SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZY55C27 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C27 RYG -
सराय
ECAD 9965 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
RS1JLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhmqg -
सराय
ECAD 8103 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1J तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 800 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
MBRS20200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20200CT-Y 0.6690
सराय
ECAD 6027 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS20200 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS20200CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 990 mV @ 10 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C33 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C33 L0G 0.0333
सराय
ECAD 8171 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 24 वी 33 वी 80 ओम
BZX584B12 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B12 RKG -
सराय
ECAD 8723 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
TSZU52C2V2 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V2 0.0669
सराय
ECAD 6737 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSZU52C2V2TR Ear99 8541.10.0050 20,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 µA @ 1 वी 2.2 वी 100 ओम
ES2BA R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES2BA R3G 0.6600
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA Es2b तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
S1BL RUG Taiwan Semiconductor Corporation S1bl ray 0.1605
सराय
ECAD 1865 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 बी तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BA157GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation Ba157ghb0g -
सराय
ECAD 2178 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BA157 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C24PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PHRFG -
सराय
ECAD 7989 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24.2 वी 15 ओम
SF64G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF64G B0G -
सराय
ECAD 1853 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF64 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 6 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 100pf @ 4v, 1MHz
S12JC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S12JC M6G -
सराय
ECAD 5040 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S12J तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
2M14ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M14ZHB0G -
सराय
ECAD 6737 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M14 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 ५०० पायल @ १०.६ वी 14 वी 5.5 ओम
PUAD4DH Taiwan Semiconductor Corporation PUAD4DH 0.7200
सराय
ECAD 9459 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 PUAD4 तमाम थिंदपक - 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 77PF @ 4V, 1MHz
BZD17C43P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P M2G -
सराय
ECAD 8221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
BZX84C6V8 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C6V8 RFG 0.0511
सराय
ECAD 1177 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
BZT52C24 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24 RHG 0.0416
सराय
ECAD 8571 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल que 16.8 24 वी 70 ओम
ES1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RFG -
सराय
ECAD 6478 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1j तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
RS1KL M2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1kl m2g -
सराय
ECAD 5655 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab रत्न तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 800 एमए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
SS110L RHG Taiwan Semiconductor Corporation SS110L RHG -
सराय
ECAD 4473 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS110 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
S4A R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4A R6 -
सराय
ECAD 1020 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S4AR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
RS3BHR7G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3bhr7g -
सराय
ECAD 8364 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC RS3B तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
SS22LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRFG -
सराय
ECAD 1118 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS22 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZV55B27 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B27 L0G 0.0357
सराय
ECAD 2738 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
1PGSMA4751 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4751 0.1086
सराय
ECAD 5983 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4751 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 .a @ 22.8 V 30 वी 40 ओम
RSFMLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfmlhrug -
सराय
ECAD 3606 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 500 एमए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
FR151GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation FR151GHR0G -
सराय
ECAD 3483 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR151 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
TSZU52C3V9 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V9 RGG 0.0669
सराय
ECAD 9265 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 3.9 वी 95 ओम
S4B R7 Taiwan Semiconductor Corporation S4B R7 -
सराय
ECAD 5071 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S4BR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SS13M Taiwan Semiconductor Corporation SS13M 0.4800
सराय
ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड SS13 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS13MCT Ear99 8541.10.0080 12,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 5 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 50pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम