SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV, L3F 0.2300
सराय
ECAD 53 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vesm तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 100ma (TA) 8ohm @ 50ma, 4v - 12.2 पीएफ @ 3 वी - 150MW (TA)
2SC4883A Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4883a -
सराय
ECAD 7097 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SC4883 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SC4883ATS 0000.00.0000 50
2SK3068(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3068 (TE24L, Q) -
सराय
ECAD 7876 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SK3068 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 520MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 2040 पीएफ @ 10 वी - 100W (टीसी)
TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK6Q65W, S1Q 1.4000
सराय
ECAD 8899 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 सch लीड ktum, ipak TK6Q65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 75 n- चैनल 650 वी 5.8 ए (टीए () 10V 1.05OHM @ 2.9A, 10V 3.5V @ 180µA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 390 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
RN1906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE, LF (सीटी ((() 0.2400
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1906 100MW Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TPH11006NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11006NL, LQ 0.8000
सराय
ECAD 35 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH11006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 17 ए (टीसी) 4.5V, 10V 11.4mohm @ 8.5a, 10v 2.5V @ 200 @ 23 सना ± 20 वी 2000 पीएफ @ 30 वी - 1.6W (TA), 34W (टीसी)
TPCA8023-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8023-H (TE12LQM -
सराय
ECAD 3367 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8023 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 21 ए (टीए) 4.5V, 10V 12.9mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 21 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 30W (टीसी)
RN1444ATE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF -
सराय
ECAD 7205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1444 200 सभा एस-एस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी ३०० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 100MV @ 3MA, 30mA 200 @ 4MA, 2V 30 सराय २.२ किलो
RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4906, LF 0.2800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN4906 200MW US6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R203NL, L1Q 1.2500
सराय
ECAD 18 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPH3R203 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 47 ए (टीसी) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 23.5A, 10V 2.3V @ 300µA 21 सना ± 20 वी 2100 पीएफ @ 15 वी - 1.6W (टीए), 44W (टीसी)
2SA1668 Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1668 -
सराय
ECAD 4425 0.00000000 तमाम * नली शिर 2SA166 - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 2SA1668TS 0000.00.0000 50
2SC5171(LBS2MATQ,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 (LBS2MATQ, M -
सराय
ECAD 8910 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC5171 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 180 वी 2 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5v 200MHz
HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU-Y, LXHF 0.3700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 HN1A01 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 150ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 2ma, 6v 80MHz
TPCA8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8003-H (TE12LQM -
सराय
ECAD 4120 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 35 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18a, 10v 2.3V @ 1MA २५ सना हुआ @ १० ± 20 वी 1465 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
T2N7002BK,LM Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK, LM 0.1700
सराय
ECAD 187 0.00000000 तमाम U-mosvii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 T2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 400ma (TA) 4.5V, 10V 1.5OHM @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 40 पीएफ @ 10 वी - 320MW (TA)
TTB1020B,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage TTB1020B, S4X (s -
सराय
ECAD 8142 0.00000000 तमाम * नली शिर TTB1020 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12LQM -
सराय
ECAD 6650 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6JVC1, FM -
सराय
ECAD 6789 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
सराय
ECAD 4403 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2313 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0.2000
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 2SA1955 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 12 वी ४०० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10MA, 200ma 300 @ 10MA, 2V 130MHz
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC, L3F 0.3400
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम U-mosvii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 SSM3J35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3c तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 20 वी 250ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.4OHM @ 150MA, 4.5V 1V @ 100 ।a ± 10V 42 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2712-Y, LF 0.2100
सराय
ECAD 4409 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2712 १५० तंग एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 10ma, 100ma 120 @ 2ma, 6v 80MHz
RN2412TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412TE85LF 0.2900
सराय
ECAD 6971 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2412 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695 (T6cano, एम, एम, एम -
सराय
ECAD 9371 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SD2695 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 60 वी 2 ए 10 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 1ma, 1a 2000 @ 1 ए, 2 वी 100MHz
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.35OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - -
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
सराय
ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K202 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 2.3 ए (टीए) 1.8V, 4V 85MOHM @ 1.5A, 4V 1V @ 1MA ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1, S1X 2.4400
सराय
ECAD 45 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK72E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 72 ए (टीए) 10V 4.3MOHM @ 36A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5500 पीएफ @ 40 वी - 192W (टीसी)
2SA965-Y,F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2Sa965-y, f (j (j (j (j (j (j -
सराय
ECAD 3433 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA965 900 तंग टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 120 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 50mA, 500mA 80 @ 100ma, 5v 120MHz
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE (T5L, F, T) -
सराय
ECAD 8069 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 47KOHMS 47KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम