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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910, LF (सीटी ((() 0.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -61AA RN2910 200MW कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS -
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 7756 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2118 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
2SA1315-Y,T6ASNF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1315-y, t6asnf (j) -
सराय
 ECAD 7868 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA1315 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 80MHz
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV, L3F 0.4500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3K56 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 800ma (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 सना ± 8V 55 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL, LQ 0.6400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPN5R203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 38 ए (टीसी) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 19A, 10V 2.1V @ 200 @a २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 1975 पीएफ @ 15 वी - 610MW (TA), 61W (TC)
RN2107MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2107MFV, L3F -
सराय
 ECAD 3225 0.00000000 तमाम - थोक शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2107 १५० तंग Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 10 कांपो 47
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1965FE (TE85L, F) 0.1000
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1965 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 2.2KOHMS 47KOHMS
TPN1600ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN1600ANH, L1Q 0.8800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPN1600 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 100 वी 17 ए (टीसी) 10V 16mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 200 @ 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1600 पीएफ @ 50 वी - 700MW (TA), 42W (TC)
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y, RQ 1.9500
सराय
 ECAD 7937 0.00000000 तमाम DTMOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK290P65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 11.5 ए (टीसी) 10V 290MOHM @ 5.8A, 10V 4V @ 450µA २५ सना हुआ @ १० ± 30V 730 पीएफ @ 300 वी - 100W (टीसी)
RN4984,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4984 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J) -
सराय
 ECAD 1755 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SK2962 टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 1 ए (टीजे)
TK20A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK20A60U (Q, M) -
सराय
 ECAD 5107 0.00000000 तमाम DTMOSII थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK20A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 20 ए (टीए) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 1MA 27 स्याह @ 10 वी ± 30V 1470 पीएफ @ 10 वी - 45W (टीसी)
TPH14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH, L1Q 1.1400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH14006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 60 वी 14 ए (टीए) 6.5V, 10V 14MOHM @ 7A, 10V 4V @ 200 @ 16 सराय @ 10 वी ± 20 वी 1300 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 32W (टीसी)
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE, LF (सीटी ((((() 0.2600
सराय
 ECAD 9918 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2907 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911, LXHF (सीटी ((() 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
2SC3328-Y,T6CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3328-Y, T6CKF (J) -
सराय
 ECAD 5365 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC3328 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 80 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L, F, T) -
सराय
 ECAD 6086 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4988 200MW US6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100 ए (आईसीबीओ) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz, 200MHz 22kohms 47KOHMS
TK3R2A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R2A08QM, S4X 2.1700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 92 ए (टीसी) 6v, 10v 3.2MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 1.3MA 102 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 7670 पीएफ @ 40 वी - 45W (टीसी)
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 5025 0.00000000 तमाम π-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK4P55 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) TK4P55DT6RSSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 550 वी 4 ए (टीए) 10V 1.88OHM @ 2A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - 80W (टीसी)
2SC2235-O,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O, F (J (J (J (J (J ( -
सराय
 ECAD 8839 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2235 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5, S1F 6.6700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 TK28N65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 27.6 ए (टीए टीए) 10V 130MOHM @ 13.8A, 10V 4.5V @ 1.6MA 90 सारा @ 10 वी ± 30V 3000 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage ULN2803AFWG, C, EL -
सराय
 ECAD 4777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 18-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) ULN2803 1.31W 18-सेप तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1,000 50 वी 500ma - 8 सराय 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
2SC5201,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5201, T6MURAF (J) -
सराय
 ECAD 3172 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC5201 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 1 600 वी ५० सदा 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 500mA, 20mA 100 @ 20ma, 5v -
TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK8A65W, S5X 1.7800
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK8A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 7.8 ए (टीए टीए) 10V 650MOHM @ 3.9A, 10V 3.5V @ 300µA 16 सराय @ 10 वी ± 30V 570 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 2682 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J53 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 1.8 ए (टीए टीए) 1.5V, 2.5V 136MOHM @ 1A, 2.5V 1V @ 1MA 10.6 सना ± 8V 568 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH6R004PL, LQ 0.7900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosix-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPH6R004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 40 वी 87 ए (टीए), 49 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 6mohm @ 24.5a, 10v 2.4V @ 200 @a 30 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 2700 पीएफ @ 20 वी - 1.8W (TA), 81W (टीसी)
TW083Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW083Z65C, S1F 11.4500
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-4 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L (x) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीसी) 18V 118MOHM @ 15a, 18v 5V @ 600 ATAA 28 स्याह @ 18 वी +25v, -10v 873 पीएफ @ 400 वी - 111W (टीसी)
2SD2206(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 7464 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2206 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 100 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R, LF 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-3 SAUTU लीड SSM3J358 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SOT-23F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 1.8V, 8V 22.1mohm @ 6a, 8v 1V @ 1MA 38.5 सना ± 10V 1331 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714, LF -
सराय
 ECAD 5528 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 5 -एससी, एससी -70-5, एसओटी -353 RN2714 200MW यूएसवी तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V - 1kohms 10kohms
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