AC-3E-33N0-25.000000T 4.1270
सराय
 ECAD 2342 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 २५ सभा LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-48.000000T SiTime SIT5001AC-3E-33N0-48.000000T 4.1270
सराय
 ECAD 5679 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं कांपना Sit5001 ४ yathaurautautun LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33VQ-52.000000T SiTime SIT5001AC-3E-33VQ-52.000000T 4.1270
सराय
 ECAD 2983 0.00000000 तमाम Sit5001 R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं Vctcxo Sit5001 ५२ सराय LVCMOS 3.3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.39.0001 3,000 - 33ma एमईएमएस ± 5ppm - - -
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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