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सरायम (2488)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
2SC5085-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2sc5085-y (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 3125 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC5085 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 11db ~ 16.5db 12v 80MA एनपीएन 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1.1db @ 1GHz
TPCC8005-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8005-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 7033 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar TPCC8005 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.3x3.3) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 26 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 13a, 10v 2.3V @ 500µA 35 सना ± 20 वी 2900 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 30W (TC)
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102MFV, L3XHF (सीटी ((((() 0.3400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 RN2102 १५० तंग Vesm तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2313 (TE85L, F) -
सराय
 ECAD 4403 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RN2313 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 100NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V २०० सराय 47
RN2108,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2108, LXHF (सीटी ((() 0.3300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2108 100 तंग एसएसएम तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय २२ सिपाही 47
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU, LF 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड SSM6L12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ५०० तंग Uf6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 30V, 20V 500ma (TA) 145MOHM @ 500MA, 4.5V, 260MOHM @ 250MA, 4V 1.1V @ 100 @a - 245pf @ 10v, 218pf @ 10v -
RN1415(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1415 (TE85L, F) 0.3400
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 सभा एस-एस तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
2SA949-Y(T6JVC1,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA949-Y (T6JVC1, FM -
सराय
 ECAD 6789 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SA949 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) तमाम 800MV @ 1MA, 10 ए 70 @ 10MA, 5V 120MHz
TK72E08N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK72E08N1, S1X 2.4400
सराय
 ECAD 45 0.00000000 तमाम U-mosviii-h नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TK72E08 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 72 ए (टीए) 10V 4.3MOHM @ 36A, 10V 4V @ 1MA 81 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 5500 पीएफ @ 40 वी - 192W (टीसी)
TK6A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A45DA (STA4, Q, M) 1.2500
सराय
 ECAD 50 0.00000000 तमाम π-mosvii नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK6A45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 450 वी 5.5 ए (टीए () 10V 1.35OHM @ 2.8A, 10V 4.4V @ 1MA 11 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 25 वी - -
SSM6K202FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K202FE, LF 0.4600
सराय
 ECAD 15 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6K202 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 n- चैनल 30 वी 2.3 ए (टीए) 1.8V, 4V 85MOHM @ 1.5A, 4V 1V @ 1MA ± 12V 270 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12LQM -
सराय
 ECAD 6650 0.00000000 तमाम π-MOSV R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn TPCA8010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-sop Sapak (5x5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 200 वी 5.5 ए (टीए () 10V 450MOHM @ 2.7A, 10V 4V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 600 पीएफ @ 10 वी - 1.6W (TA), 45W (टीसी)
2SA1955FVATPL3Z Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1955FVATPL3Z 0.2000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 2SA1955 100 तंग Cst3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 8,000 12 वी ४०० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 250MV @ 10MA, 200ma 300 @ 10MA, 2V 130MHz
TPCC8136.LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8136.LQ -
सराय
 ECAD 7165 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-powervdfn TPCC8136 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak (3.1x3.1) - 1 (असीमित) 264-TPCC8136.LQTR Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 9.4 ए (टीए टीए) 1.8V, 4.5V 16MOHM @ 9.4A, 4.5V 1.2V @ 1MA 36 सना ± 12V 2350 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA), 18W (TC)
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc4793, nseikif (j) -
सराय
 ECAD 8903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1911, LXHF (सीटी ((() 0.3600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1911 200MW US6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S16U (TE85L, F) 0.2500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 MT3S16 100MW एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 4.5DBI 5V 60ma एनपीएन 80 @ 5ma, 1v 4GHZ 2.4db @ 1GHz
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y, S4X 1.5700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 तमाम DTMOSV नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK560A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira तंग Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 7 ए (टीसी) 10V 560MOHM @ 3.5A, 10V 4V @ 240µA 14.5 vapak @ 10 वी ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 30W
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2sa1242-y (कtun) -
सराय
 ECAD 3646 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa 2SA1242 1 डब पीडब-k-मोल तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 200 20 वी 5 ए 100NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 160 @ 500mA, 2V 170MHz
TK7A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W, S4VX 1.9200
सराय
 ECAD 1040 0.00000000 तमाम Dtmosiv नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK7A60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीए) 10V 600MOHM @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 490 पीएफ @ 300 वी - 30W (टीसी)
2SC2229-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (TE6, F, M) -
सराय
 ECAD 6227 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, से 92-3 से 2SC2229 800 सभा टू -92 MOD तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1 150 वी ५० सदा 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 70 @ 10MA, 5V 120MHz
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, एचएफईएफ (एम () -
सराय
 ECAD 4903 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
TPC8207(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 (TE12L) -
सराय
 ECAD 4725 0.00000000 तमाम - डिजी rayीएल® शिर सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) TPC8207 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 750MW 8-SOP (5.5x6.0) तंग रोहस 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 20 वी 6 ए 20mohm @ 4.8a, 4v 1.2V @ 200 @ 22nc @ 5v 2010pf @ 10v सराय -स
TPCF8B01(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01 (TE85L, F, M -
सराय
 ECAD 5121 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCF8B01 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक वीएस -8 (2.9x1.5) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 2.7 ए (टीए टीए) 1.8V, 4.5V 110MOHM @ 1.4A, 4.5V 1.2V @ 200 @ 6 सना ± 8V 470 पीएफ @ 10 वी अणु (पृथक) 330MW (TA)
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4607 (TE85L, F) 0.4700
सराय
 ECAD 795 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 RN4607 300MW SM6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 1 एनपीएन, 1 पीएनपी - rurcum -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 200MHz 10kohms 47KOHMS
RN1903FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1903FE, LXHF (CT (CT (CT) 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN1903 100MW Es6 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 70 @ 10MA, 5V 250MHz 22kohms 22kohms
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE (TE85L, F) 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 RN2911 100MW Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी 100ma 100NA (ICBO) 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 120 @ 1MA, 5V 200MHz 10kohms -
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, HFEF (J (J) -
सराय
 ECAD 2472 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SC4793 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 100MHz
RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2104, LF (सीटी ((() 0.2000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 RN2104 100 तंग एसएसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 47
2SA1837,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, NSEIKIF (J) -
सराय
 ECAD 1887 0.00000000 तमाम - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 2SA1837 2 डब To-220nis तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0075 1 230 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 5v 70MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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