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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 500ma (TA) 145MOHM @ 500MA, 4.5V, 260MOHM @ 250MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
सराय
 ECAD 5591 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 4.5V, 10V 20MOHM @ 3A, 10V 2.5V @ 1MA 14 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 640 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4341 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 12.5 वी सतह rurcur एससी -61AA 3SK291 800MHz MOSFET कांपना - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन-डुअल डुअल गेट 30ma 10 सना हुआ - 22.5db 2.5DB 6 वी
TK12A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60W, S4VX 3.9800
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK12A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 11.5 ए (टीए) 10V 300MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 35W (टीसी)
RN4902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4902, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4902 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704, LF 0.3100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2704 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U (TE85L, F) 0.2500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 MT3S16 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 4.5DBI 5V 60ma एनपीएन 80 @ 5ma, 1v 4GHZ 2.4db @ 1GHz
SSM6N44FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE, LM 0.4300
सराय
 ECAD 111 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6N44 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक १५० तंग Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 2 the-चैनल (therी) 30V 100ma 4ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100 @a - 8.5pf @ 3V सराय -स
RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4910, LF 0.2800
सराय
 ECAD 7429 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4910 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE, LF 0.4900
सराय
 ECAD 2168 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J216 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 12 वी 4.8 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 32MOHM @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1MA 12.7 ranak @ 4.5 वी ± 8V 1040 पीएफ @ 12 वी - 700MW (TA)
TK12P50W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK12P50W, RQ 2.0000
सराय
 ECAD 6704 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 500 वी 11.5 ए (टीए) 10V 340MOHM @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1101ACT (TPL3) -
सराय
 ECAD 6910 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1101 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 वी 80 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V ४.7 ४.7
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6010 (T2Mitum, FM -
सराय
 ECAD 5872 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC6010 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 600 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 75ma, 600ma 100 @ 100ma, 5v -
SSM3J56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56ACT, L3F 0.3900
सराय
 ECAD 32 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 1.4 ए (टीए) 1.2V, 4.5V 390MOHM @ 800MA, 4.5V 1V @ 1MA 1.6 सना ± 8V 100 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPN30008NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH, LQ 0.9000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN30008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 80 वी 9.6 ए (टीसी) 10V 30mohm @ 4.8a, 10v 4V @ 100 @a 11 सना हुआ @ 10 वी ± 20 वी 920 पीएफ @ 40 वी - 700MW (TA), 27W (TC)
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D, S1X (s 2.2900
सराय
 ECAD 4902 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK13E25 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 13 ए (टीए) 10V 250mohm @ 6.5a, 10v 3.5V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1100 पीएफ @ 100 वी - 102W (टीसी)
RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TPC8A06-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H (TE12LQM) -
सराय
 ECAD 8606 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8A06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-SOP (5.5x6.0) तंग 1 (असीमित) TPC8A06HTE12LQM Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 12 ए (टीए) 4.5V, 10V 10.1mohm @ 6a, 10v 2.3V @ 1MA 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1800 पीएफ @ 10 वी अफ़र -
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J503NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6J503 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 32.4MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 12.8 ranak @ 10 वी ± 8V 840 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK3R2A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A10PL, S4X 2.9400
सराय
 ECAD 99 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK3R2A10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 100 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 50A, 10V 2.5V @ 1MA 161 सना ± 20 वी 9500 पीएफ @ 50 वी - 54W (टीसी)
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LF 0.1800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
2SA1869-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1869-Y, Q (J ​​(J (J) -
सराय
 ECAD 3028 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1869 १० सन्निक To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 600MV @ 200ma, 2a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TPH9R00CQH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQH, LQ 2.0000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) 264-TPH9R00CQHLQTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 150 वी 64 ए (टीसी) 8V, 10V 9MOHM @ 32A, 10V 4.3V @ 1MA 44 सना ± 20 वी 5400 पीएफ @ 75 वी - 960MW (TA), 210W (TC)
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1242-y (कtun) -
सराय
 ECAD 3646 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1242 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 20 वी 5 ए 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 160 @ 500mA, 2V 170MHz
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W, S4VX 1.9200
सराय
 ECAD 1040 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0.4600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6K341 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-UDFNB (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 6 ए (टीए) 4V, 10V 36MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 100 @a ९। ± 20 वी 550 पीएफ @ 10 वी - 2.5W (TA)
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
सराय
 ECAD 51 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
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