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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
TK40E10N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1, S1X 1.9900
सराय
 ECAD 3520 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK40E10 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 90 ए (टीसी) 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 4V @ 500µA ४ ९ सराय @ १० वो ± 20 वी 3000 पीएफ @ 50 वी - 126W (टीसी)
2SD1223(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD1223 (TE16L1, NQ) 0.9000
सराय
 ECAD 1484 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SD1223 1 डब पीडब-k-मोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 80 वी 4 ए 20 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 6MA, 3 ए 1000 @ 3 ए, 2 वी -
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S20TU (TE85L) -
सराय
 ECAD 2541 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, MT3S20 900MW यूएफएम - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 12DB 12v 80MA एनपीएन 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45db @ 20MA, 5V
2SK3068(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3068 (TE24L, Q) -
सराय
 ECAD 7876 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK3068 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4883a -
सराय
 ECAD 7097 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SC4883 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SC4883ATS 0000.00.0000 50
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 3367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8023 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 21 ए (टीए) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
सराय
 ECAD 7205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय २.२ किलो
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE, LF (सीटी ((() 0.2400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W, S1Q 1.4000
सराय
 ECAD 8899 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK6Q65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 650 वी 5.8 ए (टीए () 10V 1.05OHM @ 2.9A, 10V 3.5V @ 180µA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0.2300
सराय
 ECAD 53 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8ohm @ 50ma, 4v - 12.2 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL, LQ 0.8000
सराय
 ECAD 35 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH11006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 17 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 34W (टीसी)
2SC2383-O(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-O (T6OMI, FM -
सराय
 ECAD 4250 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2383 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 160 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 60 @ 200mA, 5V 100MHz
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2902, LF -
सराय
 ECAD 7224 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2902 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 10kohms
TK14A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK14A55D (STA4, Q, M) 3.1600
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK14A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 14 ए (टीए) 10V 370MOHM @ 7A, 10V 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2300 पीएफ @ 25 वी - 50w (टीसी)
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LXHF 0.4000
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 270MW (TA)
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK, LM 0.1700
सराय
 ECAD 187 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
सराय
 ECAD 18 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 47 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 23.5A, 10V 2.3V @ 300µA 21 सना ± 20 वी 2100 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (टीए), 44W (टीसी)
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 4120 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 35 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1465 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B, S4X (s -
सराय
 ECAD 8142 0.00000000 तमाम * नली शिर TTB1020 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4901 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 4562 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4901 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
सराय
 ECAD 4425 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SA166 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y, LXHF 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW4R008NH, L1Q 2.7900
सराय
 ECAD 4510 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TPW4R008 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 80 वी 116 ए (टीसी) 10V 4mohm @ 50a, 10v 4V @ 1MA ५ ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 5300 पीएफ @ 40 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF -
सराय
 ECAD 5528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2714 200MW यूएसवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V - 1kohms 10kohms
RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1962TE85LF -
सराय
 ECAD 5519 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1962 ५०० तंग US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
SSM6P47NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P47NU, LF 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-wdfn ने पैड को को ranahir randa SSM6P47 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1 तंग 6-डीडीएफएन (2x2) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 4 ए 95MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA 4.6NC @ 4.5V 290pf @ 10v सराय -स
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LXHF 0.3900
सराय
 ECAD 690 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur SC-75, SOT-416 १२० सवार एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2106MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2106 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
TK35E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK35E08N1, S1X 1.1500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK35E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 55 ए (टीसी) 10V 12.2MOHM @ 17.5A, 10V 4V @ 300µA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1700 पीएफ @ 40 वी - 72W (टीसी)
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2713 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 47KOHMS -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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