SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM6N7002BFU(T5L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU (T5L, F -
सराय
ECAD 3812 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SSM6N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.1ohm @ 500mA, 10V 3.1V @ 250µA - 17pf @ 25v सराय -स
2SA1931,NETQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, किल्क (जे (जे) -
सराय
ECAD 8766 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
सराय
ECAD 1364 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
TJ15P04M3,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TJ15P04M3, RQ (s 0.8700
सराय
ECAD 878 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ15P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 36MOHM @ 7.5a, 10v 2V @ 100 @a 26 सना ± 20 वी 1100 पीएफ @ 10 वी - 29W (टीसी)
TPCP8203(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8203 (TE85L, F) -
सराय
ECAD 5326 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 360MW PS-8 (2.9x2.4) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 40V 4.7 ए - 2.5V @ 1MA - - -
TK20A25D,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TK20A25D, S5Q (M (M) -
सराय
ECAD 8354 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK20A25 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 250 वी 20 ए (टीए) 10V 100mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA ५५ सना ± 20 वी 2550 पीएफ @ 100 वी - 45W (टीसी)
2SK2962,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sk2962, t6f (j (j (j (j (j (j (j) -
सराय
ECAD 4247 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2105, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2105 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २.२ किलो 47
TTA1943(Q) Toshiba Semiconductor and Storage TTA1943 2.7000
सराय
ECAD 567 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl TTA1943 150 से 3 पी (एल) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 100 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) तमाम 3V @ 800mA, 8a 80 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968 (TE85L, F) 0.4700
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1968 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH6400ENH, L1Q 1.7300
सराय
ECAD 19 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH6400 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 200 वी 13 ए (टीए) 10V 64MOHM @ 6.5A, 10V 4V @ 300µA 11.2 ranak @ 10 वी ± 20 वी 1100 पीएफ @ 100 वी - 1.6W (TA), 57W (टीसी)
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301, LF 0.1800
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1301 100 तंग एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K411TU (TE85L, F -
सराय
ECAD 5581 0.00000000 तमाम यू-यू R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6K411 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Uf6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 10 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 12MOHM @ 7A, 4.5V 1.2V @ 1MA ९। ± 12V 710 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2971FE (TE85L, F) -
सराय
ECAD 5969 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2971 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
TPC6901(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6901 (TE85L, F, M) -
सराय
ECAD 6955 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 TPC6901 400MW वीएस -6 (2.9x2.8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 1 ए, 700ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 170MV @ 6MA, 300mA / 230MV @ 10MA, 300mA 400 @ 100ma, 2v / 200 @ 100ma, 2v -
RN2708,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2708, LF 0.3100
सराय
ECAD 1502 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2708 200MW यूएसवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 22kohms 47KOHMS
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 (T5L, F, T) 0.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 47KOHMS 22kohms
RN4989FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN4989 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 22kohms
SSM3K361R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361R, LXHF 0.6400
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1.2W (TA)
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU, LXHF 0.6200
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, U-MOSVIII-H R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 3-, मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 3.5 ए (टीए) 4.5V, 10V 69MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 100 @a ३.२ सदा ± 20 वी 430 पीएफ @ 15 वी - 1W (TA)
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294 (TE85L, F) 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 12.5 वी सतह rurcur SC-82A, SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30ma 10 सना हुआ - 26 डीबी 1.4db 6 वी
TK32E12N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK32E12N1, S1X 1.5300
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK32E12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 120 वी 60 ए (टीसी) 10V 13.8MOHM @ 16A, 10V 4V @ 500µA 34 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 60 वी - 98W (टीसी)
TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH, L1Q 1.5000
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH1400 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 24 ए (टीसी) 10V 13.6mohm @ 12a, 10v 4V @ 300µA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1900 पीएफ @ 50 वी - 1.6W (TA), 48W (टीसी)
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC, L1XHQ 1.4700
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosviii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN3R804 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 सना ± 20 वी 2230 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 100W (TC)
TPH2010FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q 1.6200
सराय
ECAD 10 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH2010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 250 वी 5.6 ए (टीए () 10V 198MOHM @ 2.8A, 10V 4V @ 200 @ 7 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 100 वी - 1.6W (TA), 42W (टीसी)
RN1907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1907, LXHF (सीटी ((() 0.3600
सराय
ECAD 5768 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1907 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 47KOHMS
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y, RQ 1.7300
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK380P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 9.7 ए (टीसी टीसी) 10V 380MOHM @ 4.9A, 10V 4V @ 360µA २० सना हुआ @ १० ± 30V 590 पीएफ @ 300 वी - 80W (टीसी)
TPC8092,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8092, LQ (s -
सराय
ECAD 8376 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TPC8092 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10v 2.3V @ 200 @ २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1800 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60W, S1VE 5.3600
सराय
ECAD 24 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 TK20J60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 155mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 सना ± 30V 1680 पीएफ @ 300 वी - 165W (टीसी)
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1968FE (TE85L, F) -
सराय
ECAD 5591 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1968 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम