SIC
close

अफ़म (14739)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD27C33P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P MHG -
सराय
 ECAD 7041 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 24 वी 33 वी 15 ओम
SFA802GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA802GHC0G -
सराय
 ECAD 5808 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA802 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 100pf @ 4v, 1MHz
BZT55B4V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V7 L0G 0.0385
सराय
 ECAD 4585 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए ५०० पायल @ १ वी 4.7 वी 60 ओम
BZD27C24P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P MTG -
सराय
 ECAD 3111 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24.2 वी 15 ओम
PU2BAH Taiwan Semiconductor Corporation Pu2bah 0.5300
सराय
 ECAD 13 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 930 mV @ 2 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 33pf @ 4v, 1MHz
1N5817 B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5817 B0G -
सराय
 ECAD 6962 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5817 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 55pf @ 4v, 1MHz
1N914BWS RRG Taiwan Semiconductor Corporation 1N914BWS RRG 0.0268
सराय
 ECAD 3012 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1N914 तमाम Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 100 वी 1 वी @ 100 एमए 4 एनएस 5 @a @ 75 वी -65 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
1SMB5926HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5926HR5G -
सराय
 ECAD 3587 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5926 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µa @ 8.4 V 11 वी 5.5 ओम
ES1CLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhrqg -
सराय
 ECAD 3523 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1c तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZT52C12-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12-G RHG 0.0445
सराय
 ECAD 8263 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
RS2B R5G Taiwan Semiconductor Corporation Rs2b R5g -
सराय
 ECAD 6029 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB RS2B तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 2 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 50pf @ 4v, 1MHz
FR303G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR303G A0G -
सराय
 ECAD 7201 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun FR303 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 3 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
BZX585B30 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B30 RSG 0.0476
सराय
 ECAD 7970 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ४५ सना 30 वी 80 ओम
S15KCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S15kchm6g -
सराय
 ECAD 7019 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S15K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 15 ए 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 93pf @ 4v, 1MHz
MBRS10150HMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150HMNG -
सराय
 ECAD 6135 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS10150 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
RS2MAH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2mah 0.0957
सराय
 ECAD 4662 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RS2M तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZD27C10PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PHM2G -
सराय
 ECAD 3278 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 7 µa @ 7.5 V 10 वी 4 ओम
SFAS805GH Taiwan Semiconductor Corporation SFAS805GH -
सराय
 ECAD 1284 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SFAS805 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SF18G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G R1G -
सराय
 ECAD 7503 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF18 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
AZ23C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c5v6 0.0786
सराय
 ECAD 3123 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C5V6TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
MMSZ5259B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5259B 0.0437
सराय
 ECAD 5280 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5259 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMSZ5259BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 30 वी 39 वी 80 ओम
RS1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhmqg -
सराय
 ECAD 2955 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
UF1DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1dha0g -
सराय
 ECAD 5461 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1d तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P R3G -
सराय
 ECAD 1602 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
S1KLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1KLHR3G 0.1788
सराय
 ECAD 4803 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1K तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
TSF20H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H150C 2.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक TSF20 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 750 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF15150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF15150CTHC0G -
सराय
 ECAD 8055 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF15150 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 15 ए 950 mV @ 7.5 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5951h 0.1798
सराय
 ECAD 3720 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, 1PGSMB59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 91.2 V 120 वी 360 ओम
ES3D M6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3D M6 -
सराय
 ECAD 6051 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3DM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5229B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5229B 0.0433
सराय
 ECAD 3769 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5229 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMSZ5229BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 22 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें