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अरे (193576)
| छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | सरायना | रत्न | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | शराबी | तमाम | कांपना | तमाम | वोलmume - | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तमाम | सराफक - शयरा (अधिकतम) | तमाम | आवृतmuthauradala | सरायम (अप्रैल) | क्योरहम्युरसुधमस | सराफक - शेरस (lect) (अधिकतम) (अधिकतम) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT3907AI-22-33NY-48.461000T | 6.4718 |  | 2460 | 0.00000000 | तमाम | Sit3907 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit3907 | 48.461 सरायम | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | - | |
| SIT3907AC-22-33NB-24.576000T | 5.9956 | | 5345 | 0.00000000 | तमाम | Sit3907 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit3907 | 24.576 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | - | |
| SIT3907AC-22-33NB-12.288000T | 5.9956 | | 3684 | 0.00000000 | तमाम | Sit3907 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit3907 | 12.288 अय्यर | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 25ppm | - | - | - | |
 | SIT9003AC-14-18DO-75.00000T | 1.1340 | | 7895 | 0.00000000 | तमाम | Sit9003 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | Sit9003 | 75 सराय | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 3.5MA | एमईएमएस | ± 100ppm | - | -0.50%, अफ़स | 0.8μA | |
 | SIT8208AI-8F-33E-10.000000T | 4.1097 | | 9115 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 10 सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT3907AI-23-33NZ-74.175000T | 5.8906 | | 5298 | 0.00000000 | तमाम | Sit3907 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit3907 | 74.175 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 34ma | एमईएमएस | ± 50ppm | - | - | - | |
 | SIT5002AI-3E-18E0-163.840000T | 7.3895 | | 3697 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | 163.84 तंग | HCMOS, LVCMOS | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 30ma | |
| SIT8208AC-8F-25E-24.576000T | 3.7918 | | 5619 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 24.576 तंग | LVCMOS, LVTTL | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT5000AI-2E-33S0-26.000000T | 2.0048 | | 6449 | 0.00000000 | तमाम | Sit5000 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5000 | २६ सभा | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 70μA | |
| SIT5001AI-2E-33N0-32.000000T | 4.4967 | | 2061 | 0.00000000 | तमाम | Sit5001 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5001 | ३२ सराय | LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AC-8E-33E0-100.000000T | 4.9383 | | 8433 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | 100 सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AC-8E-33VQ-125.000000T | 4.9383 | | 7058 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AC-GE-33E0-100.000000T | 4.6909 | | 1517 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | 100 सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AI-2E-33VQ-125.000000T | 5.3958 | | 5832 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AI-2E-33VQ-156.250000T | 7.0197 | | 8506 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | 156.25 तंग | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AI-3E-25E0-125.000000T | 5.6778 | | 9553 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AI-3E-33E0-125.000000T | 5.6778 | | 2614 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १२५ सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 31ma | |
| SIT5002AI-8E-18E0-133.330000T | 5.6778 | | 8034 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | कांपना | Sit5002 | १३३.३३ सरायम | HCMOS, LVCMOS | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 30ma | |
| SIT5002AI-8E-33VQ-156.250000T | 7.3895 | | 9467 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | 156.25 तंग | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AI-8E-33VQ-156.253125T | 7.3895 | | 8572 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | 156.253125 | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT5002AI-GE-33VQ-100.000000T | 5.3958 | | 3754 | 0.00000000 | तमाम | Sit5002 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.106 "एल x 0.094" किल्वम (2.70 मिमी x 2.40 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | Vctcxo | Sit5002 | 100 सराय | HCMOS, LVCMOS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 33ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
 | SIT5021AC-2CE-25VB148.351648T | 12.9449 | | 8349 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | Sit5021 | 148.351648 | LVDS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | ± 50ppm | - | - | |
| SIT5021AC-2CE-25VB148.500000T | 12.9449 | | 1061 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | Sit5021 | 148.5 तंग | LVDS | 2.5V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | ± 50ppm | - | - | |
 | SIT5021AI-2DE-33E-100.000000T | 12.1336 | | 3685 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | Sit5021 | 100 सराय | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 35ma | |
| SIT5021AI-2DE-33VM156.250000T | 13.4210 | | 1292 | 0.00000000 | तमाम | Sit5021 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | Vctcxo | Sit5021 | 156.25 तंग | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | ± 25ppm | - | - | |
| SIT5022AI-1DE-33S-625.000000T | 21.4981 | | 5876 | 0.00000000 | तमाम | SIT5022 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "एक एल lectus 0.197" डबthautun (7.00 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.039 "(1.00 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | SIT5022 | 625 तंग | LVPECL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | तमाम (तंगर शेर) | 69ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | 100μA | |
| SIT5022AI-2CE-33N-2550.000000T | 16.3670 | | 7276 | 0.00000000 | तमाम | SIT5022 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "एल x 0.126" डबmuthut (5.00 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 6-एसएमडी, कोई नहीं नहीं | कांपना | SIT5022 | २५० तंग | LVDS | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 55ma | एमईएमएस | ± 5ppm | - | - | - | |
| SIT8208AC-2F-18E-37.400561T | 3.6149 | | 3912 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 37.40056 | LVCMOS, LVTTL | 1.8V | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 31ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 30ma | ||
| SIT8208AC-2F-33E-14000000T | 3.6149 | | 3435 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | १३ सराय | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma | ||
| SIT8208AC-2F-33E-22.579200T | 3.6149 | | 1805 | 0.00000000 | तमाम | SIT8208 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.031 "(0.80 मिमी) | सतह rurcur | 4-एसएमडी, कोई लीड नहीं | XO | 22.5792 तंग | LVCMOS, LVTTL | 3.3 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | अकmuth सक | 33ma | एमईएमएस | ± 10ppm | - | - | 31ma |
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