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अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
S3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3A V6G -
सराय
 ECAD 2077 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 ए तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.5 µs 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SS1H20LS Taiwan Semiconductor Corporation SS1H20LS 0.5100
सराय
 ECAD 70 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h SS1H20 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 850 mV @ 1 ए 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZV55C43 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C43 L1G -
सराय
 ECAD 6439 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 32 वी 43 वी 90 ओम
MTZJ22SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ22SA 0.0305
सराय
 ECAD 7668 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ22 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ22SATR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 17 वी 20.68 वी 30 ओम
PUAD4D Taiwan Semiconductor Corporation PUAD4D 0.6800
सराय
 ECAD 8886 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 तमाम थिंदपक - 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 4 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 77PF @ 4V, 1MHz
MTZJ39SG R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SG R0G 0.0305
सराय
 ECAD 9186 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj39 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 200 gaba @ 30 वी 39.87 वी 85 ओम
TPMR6J Taiwan Semiconductor Corporation Tpmr6j 0.2799
सराय
 ECAD 9394 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TPMR6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TPMR6JTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.8 वी @ 6 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
RS2D R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2d R5g -
सराय
 ECAD 1041 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB RS2D तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 2 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZD27C51P MQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P MQG -
सराय
 ECAD 8610 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 39 V 51 वी 60 ओम
BZT55C5V1 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C5V1 L1G -
सराय
 ECAD 8619 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.1 वी 35 ओम
HS1DF-T Taiwan Semiconductor Corporation HS1DF-T 0.1037
सराय
 ECAD 7241 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तृणक तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS1DF-TTR Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 19pf @ 4v, 1MHz
SS22LHRUG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRUG -
सराय
 ECAD 4815 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS22 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZD27C15PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHMHG -
सराय
 ECAD 8551 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
SS29LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation SS29LHRTG -
सराय
 ECAD 9908 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS29 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 850 mV @ 2 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
ES3DVHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3dvhm6g -
सराय
 ECAD 2512 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 20 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
MUR115S Taiwan Semiconductor Corporation Mur115s 0.1092
सराय
 ECAD 2134 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Mur115 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 875 mV @ 1 ए 25 एनएस 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क -
MMSZ5254B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5254B RHG 0.0433
सराय
 ECAD 8449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5254 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
FR152G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152G A0G -
सराय
 ECAD 2259 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR152 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BZD27C150PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHMHG -
सराय
 ECAD 4322 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 110 V 147 वी 300 ओम
BZT52C13K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13K RKG 0.0474
सराय
 ECAD 8813 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 10 वी 13 वी 30 ओम
ES1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL MQG -
सराय
 ECAD 5664 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1f तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8PF @ 1V, 1MHz
BZD17C100P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P सवार -
सराय
 ECAD 5227 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
BZX84C12 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C12 RFG 0.0511
सराय
 ECAD 2445 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
SS22LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRHG -
सराय
 ECAD 2103 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS22 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MTZJ51S Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ51S 0.0305
सराय
 ECAD 1477 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj51 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ51STR Ear99 8541.10.0050 10,000 200 वें @ 39 वी 51 वी 110 ओम
SR1640H Taiwan Semiconductor Corporation SR1640H 0.5794
सराय
 ECAD 7260 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SR1640 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SR1640H Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 16 ए 550 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
1SMA4747 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4747 R3G -
सराय
 ECAD 6731 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4747 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
S4K M6G Taiwan Semiconductor Corporation S4K M6G -
सराय
 ECAD 2368 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S4K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 100 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZT55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C7V5 0.0350
सराय
 ECAD 7917 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C7V5TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 5 वी 7.5 वी 7 ओम
SRT13HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt13ha1g -
सराय
 ECAD 5490 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SRT13 schottky टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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