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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SK14BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK14BHR5G -
सराय
 ECAD 7050 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SK14 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
SSL13HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SSL13HR3G -
सराय
 ECAD 8112 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SSL13 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 mV @ 1 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
S1JL MTG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL MTG -
सराय
 ECAD 7700 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 जे तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
S5J V7G Taiwan Semiconductor Corporation S5J V7G -
सराय
 ECAD 6185 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S5J तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 5 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SK810C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R6 -
सराय
 ECAD 6475 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK810CR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
HS1FL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL RQG -
सराय
 ECAD 4968 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Hs1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
MUR140SH Taiwan Semiconductor Corporation Mur140sh 0.1162
सराय
 ECAD 1131 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Mur140 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क -
S1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHR3G 0.1788
सराय
 ECAD 4803 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1K तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
S1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1JLSHRVG 0.4500
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h एस 1 जे तमाम Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1.2 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2 ए -
1N4148WS-G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4148WS-G 0.0251
सराय
 ECAD 6753 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1N4148 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N4148WS-GTR Ear99 8541.10.0080 9,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 75 V 150 ° C 150ma 2pf @ 0v, 1MHz
ES3B R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R7G -
सराय
 ECAD 1507 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC Es3b तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BZT52B3V9-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V9-G 0.0461
सराय
 ECAD 1842 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B3V9-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
UG06AH Taiwan Semiconductor Corporation Ug06ah 0.1016
सराय
 ECAD 2313 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर छेद के kaytaumauth से टी -18, lectun UG06 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 एमवी @ 600 एमए 15 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4v, 1MHz
BAS19W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAS19W RVG 0.0483
सराय
 ECAD 5887 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 Bas19 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 100 वी 1.25 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gapa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
HERAF803G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf803G C0G -
सराय
 ECAD 9934 0.00000000 तमाम - नली शिर छेद के kaytaumauth से TO-220-2 Heraf803 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 80pf @ 4v, 1MHz
1N5817HB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817HB0G -
सराय
 ECAD 9091 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर छेद के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5817 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 55pf @ 4v, 1MHz
S1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation S1JL RFG -
सराय
 ECAD 9540 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 जे तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZD27C12PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PH 0.2933
सराय
 ECAD 6614 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C12PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 9.1 V 12.05 वी 7 ओम
HS1FL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL RHG -
सराय
 ECAD 1867 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Hs1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
SS19L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RTG -
सराय
 ECAD 6478 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS19 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SK12B M4G Taiwan Semiconductor Corporation SK12B M4G -
सराय
 ECAD 1348 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SK12 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
MBRF30100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30100CTH -
सराय
 ECAD 2572 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay छेद के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF30100 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 30 ए 940 mV @ 30 ए 200 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
UF1GLWH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1glwh 0.4100
सराय
 ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W Uf1g तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 20 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
2M200Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M200Z A0G -
सराय
 ECAD 9458 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) छेद के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M200 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 ५०० पायल @ १५२ वी 200 वी 900 ओम
1PGSMA120ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA120ZH 0.1156
सराय
 ECAD 4410 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1pgsma120 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 91.2 V 120 वी 550 ओम
HS3D R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3D R7 -
सराय
 ECAD 1631 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HS3DR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
ES2BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2BHR5G -
सराय
 ECAD 9827 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Es2b तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
SFAF2005GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2005GHC0G -
सराय
 ECAD 6131 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर छेद के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF2005 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 150pf @ 4v, 1MHz
PE4BC Taiwan Semiconductor Corporation PE4BC 0.6500
सराय
 ECAD 8171 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - 1 (असीमित) 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 930 mV @ 4 ए 20 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 72pf @ 4v, 1MHz
SRS1020HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1020hmng -
सराय
 ECAD 9094 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRS1020 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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