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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2713JE (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-553 RN2713 100MW तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 47KOHMS -
RN49A1FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2089 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 Rn49a1 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 4,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz, 250MHz 2.2kohms, 22kohms 47KOHMS
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y (TE85L, F) 0.4400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2714 100MW एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 23 डीबी 30V 20ma एनपीएन 100 @ 1MA, 6V 550MHz 2.5db @ 100mHz
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 (TE85L, F) 0.2700
सराय
 ECAD 895 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN1309 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग 47 २२ सिपाही
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 9441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2961 100MW Es6 - 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 4.7KOHMS
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE (TE85L, F) 0.0639
सराय
 ECAD 7284 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1908 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 47KOHMS
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2705-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 6177 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2705 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 1MA, 10mA 80 @ 10MA, 5V 200MHz
TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5, S1VX 3.1200
सराय
 ECAD 9278 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK16E60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
RN1427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1427TE85LF 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1427 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 800 सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 250MV @ 1MA, 50mA 90 @ 100ma, 1v ३०० तंग २.२ किलो 10 कांपो
2SA1315-Y,HOF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, HOF (एम) -
सराय
 ECAD 8164 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1315 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
RN1103,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1103 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही २२ सिपाही
2SC5930(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5930 (T2Mitum, FM -
सराय
 ECAD 5521 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC5930 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1 600 वी 1 ए 100 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 75ma, 600ma 40 @ 200mA, 5V -
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, YHF (J (j (j (j (j (j (j) -
सराय
 ECAD 4612 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D (STA4, Q, M) -
सराय
 ECAD 6988 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK4A55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 550 वी 4 ए (टीए) 10V 1.88OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 35W (टीसी)
2SC3665-Y,T2YNSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3665-Y, T2YNSF (J) -
सराय
 ECAD 2332 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से एससी -71 2SC3665 1 डब एमएसटीएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TPCF8402(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8402 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 3491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8402 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 330MW वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 एन rur पी-चैनल 30V 4 ए, 3.2 ए 50mohm @ 2a, 10v 2V @ 1ma 10nc @ 10v 470pf @ 10v सराय -स
RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1973 (TE85L, F) 0.0753
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1973 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V - 47KOHMS -
TTA004B,Q Toshiba Semiconductor and Storage Tta004b, q 0.4500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-225AA, से -126-3 TTA004 १० सन्निक से -126N तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 250 160 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 50MA, 500mA 140 @ 100ma, 5v 100MHz
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1113CT (TPL3) -
सराय
 ECAD 5999 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-101, SOT-883 RN1113 ५० तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 20 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 300 @ 1MA, 5V 47
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1117 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6824 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1117 100 तंग एसएसएम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 30 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो ४.7
RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2605 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN2605 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
2SA1931,SINFQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931, SINFQ (J) -
सराय
 ECAD 1785 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1931 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 50 वी 5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 200ma, 2a 100 @ 1 ए, 1 वी 60MHz
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4207-GR (TE85L, एफ 0.3500
सराय
 ECAD 41 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 2SC4207 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rayrी) ranamamauthuth r एमिटrid 250MV @ 10ma, 100ma 200 @ 2MA, 6V 80MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH, L1Q 0.3533
सराय
 ECAD 4019 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN14006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 13 ए (टीए) 6.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 200 @ 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1300 पीएफ @ 30 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2504 (TE85L, F) 0.4800
सराय
 ECAD 247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74A, SOT-753 RN2504 300MW एसएमवी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) २ - - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
TK10A60E,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60E, S5x -
सराय
 ECAD 2076 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK10A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 10 ए (टीए) 10V 750MOHM @ 5A, 10V 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 1300 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5, RVQ 3.2100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15.8 ए (टीए टीए) 10V 230mohm @ 7.9a, 10v 4.5V @ 790µA ४३ सना ± 30V 1350 पीएफ @ 300 वी - 130W (टीसी)
TPH7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH7R506NH, L1Q 1.4700
सराय
 ECAD 26 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH7R506 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 22 ए (टीए) 10V 7.5mohm @ 11a, 10v 4V @ 300µA 31 सना ± 20 वी 2320 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
TK090U65Z,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK090U65Z, RQ 5.5000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-POWERSFN मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टोल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 90mohm @ 15a, 10v 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 5975 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN1110 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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